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最新专利技术
  • 一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法
    一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法_上海富乐华半导体科技有限公司_202511855363.8
    本发明公开一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法。一种提升双面覆铜陶瓷基板寿命的方法，双面覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及反面铜层；所述正面铜层上设置有正面图形结构；所述反面铜层上设置有反面图形结构；所述正面图形结构与所述...
    2026-04-04
  • 玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法
    玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法_极光先进雷射株式会社_202511084174.5
    本发明提供玻璃基板加工方法以及电子器件的制造方法。玻璃基板加工方法包括如下步骤：对玻璃基板照射紫外线波长脉冲激光而形成贯通孔；对包围贯通孔且从该贯通孔的内壁起规定范围的区域照射超短脉冲激光而形成变质部；以及使用对变质部的蚀刻速度比对变质部以...
    2026-04-04
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510705408.7
    本发明提供一种电子装置及其制造方法，制造方法包括提供一目标基板、以及在所述目标基板上设置一电路结构。提供所述目标基板的制程包括以下步骤：(a)提供一基底层；(b)对所述基底层进行一平坦步骤后，测量所述基底层的一第一厚度变异值；(c)在所述基...
    2026-04-04
  • 双面内埋线路的封装基板及其制备方法
    双面内埋线路的封装基板及其制备方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411303031.4
    本申请提出一种双面内埋线路的封装基板及其制备方法。本申请的封装基板及其制备方法，通过将外层基板的第一线路层内埋至基材层内，并在内层基板的两表面均压合一外层基板，实现了双面内埋线路，内埋的第一线路层的线宽线距可以更小，因此可以提高布线密度。并...
    2026-04-04
  • 一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法
    一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法_武汉学院_202511989536.5
    本发明提供一种基于大尺寸塑封转接板的芯片封装结构及其制备方法，上述制备方法通过采用大尺寸塑封转接板作为中介层，结合通孔填充第一导电柱、上下表面金属层图案化形成对应焊盘、双填充层分别包覆芯片及转接板与印刷电路板间隙的制备工艺，以使多个芯片实现...
    2026-04-04
  • 封装载板的制造方法、封装载板及电子设备
    封装载板的制造方法、封装载板及电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511850980.9
    本申请提供一种封装载板的制造方法、封装载板及电子设备，所述方法包括：提供基板主体；基板主体包括相对设置的第一表面和第二表面；在基板主体中形成从第一表面贯穿至第二表面的通孔；形成填充通孔并覆盖第一表面和第二表面的第一导电层；通过刻蚀去除通孔以...
    2026-04-04
  • 玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺
    玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511662384.8
    本发明公开一种玻璃晶圆与玻璃基板的低温键合工艺，包括以下步骤：玻璃晶圆包括键合面及非键合面，对玻璃晶圆的键合面及玻璃基板进行表面清洗；在玻璃基板的表面沉积氧化铝薄膜层，氧化铝薄膜层的厚度为大于或等于1纳米且小于或等于5纳米；对玻璃晶圆的键合...
    2026-04-04
  • 半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆
    半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆_芯盟科技有限公司_202411289221.5
    本公开实施例提出了一种半导体测试结构及其制备方法、测试方法及晶圆，其中，所述半导体测试结构包括：至少一个电容器接触结构；位于所述至少一个电容器接触结构上的电容器阵列结构，包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个电容器；其中，所述电容器的数量...
    2026-04-04
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511814349.3
    公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，位于基底上；模塑层，覆盖半导体芯片；粘合层，在模塑层的上表面上；标记框架，在粘合层上，其中，标记框架暴露粘合层的一部分，粘合层的被暴露的部分形成标记图案；以及间隔件，在...
    2026-04-04
  • 一种微热管的硅基结构及加工工艺
    一种微热管的硅基结构及加工工艺_山东大学_202511947196.X
    本发明公开了一种微热管的硅基结构及加工工艺，解决了现有技术中硅基芯片散热的金属微热管增加了芯片的厚度，而且容易出现界面剥离、开裂的问题，具有实现微热管散热的同时有效控制硅基芯片厚度的有益效果，具体方案如下：一种微热管的硅基结构，包括硅基芯片...
    2026-04-04
  • 三维集成式主动散热结构
    三维集成式主动散热结构_中国科学院微电子研究所_202610223942.9
    本申请涉及封装散热技术领域，提供一种三维集成式主动散热结构，包括：上盖板层，上盖板层上设置有进气孔；风扇与泵层，风扇与泵层设置于上盖板层的下方；至少一个液冷流道层，至少一个液冷流道层设置于风扇与泵层的下方；高功率器件层，高功率器件层设置于至...
    2026-04-04
  • 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法
    一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511950595.1
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法。包括：第一框架，包括依次连接的引脚区、折弯区和第一连接区；所述第一连接区设有向上凸起的第一芯片连接区；第一芯片，电性连接在所述第一芯片承载区上；第二芯片，位于所述...
    2026-04-04
  • 一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用
    一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用_有研工程技术研究院有限公司_202511707045.7
    本发明涉及高导热金属基复合材料技术领域，具体涉及一种高导热石墨铝固态均温板及其制备方法、应用，包括石墨板、碳化物层和铝合金层；所述石墨板上设有均匀分布的通孔，所述通孔的方向垂直于石墨板的Z向，所述石墨板表面设有所述碳化物层，所述碳化物层表面...
    2026-04-04
  • 一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺
    一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺_沛顿科技(深圳)有限公司_202511903724.1
    本发明公开了一种DRAM双堆叠芯片封装结构及封装工艺，涉及存储芯片封装技术领域，该封装结构包括基板、第一裸芯片、第二裸芯片、凸点结构及模封层；第一裸芯片贴装于基板并通过键合焊线连接，其表面设第一重布线层引出键合、互连及支撑pad；第二裸芯片...
    2026-04-04
  • 一种芯片封装结构及其制备方法
    一种芯片封装结构及其制备方法_广东长兴半导体科技有限公司_202610047959.3
    为克服现有芯片堆叠封装存在芯片之间热干扰的问题，本发明提供了一种芯片封装结构及其制备方法，芯片封装结构包括PCB主板、热沉散热块、封装芯片和横向导热片，所述封装芯片包括芯片基板、第一芯片、第二芯片和封装层，所述热沉散热块嵌入于所述PCB主板...
    2026-04-04
  • 一种大电流直插式功率器件封装结构
    一种大电流直插式功率器件封装结构_深圳市金誉半导体股份有限公司_202512011439.5
    本发明涉及功率器件封装结构技术领域，且公开了一种大电流直插式功率器件封装结构，包括下封装盒和上封装盒，所述上封装盒顶部的内壁安装有导热体，所述导热体的顶部固定连接有散热翅片，所述下封装盒的内壁设置有顶升机构，所述下封装盒的内壁设置有安装机构...
    2026-04-04
  • 一种散热集成半导体封装结构及其制造方法
    一种散热集成半导体封装结构及其制造方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202512017427.3
    本发明公开一种散热集成半导体封装结构及其制造方法，该封装结构包括：提供临时载板，在临时载板上布置电子元器件，其中包括至少一个作为主要热源的主器件，并在主器件上设置散热件，然后进行塑封，形成板级封装模块；将两个板级封装模块以临时载板朝外的方向...
    2026-04-04
  • 一种芯片扇出封装方法和封装结构
    一种芯片扇出封装方法和封装结构_厦门云天半导体科技有限公司_202511638592.4
    本发明提出一种芯片扇出封装方法和封装结构，将芯片通过贴装层倒装于基板上，用塑封材料包覆所述芯片和所述贴装层远离所述基板的表面，通过激光在所述芯片远离所述基板的一侧的塑封层进行开窗，制备多个散热过孔，在所述散热过孔内填充金属并制备连接各个所述...
    2026-04-04
  • 压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构
    压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构_中国科学院微电子研究所_202610223943.3
    本申请涉及封装散热技术领域，提供一种压电驱动结构的制备方法及三维集成式主动散热结构，制备方法包括以下步骤：S1、选取绝缘体上硅作为衬底，并对衬底进行清洗；S2、在清洗后的衬底上依次形成绝缘层、过渡层、下电极层、压电薄膜层和上电极层，构成压电...
    2026-04-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511883042.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，晶圆具有沿晶圆的厚度方向相对的第一表面和第二表面；在晶圆内形成第一通孔，第一通孔由晶圆的第一表面向第二表面方向延伸但未贯穿晶圆的第二表面；形成覆盖第一通孔侧壁...
    2026-04-04
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