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最新专利技术
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202512015625.6
    本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、接触垫阵列、接触隔离层、以及至少一六边形间隙。接触垫阵列位于衬底上，包括多个接触垫。接触隔离层位于衬底上，环绕接触垫阵列。至少一六边形间隙位于接触隔离层内，环绕一个接触垫。如此，借助将至少一六边...
    2026-04-19
  • 一种存储器件及制作方法
    一种存储器件及制作方法_芯盟科技有限公司_202511862951.4
    本申请提供了一种存储器件及制作方法，所述存储器件包括：半导体主体，具有在第一方向上相对设置的第一端以及第二端；栅结构，包括沿第二方向延伸的栅主体，以及在所述第二方向上位于所述栅主体的一端的连接端；所述连接端与所述栅主体连接，所述栅主体环绕所...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_芯盟科技有限公司_202511860855.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个鳍结构，以及填充于相邻鳍结构之间的第一氧化层；刻蚀鳍结构和第一氧化层，形成沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的多个第一沟槽；多个第...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_芯盟科技有限公司_202511852602.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多个鳍结构，以及填充于相邻鳍结构之间的第一氧化层；刻蚀鳍结构和第一氧化层，形成沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的多个第一沟槽，以及位...
    2026-04-19
  • 三维动态随机存取存储器阵列结构及其操作方法
    三维动态随机存取存储器阵列结构及其操作方法_北京超弦存储器研究院_202511496864.1
    本公开提供了一种三维DRAM阵列结构，包括：L层M行N列DRAM单元结构，每个DRAM单元结构包括具有管状沟道的第一和第二晶体管以及管状结构的存储电容器；M×N个位线，沿竖直方向分别在M行N列DRAM单元结构中的第一和第二晶体管以及存储电容...
    2026-04-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511342919.3
    一种半导体存储器装置包括：在衬底上的第一数据存储图案；第二数据存储图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上与第一数据存储图案间隔开；第一位线，在第一和第二数据存储图案之间并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；第二位线，在第一和第二数据存储图案之...
    2026-04-19
  • 非易失性存储装置以及包括其的存储系统
    非易失性存储装置以及包括其的存储系统_三星电子株式会社_202511316997.6
    本公开提供了非易失性存储装置以及包括其的存储系统。非易失性存储装置可以包括外围电路结构和单元阵列结构。单元阵列结构可以包括公共源极线层、位线、位线布线绝缘层、提供在公共源极线层和位线之间并包括多个栅电极和多个层间绝缘层的单元堆叠以及延伸穿过...
    2026-04-19
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511274403.X
    一种半导体存储器件可以包括：模制结构，该模制结构包括多个模制堆叠，多个模制堆叠各自包括在第一方向上堆叠的多个栅电极，模制结构的第一表面在第一方向上与模制结构的第二表面相对；电容器结构，从模制结构的第一表面在第一方向上穿透模制堆叠中的至少一个...
    2026-04-19
  • 包括电容器的存储器器件结构
    包括电容器的存储器器件结构_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511076519.2
    本公开涉及包括电容器的存储器器件结构。用于存储器器件的结构和形成用于存储器器件的结构的方法。该结构包括：第一晶体管，其包括第一栅极结构和第一源极/漏极区域；第二晶体管，其包括第二栅极结构和第二源极/漏极区域；以及电容器，其包括直接耦合到第一...
    2026-04-19
  • 三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法
    三维半导体装置和制造该三维半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510981267.1
    一种三维半导体装置可以包括：衬底；半导体图案，其在衬底上，与衬底间隔开，该半导体图案在平行于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；第一栅极图案，其在半导体图案的顶表面上并沿第一方向延伸；第二栅极图案，其在半导体图案的底表面上，沿第一方向延伸，...
    2026-04-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411582074.0
    一种半导体装置的制造方法，包括提供初始结构，其包括位元线结构、座落垫层，与位元线结构相邻、及隔离层，与座落垫层相邻、在初始结构上沉积第一介电层、修改第一介电层的蚀刻特性、对第一介电层进行蚀刻工艺，以形成第一开口、及在第一开口形成电容结构。基...
    2026-04-19
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411359347.5
    本公开提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：衬底，设置在衬底上的第一绝缘介质层；设置在第一绝缘介质层中的前层结构；设置在第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层；设置在第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层；设置在第三绝缘介质层中的当层结...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411359262.7
    一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：存储单元，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括沿第一方向设置的第一沟道层和电荷存储结构，第二晶体管包括位于电荷存储结构沿第一方向一侧的第二沟道层，第二沟道层与电荷存储结构电连接；读字线，读...
    2026-04-19
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411355457.4
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括半导体主体、栅极结构、隔离结构以及第一导电结构。半导体主体沿第一方向延伸。栅极结构位于半导体主体在第二方向上的一侧。隔离结构位于半导体主体在第二方向上的另一侧。第一导...
    2026-04-19
  • 一种三维堆叠的动态随机存取存储器及其制备方法
    一种三维堆叠的动态随机存取存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202411348529.2
    本申请公开了一种三维堆叠的动态随机存取存储器及其制备方法，包括：半导体衬底；鳍型结构，包括在半导体衬底表面上依次堆叠的多个鳍型子结构；沿鳍型结构的长度方向，鳍型子结构包括依次排布的第一端、第一部分沟道、第二部分沟道和第二端；第二端均为P型掺...
    2026-04-19
  • 存储器及电子设备
    存储器及电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411346249.8
    一种存储器及电子设备。存储器包括字线、位线以及存储器单元，存储器单元包括第一晶体管和数据存储节点，第一晶体管包括栅极、有源层、源电极和漏电极。栅极与字线耦接，有源层环绕栅极，有源层的材料为氧化物半导体，源电极与有源层之间为肖特基接触，源电极...
    2026-04-19
  • 存储器件、制作方法及存储器系统
    存储器件、制作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411345930.0
    本公开实施例公开了一种存储器件、制作方法及存储器系统，所述存储器件包括：半导体主体，沿第一方向延伸；所述半导体主体包括沿第一方向相对设置的第一端以及第二端；位线，沿第二方向延伸；所述位线位于所述半导体主体在所述第一方向靠近所述第一端的一侧，...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411345424.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括多个支撑层、第一电极层、第二电极层、电容介质层和支撑部。多个支撑层在第一方向上间隔排布。第一电极层沿第一方向延伸，并与多个支撑层接触。部分电容介质层位于第一电极层和第二电极层...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401248.3
    方法包括：在第一器件区域中和第一相邻多层堆叠件之间形成第一源极/漏极凹槽；以及在第二器件区域中和第二相邻多层堆叠件之间形成第二源极/漏极凹槽。第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽在共同工艺中形成。方法还包括：在第二源极/漏极凹槽中和第二相...
    2026-04-19
  • SMT贴装控制方法、设备及装置
    SMT贴装控制方法、设备及装置_深圳市路远智能装备有限公司_202511982800.2
    本申请公开了一种SMT贴装控制方法、设备及装置，属于贴装控制技术领域。应用于SMT贴装设备，方法包括：获取待贴装物料的有效性信息，确定有效物料；基于有效物料在飞达中的物料位置，以及每个吸嘴的物理布局，对有效物料和吸嘴之间构建分配关系；对分配...
    2026-04-19
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