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最新专利技术
  • 一种负氧离子发生器
    一种负氧离子发生器_南京青境环保科技有限公司_202610073802.8
    本发明公开了一种负氧离子发生器，属于发生器技术领域，包括机身以及安装在机身上的旋转组件，机身上安装有进气组件，机身的内部安装有负氧离子发生器本体，机身上滑动安装有密封调节板，密封调节板上安装有第一连接杆。本发明通过设置电机，电机启动带动第一...
    2026-04-28
  • 360度环形封装的激光阵列
    360度环形封装的激光阵列_杭州昆元量子科技有限公司_202610227035.1
    本发明提供一种360度环形封装的激光阵列，涉及光学器件技术领域，通过将激光巴条组件的导热绝缘基座均匀固定在圆柱型底座，可以使激光阵列输出的激光的光斑完全覆盖激光阵列周围360度的区域范围，从而实现在一个平面内360度无死角的激光输出效果。而...
    2026-04-28
  • 激光器组件及激光投影装置
    激光器组件及激光投影装置_青岛海信激光显示股份有限公司_202411333414.6
    本申请涉及一种激光器组件及激光投影装置。激光器组件包括安装基板、发光单元和焊料层，发光单元通过焊料层与安装基板焊接；其中，发光单元包括底板、管壳和多个发光芯片，底板和管壳围合形成容置空间，多个发光芯片贴装于底板上，且位于容置空间内；焊料层包...
    2026-04-28
  • 半导体激光器及其制备方法
    半导体激光器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511995313.X
    本发明涉及激光技术领域，尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法，包括从上自下依次层叠的P型金属电极层、绝缘层、P型盖层、P型包层、P型波导层、有源区层、N型波导层、N型包层和N型金属电极层；所述P型波导层上形成脊波导结构，所述P型波导层上还包...
    2026-04-28
  • 垂直腔面发射激光器
    垂直腔面发射激光器_中国科学院半导体研究所_202511974160.0
    本公开提供了一种垂直腔面发射激光器，包括谐振腔以及设于谐振腔中的有源区。有源区包括沿着光发射方向设置的多个多量子阱以及设于相邻多量子阱之间的中间层。相邻多量子阱之间的中间层具有一种导电类型。
    2026-04-28
  • 发光元件及其制造方法
    发光元件及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411735365.9
    本发明涉及发光元件及其制造方法，发光元件包含一外延层、一第一接触电极、一肖特基界面、一第一金属垫、一第二接触电极以及一第二金属垫。外延层具有一沟槽，将外延层纵向分割为彼此分离的一第一区域及一第二区域。第一接触电极设置于外延层之上，且包含一开...
    2026-04-28
  • 一种光电限制增强的高效率光子晶体面发射激光器
    一种光电限制增强的高效率光子晶体面发射激光器_吉光半导体科技有限公司_202512015352.5
    本发明提出一种光电限制增强的高效率光子晶体面发射激光器，属于半导体激光器技术领域，包括衬底，由下至上外延生长的N型缓冲层、N型包层、N型限制层、有源区、P型限制层、光子晶体层、电流阻挡层，二次外延生长的P型包层、P型分布式布拉格反射层和P型...
    2026-04-28
  • 一种基于紧凑耦合结构的高功率窄线宽外腔半导体激光器
    一种基于紧凑耦合结构的高功率窄线宽外腔半导体激光器_合肥国家实验室_202512029242.4
    本申请提供了一种基于紧凑耦合结构的高功率窄线宽外腔半导体激光器，属于半导体激光器技术领域；解决了现有激光器存在的系统复杂、体积庞大、耦合效率低以及成本高昂的问题；该外腔半导体激光器，包括单频种子激光芯片和锥形放大器芯片，单频种子激光芯片和锥...
    2026-04-28
  • 光电混合集成式垂直外腔面发射半导体激光器
    光电混合集成式垂直外腔面发射半导体激光器_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202610219505.X
    本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种光电混合集成式垂直外腔面发射半导体激光器，包括泵浦芯片和位于泵浦芯片之上的增益芯片；其中，泵浦芯片为电泵浦结构，用于产生泵浦光；增益芯片为光泵浦结构，用于吸收泵浦光并产生目标波段的输出激光；泵浦芯片与...
    2026-04-28
  • 用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法
    用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法_成都鸿辰光子半导体科技有限公司_202610216835.3
    本发明公开了一种能够降低激光器阈值电流、同时能够大幅度提升器件一致性且工艺兼容性强的用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法。该方法通过在顶部包层生长埋层之后，引入一个选择性的扩Zn处理工艺步骤，通过该扩散步骤来形成的高浓度p型区，与金属电...
    2026-04-28
  • 一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法
    一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法_山东省科学院激光研究所_202610209055.6
    本申请涉及芯片制备技术领域，并提供一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法。制备方法包括：在衬底上生长成核层；生长超晶格结构；依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱、p型电子阻挡层和p型扩展接触层；原位退火；在p型扩展接触层上刻蚀图形化凹槽，...
    2026-04-28
  • 双波长激光器
    双波长激光器_杭州昆元量子科技有限公司_202610227153.2
    本发明提供一种双波长激光器，涉及激光器技术领域，有源层的材料在阈值载流子浓度达到目标载流子浓度时存在两个波长的峰值增益，且所述两个波长的峰值增益的差值小于预设阈值，使有源层可以稳定激射出对应于峰值增益的两个波长的激光，进而使双波长激光器可以...
    2026-04-28
  • 一种基于有源梯形多模干涉耦合器的双波长半导体激光器及其制备方法
    一种基于有源梯形多模干涉耦合器的双波长半导体激光器及其制备方法_长春理工大学_202511968057.5
    本发明提供了一种基于有源梯形多模干涉耦合器的双波长半导体激光器及其制备方法，该双波长半导体激光器包括大尺寸有源梯形多模干涉耦合器；两个输入波导，连接于大尺寸有源梯形多模干涉耦合器的输入端；一个输出波导，连接于大尺寸有源梯形多模干涉耦合器的输...
    2026-04-28
  • 基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器
    基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器_西南技术物理研究所_202511960363.4
    本发明属于半导体激光器技术领域，公开了一种基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器，包括衬底层(2)和依次形成在其上方的缓冲层(3)、下限制层(4)、下波导层(5)、多量子阱层(6)、上波导层(7)、光栅层(8)、盖层(9)、接触层...
    2026-04-28
  • 一种电泵浦悬浮多边形微盘激光器及其制备方法
    一种电泵浦悬浮多边形微盘激光器及其制备方法_南京信息职业技术学院_202511899641.X
    本发明公开了一种电泵浦悬浮多边形微盘激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域；该激光器以硅基LED外延片为载体，包括自下而上依次设置的硅衬底层、AlGaN缓冲层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层，以及设置在p型氮化镓层上的p型电极和...
    2026-04-28
  • 一种悬浮多边形GaN微盘激光器及其制备方法
    一种悬浮多边形GaN微盘激光器及其制备方法_南京信息职业技术学院_202511898809.5
    本发明公开了一种悬浮多边形GaN微盘激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域；该激光器包括制作在衬底上的多边形谐振腔和输出波导，多边形谐振腔的每个顶角或不相邻的两个顶角分别连接输出波导；多边形谐振腔可为正四边形、正六边形或正八边形谐振腔；制...
    2026-04-28
  • 一种用于CPT磁强计的激光频率稳定的方法与设备
    一种用于CPT磁强计的激光频率稳定的方法与设备_浙江莫干山地磁大科学装置研究院_202511974752.2
    本发明涉及一种原子磁共振测量装置，特别是一种用于CPT磁强计的激光频率稳定的方法与设备。包括：先将激光器输出频率初步调节至碱金属原子的CPT共振频率附近，施加轴向磁场后，把激光整形为包含左旋与右旋圆偏振分量的光束并入射原子气室；双通道探测器...
    2026-04-28
  • 一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法
    一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法_浙江华辰芯光技术有限公司_202512001054.0
    本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种高功率单横模的边发射半导体激光器及制备方法。包括芯片结构，芯片结构包括外延层、欧姆接触层和P面电极，芯片结构包括前腔面和后腔面，P面电极上设有去除镀金层的限制结构，限制结构对称分布于欧姆接触层...
    2026-04-28
  • 一种PtAu-TiAu-PtAu多层膜电极及其制备方法
    一种PtAu-TiAu-PtAu多层膜电极及其制备方法_湖北光安伦芯片有限公司_202511652083.7
    本发明提供了一种PtAu‑TiAu‑PtAu多层膜电极及其制备方法，该方法包括如下步骤：S1、在晶圆的电极光刻图形区生长PtAu底层；S2、在S1中晶圆的表面整面生长TiAu种子层；S3、在S2中晶圆的电极光刻图形区生长PtAu表层；S4、...
    2026-04-28
  • 一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法
    一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202512011483.6
    本发明属于半导体激光器制造技术领域，具体涉及一种修复半导体激光器芯片腔面上的ZnSe钝化膜斑点微缺陷的方法，其核心步骤包括：将带有斑点缺陷的ZnSe钝化膜芯片固定于干燥洁净的高温承载托板并置于加热炉；通入惰性气体置换炉内空气；在持续惰性气氛...
    2026-04-28
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