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  • 本发明公开了一种二维碲薄膜及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:提供生长衬底,所述生长衬底包括堆叠设置的多个云母片,相邻两所述云母片之间形成有限域空间;将生长衬底和碲前驱物置于管式炉中,并对管式炉进行加热,利用化学气相沉积工艺在相邻云母片...
  • 本发明公开了一种金刚石化学沉积工艺,涉及金刚石沉积技术领域,包括前期工件预处理、对衬底装夹在炉内、加热炉腔体抽真空和腔内气体置换、升温预热和腔内气体稳压、金刚石气相沉积生长、将加热腔内部的衬底两表面沉积一层均匀的金刚石、降温泄压和腔内气体保...
  • 本发明提供了一种高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极,用金刚石研磨液对单晶硅进行预处理,得到种晶后的单晶硅,以种晶后的单晶硅为衬底,利用热丝化学气相沉积法制备硼掺杂金刚石薄膜,并在其上采用原子层沉积负载铂,得到高效电合成臭氧的硼掺杂金刚石电极,...
  • 本申请涉及一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法,涉及材料涂层制备技术领域,其包括以下步骤:将石墨基体进行超声清洗和表面活化处理,得到预处理石墨基体;在预处理石墨基体的表面沉积过渡层,得到具有过渡层的石墨基体;所述过渡层包括强结合层、梯度层I、...
  • 本发明提供了一种ZnS表面微加工增透方法,属于ZnS技术领域;所述增透方法包括硫化锌基底预处理、金属膜层的制备、刻蚀和后处理;所述刻蚀,采用感应耦合等离子体对镀膜后硫化锌进行干法刻蚀,刻蚀气体为CH4、Ar、H2,功率为200‑500W,偏...
  • 本公开涉及一种半导体设备控制方法、半导体设备,方法包括执行至少一个周期的步骤:控制半导体设备的腔体处于第一目标工艺环境,并在腔体内对晶圆进行预设工艺处理,以在晶圆上形成包含第一元素、第二元素的目标化合物;对逐一进入腔体内的预设数量的晶圆进行...
  • 本发明涉及采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备技术领域,具体为一种采用摆阀动态隔离技术的真空镀膜设备,包括安装在架体上的腔体,且腔体的前侧面安装有观察门,腔体的上方内部贯穿固定有控制杆,且位于腔体内的控制杆的下端与镀锅本体相连接,所述腔体的后...
  • 本发明公开一种晶体被银夹具,包括上夹持组件、下夹持组件、封口件;上夹持组件具有上夹板和上掩膜;下夹持组件具有下夹板、下掩膜、定位板;上掩膜和下掩膜均设于上夹板和下夹板之间,定位板设于上掩膜和下掩膜之间;定位板具有若干间隔排列的定位条,上掩膜...
  • 本发明涉及一种多功能扣合工装,包括壳体,所述壳体的一端连接有快换工具盘,该壳体的另一端连接有卡盘,该卡盘的中心滑动穿设有吸盘组件,所述壳体内设有驱动该吸盘组件伸缩的气缸;当工件被其他卡爪、机械手等设备抓起时,本发明中的气缸可以驱动该吸盘组件...
  • 本发明属于半导体装备技术领域,涉及一种物理气相沉积设备及沉积工艺,包括工艺腔体、加热平台、旋转平台、传动轴、密封传动组件;加热平台安装在所述工艺腔体内,旋转平台设置在加热平台上方;传动轴的上端连接旋转平台,传动轴的下端延伸至外部;密封传动组...
  • 本发明涉及化妆品瓶身加工技术领域,并具体公开了一种化妆品瓶身真空镀膜设备。包括圆形置物套板,圆形置物套板的顶部开设有螺纹圆孔,螺纹圆孔的内壁螺纹连接有外螺纹环管,外螺纹环管的顶部固定连接有锥形环管,锥形环管的顶部固定连接有顶撑圆块,顶撑圆块...
  • 本发明涉及一种摆动旋转机构及真空镀膜装置,摆动旋转机构包括:一级行星式公自转机构、摆动驱动机构、公自转传动机构、二级行星式公自转机构和固定模块,摆动驱动机构和行星式自转机构固定设置在所述公自转传动机构上,所述公自转传动机构由固定模块安装在行...
  • 本发明是一种真空镀膜设备用渡舟机,其结构包括提升机组件、风冷升降组件、缓存交互平台、回流移栽平台和回流升降组件,其中风冷升降组件设置在回流移栽平台一端两侧,回流升降组件设置在回流移栽平台另一端两侧,回流升降组件上方为导片机机架,风冷升降组件...
  • 本发明公开了一种高硬度Y2O3‑MgO涂层及其制备方法与应用,涉及半导体技术领域。本发明采用中频反应磁控溅射技术制备Y2O3‑MgO涂层,通过调节Y靶和Mg靶的占空比来调控MgO化合物在Y2O3‑MgO涂层中的含量进而使涂层达到高硬度。通过...
  • 本发明提供一种用于批量制备高纯度砹‑211复合靶材的装置及方法,涉及医用放射性同位素生产与薄靶技术领域。其中装置包括:真空室;溅射阴极:所述溅射阴极设置于所述真空室内,且与高功率脉冲磁控溅射电源相连接;多面体样品托:置于所述真空室内并与真空...
  • 本发明公开了一种紫色荧光材料的制备方法,本发明先将金属靶材和材料生长衬底放入磁控溅射系统中;所述的磁控溅射系统抽真空;将氩气输入溅射系统,通过调控阀控装置增加溅射系统压力;随后,向金属靶材施加直流电压,进行磁控溅射,在衬底上获取合金薄膜;再...
  • 本发明公开了一种复合涂层及其制备方法,复合涂层,包括Ti过渡层,Ti过渡层表面交替沉积W层和(CrVTiTaW)Nx层,x为0.5~1。制备方法包括以下步骤:步骤一,对基底表面进行预处理,得到洁净光滑的基底;步骤二,通过磁控溅射法在预处理后...
  • 一种悬浮三明治型纳米孔阵列及其制备方法和应用,采用自下而上的方法制备一种悬浮三明治型纳米孔阵列结构,该方法成本低廉,易于规模化生产,成品制备方法简单且易合成。悬浮三明治与孔结合的结构,通过调整孔径,孔间距,中间层厚度,将SERS检测时共振峰...
  • 本发明公开了一种高压临氢金属部件抗腐蚀阻氢涂层的制备方法,包括如下步骤:对金属部件的氢表面进行研磨与离子清洗,将金属部件放入磁控溅射离子镀膜仪的溅射真空室内,在溅射真空室内进行磁控溅射,在氢表面上沉积Cr中间层,在Cr中间层上沉积Al阻氢层...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种磁控溅射设备布气装置,包括第一布气单元和第二布气单元;第一布气单元和第二布气单元为镜像结构并对称布置在基片的两侧;第一布气单元、第二布气单元均包括第一布气管和第二布气管;第一布气管设有多个连接管;连接...
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