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最新专利技术
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_成都高真科技有限公司_202511657145.3
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，半导体器件的制备方法包括：提供基板，基板包括有源区以及与有源区对应的凹槽部，凹槽部暴露有源区；在凹槽部背离有源区的一侧依次形成第一隔离材料层和第二隔离材料层，第一隔离材料层填充凹槽部；对第一...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411450397.4
    本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包含：一硅覆绝缘(SOI)基板，包含一基底板、位于该基底板上的一埋入氧化物层，以及位于该埋入氧化物层上的一元件层；一电路元件，设置于该元件层上且被该SOI基板中的一沟槽隔离区围绕；以及一埋...
    2026-04-10
  • 一种芯片平坦化方法及集成电路芯片
    一种芯片平坦化方法及集成电路芯片_上海微阱电子科技有限公司_202512035772.X
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种芯片平坦化方法及集成电路芯片，通过接收目标电路层图案；根据所述目标电路层图案，确定所述净空区的辅助图案信息；在衬底上设置介质层；根据所述辅助图案信息在所述净空区对应的介质层上刻蚀得到辅助凹槽；根据所...
    2026-04-10
  • 改善4H-SiC界面陷阱密度的方法及芯片
    改善4H-SiC界面陷阱密度的方法及芯片_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202511962862.7
    本发明提供一种改善4H‑SiC界面陷阱密度的方法及芯片，该方法包括：提供4H‑SiC基板，并在所述4H‑SiC基板上制备热氧化层，形成4H‑SiC样品；在预设压力环境下进行第一阶段退火，使用NO2在所述4H‑SiC样品的界面形成初始氮化层；...
    2026-04-10
  • 基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法
    基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法_上海大学_202511674406.2
    本发明公开了一种基于无掩膜超短脉冲激光刻蚀的SOI硅薄膜转移方法，使用超短脉冲激光在SOI表面硅薄膜及器件非有效占用的位置处烧蚀加工出微米级孔洞阵列及狭缝，再将样品浸入氢氟酸溶液中腐蚀掩埋层。当观察到水平与垂直方向的相邻两个圆孔之间的SiO...
    2026-04-10
  • 一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆
    一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202610243827.8
    本发明属于半导体加工制造技术领域，本发明提供了一种SOI材料的制备方法与SOI晶圆，该制备方法包括在第一衬底上依次制备形成氮化铝层、氧化铝层和顶层硅，得到第一键合体；提供设置有埋氧层的支撑衬底作为第二键合体，对第一键合体与第二键合体实施键合...
    2026-04-10
  • 一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆
    一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆_北京电控集成电路制造有限责任公司_202512011089.2
    本申请提供一种键合晶圆的修边方法及一种晶圆，涉及晶圆制备技术领域，可以降低晶圆修边过程中的碎边和破片风险。该修边方法包括：依次对第i片晶圆处理形成N片晶圆堆叠，对第i片晶圆处理包括：对第i片晶圆的正面边缘区域修边，修边后的第i片晶圆呈凸台状...
    2026-04-10
  • 一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方
    一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方_常州元晶摩尔微电子有限公司_202512011041.1
    本发明公开了一种高纯度低缺陷半导体晶圆的制备方法及配方，涉及半导体晶圆制备技术领域，包括起始多晶硅原料、稀土复合氧化物添加剂和痕量功能性掺杂剂；所述稀土复合氧化物添加剂为Yb2O3与Er2O3的混合物，其质量比为1 : 1～3 : 1，添加...
    2026-04-10
  • 热氧化方法和热氧化装置
    热氧化方法和热氧化装置_珠海格力电子元器件有限公司_202511970004.7
    本申请提供了一种热氧化方法和热氧化装置。该方法用于提高碳化硅晶片的片内均匀性，热氧化方法包括：提供多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片，待热氧化晶片的材料为碳化硅；将多个待热氧化晶片和多个第一预备晶片放置于晶舟，并且将待热氧化晶片与第一预备晶...
    2026-04-10
  • 一种自对准多重图形化方法
    一种自对准多重图形化方法_重庆芯联微电子有限公司_202511909522.8
    本发明提供一种自对准多重图形化方法，在芯轴层的侧壁形成侧墙层，在待刻蚀材料层的表面形成保护层并露出部分侧墙层的第二侧面及芯轴层的顶部；去除部分芯轴层以露出部分侧墙层的第一侧面；对显露的侧墙层进行圆滑化处理；去除芯轴层与保护层；以侧墙层为掩膜...
    2026-04-10
  • 在基材上形成图案化光阻层的制备方法
    在基材上形成图案化光阻层的制备方法_南亚科技股份有限公司_202510529902.2
    本申请提供一种在基材上形成图案化光阻层的制备方法以及在基层中形成多个开口的制备方法。该制备方法包括提供一基材；在该基材上形成一光阻层，其中该光阻层包括一种负膨胀系数材料；对该光阻层进行图案化以形成一第一实际图案，且该第一实际图案具有一第一关...
    2026-04-10
  • 基于表面等离子体光刻的刻蚀增强方法
    基于表面等离子体光刻的刻蚀增强方法_中国科学院光电技术研究所_202512029968.8
    本公开提供了一种基于表面等离子体光刻的刻蚀增强方法，包括：在基底上依次形成层叠的光刻胶膜层和金属增强层；对光刻胶膜层进行表面等离子体光刻后，去除金属增强层，显影后在光刻胶膜层中形成光刻图形；对形成有光刻图形的光刻胶膜层进行泛曝光并硬掩模化；...
    2026-04-10
  • 一种RTP热退火腔体温场的监控方法
    一种RTP热退火腔体温场的监控方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202512020374.0
    本发明涉及一种RTP热退火腔体温场的监控方法，其特征是：包括以下步骤：S100、提供一硅衬底；S200、将硅衬底置于RTP设备腔体内，在含氧氛围中进行热氧化处理，使得硅衬底表面生长二氧化硅氧化层；S300、测量硅衬底表面多个预定位置的氧化层...
    2026-04-10
  • 一种晶圆搬运装置及晶圆检测方法
    一种晶圆搬运装置及晶圆检测方法_北京和崎精密科技有限公司_202511923360.3
    本申请提供了一种晶圆搬运装置及晶圆检测方法，属于半导体技术领域，该方法由晶圆搬运装置执行，晶圆搬运装置包括机械臂以及设置在机械臂末端的晶圆承载机构，晶圆承载机构在对各个规格的晶圆进行搬运时，晶圆的至少部分边缘被承载在目标承载区域上，该方法包...
    2026-04-10
  • 一种用于宏观目检机台的缺陷检测方法
    一种用于宏观目检机台的缺陷检测方法_上海哥瑞利软件股份有限公司_202511718640.0
    本发明公开一种用于宏观目检机台的缺陷检测方法，包括以下步骤：1)围绕目标检测区域拍摄多张局部图像，获得一组覆盖目标区域且相互有重叠的局部图像；2)将步骤1)中采集的一组局部图像融合成一张完整的、覆盖整个目标区域的拼接图；3)对步骤2)所得的...
    2026-04-10
  • 半导体设备的制造方法以及半导体设备
    半导体设备的制造方法以及半导体设备_瑞萨电子株式会社_202511234841.3
    本公开的实施例涉及半导体设备的制造方法以及半导体设备。提供了一种能够提高过电流检测的精度的半导体设备的制造方法。该半导体设备的制造方法包括半导体晶片测试工艺，该半导体晶片测试工艺包括：第一测试工艺，用于确定由于在制造半导体晶片时的制造变化引...
    2026-04-10
  • 电池片栅线焊接焊点检测方法
    电池片栅线焊接焊点检测方法_高景太阳能股份有限公司_202610256865.7
    本发明提供了一种电池片栅线焊接焊点检测方法。电池片栅线焊接焊点检测方法包括：对待测电池串进行进料及定位；通过多维度检测模块采集待测电池串的多维度数据；通过数据处理模块对多维度数据进行处理和融合，提取综合特征向量；根据综合特征向量，识别和判定...
    2026-04-10
  • 一种基于光谱成像的刻蚀终点检测方法及检测系统
    一种基于光谱成像的刻蚀终点检测方法及检测系统_上海车仪田科技有限公司_202610254759.5
    本申请提供一种基于光谱成像的刻蚀终点检测方法及检测系统，涉及半导体检测技术领域；刻蚀终点检测方法包括，将特征光照射至数字微镜器件的表面；控制数字微镜器件上的多个微镜按预设的二进制图案进行状态切换，将空间分布信息转换为随时间变化的时域测量序列...
    2026-04-10
  • 半导体测试结构及电阻率测量方法
    半导体测试结构及电阻率测量方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511953338.3
    本申请公开了一种半导体测试结构及电阻率测量方法，属于半导体技术领域。半导体测试结构包括：半导体结构，包括：基底；垫层，位于基底的第一侧；钨形核层，位于垫层远离基底的一侧，钨形核层的电阻率低于垫层的电阻率；检测单元，与半导体结构连接，且配置为...
    2026-04-10
  • 芯片取样路径的生成方法、装置、设备及可读存储介质
    芯片取样路径的生成方法、装置、设备及可读存储介质_深圳新益昌科技股份有限公司_202511934957.8
    本申请适用于半导体技术领域，提供了芯片取样路径的生成方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：获取多个芯片所在的芯片区域的目标参数，目标参数包括划分层数M，以及每层的划分区域个数N；根据目标参数，对芯片区域进行划分，得到M×N个目标区域；...
    2026-04-10
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