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最新专利技术
  • 集中式光伏板识别方法、装置、电子设备及存储介质
    集中式光伏板识别方法、装置、电子设备及存储介质_广州中科云图智能科技有限公司_202510068673.9
    本发明提出一种集中式光伏板识别方法、装置、电子设备及存储介质，属于图像处理领域。方法包括：根据光伏板的遥感图像，得到检测框图像和各光伏板的倾斜角度；依据检测框，获得检测框图像对应的二值图像，并分割为多张二值子图，每张二值子图包含一个完整光伏...
    2025-09-01
  • 一种基于双时态融合感知的智能补全方法
    一种基于双时态融合感知的智能补全方法_天津大学_202510066502.2
    本发明涉及一种基于双时态融合感知的智能补全方法，包括S1、将需要补全的数据集按照比例分为训练集和测试集；S2、对数据集进行结构化的数据预处理；S3、将处理后的结构化数据进行编码；S4、建立基于双时态融合感知模型；S5、设置模型超参数；S6、...
    2025-09-01
  • 电子设备支撑件
    电子设备支撑件_苹果公司_202510071411.8
    提供了电子设备支撑件。一种可头戴式设备可包括：显示器框架；显示器，该显示器由该显示器框架承载；臂，该臂在第一接头处能够旋转地连接到该显示器框架；以及头部接合构件，该头部接合构件在第二接头处能够旋转地耦接到该臂。
    2025-09-01
  • 传动装置组件和具有这种传动装置组件的驱动系
    传动装置组件和具有这种传动装置组件的驱动系_采埃孚股份公司_202510065717.2
    本发明涉及传动装置组件和具有这种传动装置组件的驱动系，传动装置组件包括行星轮组，行星轮组具有行星架，在行星架上布置有至少一个栓，其中，在栓上布置有用于以能转动的方式支承行星轮的第一支承元件，其中，传动装置组件还具有与行星架驱动作用地连接的差...
    2025-09-01
  • 对粘性末端多核苷酸具有增加特异性的T7 DNA连接酶变体R129D
    对粘性末端多核苷酸具有增加特异性的T7 DNA连接酶变体R129D_武汉爱博泰克生物科技有限公司_202510069616.2
    公开了一种具有突变R129D的新型T7DNA连接酶突变体，其即使在存在聚乙二醇的情况下也对粘合末端连接具有较高特异性。控制最终连接产物的组成非常重要，并因此提高T7DNA连接酶对粘合末端的特异性的变体将产生更可靠的结果。
    2025-09-01
  • 连接活性增加的T7 DNA连接酶变体
    连接活性增加的T7 DNA连接酶变体_武汉爱博泰克生物科技有限公司_202510069613.9
    本发明包括一种突变型T7DNA连接酶或其生物活性片段，其活性大于野生型T7DNA连接酶。该突变型T7DNA连接酶或其生物活性片段具有与所述野生型不同的一个或多个取代，如发明内容中更完全地描述。优选的突变型T7DNA连接酶具有以下突变中的至少...
    2025-09-01
  • 连接效率增加的T7 DNA连接酶变体
    连接效率增加的T7 DNA连接酶变体_武汉爱博泰克生物科技有限公司_202510069610.5
    本发明包括一种突变型T7DNA连接酶或其生物活性片段，其对平末端dsDNA底物的活性大于野生型T7DNA连接酶。该突变型T7DNA连接酶或其生物活性片段具有一个或多个与所述野生型不同的取代，所述取代为E63K(SEQ ID NO：3；SEQ...
    2025-09-01
  • 可逆堆叠配合接口
    可逆堆叠配合接口_创科无线普通合伙_202510070939.3
    提供了一种可逆锁定板和配合接口，用于沿堆叠方向将第一容器相对于第二容器以堆叠构型固定。可逆锁定板包括：平面主体，其具有被构造为接收第一容器的相应部分的多个槽；铰接机构，其被构造为绕铰接轴线旋转180度；以及至少一个偏置构件，所述至少一个偏置...
    2025-09-01
  • 电动作业车
    电动作业车_丰田自动车株式会社_202510065754.3
    提供能够在抑制框体的大型化的同时连接电动机和电力控制装置的电动作业车。具备配置于行驶车体部的铅直方向的上方的、收容电气设备的框体。电力控制装置和电动机配置于该框体外并且用送电用的高压电缆连接。由此，确保电气设备的防水性能。另外，电力控制装置...
    2025-09-01
  • 用于车辆的具有电机的驱动装置和用于运行车辆的方法
    用于车辆的具有电机的驱动装置和用于运行车辆的方法_麦格纳动力系有限两合公司_202510067182.2
    一种用于车辆的驱动装置，所述驱动装置具有电机、连接在电机下游的两级的传动装置，其中电机(2)可以以驱动的方式经由传动装置(15)与车辆的车轴(7)连接，其中传动装置(15)具有与电机的转子轴驱动连接的输入轴(9)和与车辆的车轴(7)驱动连接...
    2025-09-01
  • 一种具有狭小隧道清洁功能的机器人
    一种具有狭小隧道清洁功能的机器人_重庆大学_202510070235.6
    本发明涉及机器人技术领域，公开了一种具有狭小隧道清洁功能的机器人，包括呈对称布置的前半段机体、后半段机体，还包括伺服云台电机，所述前半段机体、后半段机体分别与伺服云台电机的两个输出轴连接；在本方案中，通过小型摄像头获取管道情况后，操作员通过...
    2025-09-01
  • 机床
    机床_埃斯维机床(苏州)有限公司_202510071774.1
    本发明涉及一种机床(2)，带有机架(4)、带有至少一个围绕主轴轴线(8)被可转动地支承的工作主轴(6)、带有至少一个关联于至少一个工作主轴(6)的工件台(10)，该工件台间接或直接地在机架(4)中围绕旋转轴线(12)被可转动或可旋转地支承，...
    2025-09-01
  • 骨质疏松症及足底筋膜炎的治疗剂及其制造方法
    骨质疏松症及足底筋膜炎的治疗剂及其制造方法_文铜元_202510072035.4
    本发明涉及骨质疏松症及足底筋膜炎的治疗剂及其制造方法，其中，骨质疏松症及足底筋膜炎的治疗剂包括：松根(松根峰)、松香菇(千年灵芝)(Fomitopsis pinicola)、金合欢木蘑菇(长寿蘑菇)(Fomitella fraxinea)、...
    2025-09-01
  • 桑提取物在制备治疗和/或预防男性不育的药物中的用途
    桑提取物在制备治疗和/或预防男性不育的药物中的用途_北京五和博澳药业股份有限公司_202510072973.4
    桑提取物在制备治疗和/或预防男性不育的药物中的用途，所述桑提取物包含重量含量为3％以上的生物碱，和/或包含重量含量不高于70％的多糖，和/或包含重量含量不高于10％的黄酮，和/或包含重量含量不高于50％的氨基酸，和/或其它组分。本发明所述桑...
    2025-09-01
  • 功率模块、功率模块用的外壁树脂和功率模块的制造方法
    功率模块、功率模块用的外壁树脂和功率模块的制造方法_旭化成微电子株式会社_202510074660.2
    本发明涉及功率模块、功率模块用的外壁树脂和功率模块的制造方法。功率模块具有母线、磁检测部和外壁树脂，上述外壁树脂具有用于插入上述磁检测部的插入孔，在从上述磁检测部的插入方向观察时，上述插入孔具有与上述磁检测部的外形形状对应的形状。功率模块的...
    2025-09-01
  • 用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置
    用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置_三星SDI株式会社_202510078714.2
    本发明涉及一种用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置。该有机光电子装置包含该用于有机光电子装置的组合物，该用于有机光电子装置的组合物包含由化学式1表示的第一化合物和由化学式2表示的第二化合物。
    2025-09-01
  • 显示装置和制造显示装置的方法
    显示装置和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510077308.4
    本申请涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括封装层。封装层包括第一无机封装膜、设置在第一无机封装膜上的有机封装膜和设置在有机封装膜上的第二无机封装膜。第二无机封装膜包括第一子无机封装层和第二子无机封装层，第二子无机封装层设置在第一子...
    2025-09-01
  • MOSFET晶体管
    MOSFET晶体管_意法半导体国际公司_202510074722.X
    本公开涉及MOSFET晶体管。本说明书涉及一种晶体管，该晶体管包括沟道区，该沟道区在半导体层的漏极区与源极区之间在第一方向上延伸；以及栅极结构，该栅极结构位于沟道形成区顶部，该栅极结构包括顶部覆盖有栅极区的栅极绝缘体；该沟道形成区包括在第一...
    2025-09-01
  • 经改进的HEMT设备、特别是耗尽模式设备及其制造工艺
    经改进的HEMT设备、特别是耗尽模式设备及其制造工艺_意法半导体国际公司_202510078903.X
    本公开的实施例涉及经改进的HEMT设备、特别是耗尽模式设备及其制造工艺。HEMT设备包括：异质结构，异质结构包括沟道层和势垒层，势垒层沿第一轴延伸到沟道层上；介电材料的介电保护层，介电保护层沿第一轴延伸到势垒层上；以及栅极区域，栅极区域沿第...
    2025-09-01
  • 用于制造集成电路的方法和相应的集成电路
    用于制造集成电路的方法和相应的集成电路_意法半导体国际公司_202510075834.7
    本公开涉及用于制造集成电路的方法和相应的集成电路。集成电路包括界定半导体衬底中的有源区的横向隔离区。沟槽被蚀刻，该沟槽在深度上竖直延伸到半导体衬底中，旨在穿过横向隔离区和有源区。横向隔离区的形成包括形成位于蚀刻穿过有源区的沟槽的位置处的牺牲...
    2025-09-01
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