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最新专利技术
  • 一种变电站用防火封堵装置
    一种变电站用防火封堵装置_沧州博卓瑞鑫电子机箱设备有限公司_202511916500.4
    本申请公开了一种变电站用防火封堵装置，属于防火封堵装置技术领域，包括：防火门；门框，所述门框设置在防火门的上端；所述防火门的内部开设有储水腔与安装槽，所述安装槽的内部固定连接有安装框，所述安装框的内部设置有膨胀气囊与活动板，所述活动板的上端...
    2026-04-25
  • 一种应急用移动式中压发电车快速接入箱
    一种应急用移动式中压发电车快速接入箱_国网四川省电力公司成都供电公司_202610139518.6
    本发明公开了应用于发电车接入箱领域的一种应急用移动式中压发电车快速接入箱，通过在配电单元与电缆之间设置保护单元与固定单元，在配电单元和电缆的连接处瞬间受到强大的外力拉扯时，用于固定的锁定翼块会首先断裂，使得配电单元与电缆之间的固定失效，在外...
    2026-04-25
  • 一种高压配电柜接地开关装置
    一种高压配电柜接地开关装置_山东宝光电器有限公司_202511720091.0
    本发明属于智能电网技术领域，具体公开了一种高压配电柜接地开关装置，包括设在高压配电柜内的隔板和支架，高压配电柜包括柜体和与柜体转动连接的柜门，支架位于隔板的下方，支架的顶部固定安装有绝缘子，绝缘子的顶部固定安装有静触，静触的底部设置有动触，...
    2026-04-25
  • 离子发生装置以及电子设备
    离子发生装置以及电子设备_夏普株式会社_202510972545.7
    提供一种使离子的发生量增加的离子发生装置以及电子设备。离子发生装置包括：感应电极；放电电极，其通过与所述感应电极之间的电位差来产生放电；以及绝缘物，其覆盖所述感应电极；所述放电电极具有露出部，所述露出部向外部露出，所述感应电极被配置在比所述...
    2026-04-25
  • 一种房屋建筑用防雷系统
    一种房屋建筑用防雷系统_深圳市科安技术有限公司_202610061163.3
    本发明涉及防雷系统的技术领域，尤其是涉及一种房屋建筑用防雷系统，包括：接闪单元，至少设有一组，其包括接闪杆、连接座以及安装座，安装座作为固定基准，连接座固定安装于安装座上端，连接座上设置有若干插接端口，相邻的接闪单元可通过插接端口连接，接闪...
    2026-04-25
  • 一种光源、直接半导体激光器和光纤激光器
    一种光源、直接半导体激光器和光纤激光器_华为技术有限公司_202411218759.7
    本申请实施例公开了一种光源、直接半导体激光器和光纤激光器。光源中N个第一发光模块沿第一方向排列，第一发光模块发射的第一光束的慢轴所在方向为第一方向，N个第一发光模块采用COS封装。考虑到第一光束的慢轴比快轴要长，如果多个第一光束形成的光斑是...
    2026-04-25
  • 一种适用于电驱动的高限制因子GaN微盘激光器
    一种适用于电驱动的高限制因子GaN微盘激光器_安徽大学_202511857494.X
    本发明公开了一种适用于电驱动的高限制因子GaN微盘激光器，基于硅衬底GaN所用的外延片制备得到，该外延片的结构为：衬底层、AlGaN缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、n+GaN层、u‑GaN层、量子阱、p‑GaN层；所述n+GaN层为均匀...
    2026-04-25
  • 一种2微米波段砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区结构及其制备方法
    一种2微米波段砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区结构及其制备方法_湖南汇思光电科技有限公司_202511787979.6
    本发明公开了一种2微米波段砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区结构及其制备方法。包括：提供磷化铟衬底并高温处理其表面；依次外延生长与磷化铟晶格匹配的铟铝砷层、铟铝镓砷层和作为量子点生长基底层的铟镓砷层；在基底上生长多周期量子点有源层，每个周期包...
    2026-04-25
  • 一种半导体激光器及其制备方法
    一种半导体激光器及其制备方法_无锡华兴光电研究有限公司_202511601534.4
    本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，可用于半导体器件制备领域，该方法中，首先，提供第一导电类型衬底；而后，在衬底上依次外延生长第一导电类型的缓冲层、下光波导限制层、量子阱有源发光层、上光波导限制层、腐蚀阻挡层和电流注入层，以及本征欧姆...
    2026-04-25
  • 一种高速EML激光器芯片的制备方法
    一种高速EML激光器芯片的制备方法_江苏索尔思通信科技有限公司_202511858815.8
    本发明涉及一种高速EML激光器芯片的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括S1，在外延片上沉积二氧化硅薄膜；S2，在外延片上匀涂光刻胶，利用曝光机进行光刻，并在光刻步骤中同时定义浅刻蚀波导的图案和深刻蚀波导的图案，曝光并在外延片的上表面形成...
    2026-04-25
  • 发光芯片、全彩发光结构及其制造方法
    发光芯片、全彩发光结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411869090.8
    本发明提供一种发光芯片、全彩发光结构及其制造方法，其中，发光芯片包含一覆晶型外延半导体结构及一倍频衬底。覆晶型外延半导体结构输出一光线，该光线具有一波长。倍频衬底贴合于覆晶型外延半导体结构上，使光线通过倍频衬底后被转换而实质减少其二分之一的...
    2026-04-25
  • 垂直腔面发射激光器及其制造方法
    垂直腔面发射激光器及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202411652627.5
    本申请公开一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，涉及半导体技术领域，主要目的是减少外部寄生，提高垂直腔面发射激光器的寄生截止频率。本申请的主要技术方案为：该垂直腔面发射激光器包括：衬底；位于所述衬底一侧的接触层；位于所述接触层背离所述衬底一侧...
    2026-04-25
  • 垂直腔面发射激光器中的梯度金属氧化物层
    垂直腔面发射激光器中的梯度金属氧化物层_II-VI特拉华股份有限公司_202411534893.8
    本公开涉及垂直腔面发射激光器中的梯度金属氧化物层。公开了垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括半导体层的堆叠，其包括：底部分布式布拉格反射器(DBR)；腔层；电流限制层；和顶部DBR。所述顶部DBR包含多对交替层，交替层具有不同折射率，其中所...
    2026-04-25
  • 一种三维非对称光子晶体激光器及制备方法
    一种三维非对称光子晶体激光器及制备方法_北京工业大学_202511819771.8
    本发明公开了一种三维非对称光子晶体激光器及制备方法，其外延结构包括自上而下依次设置的N型电极、N型InP衬底、N型Alx1In1‑x1As上限制层、量子阱有源区、P型Aly1In1‑y1As电子阻挡层、P型Gaz1In1‑z1Asz2P1‑...
    2026-04-25
  • 激光锁频装置及方法
    激光锁频装置及方法_张江国家实验室_202411232263.5
    本公开提供一种激光锁频装置及方法，通过将自注入锁定技术引入可调谐激光器，以全光学反馈方式在宽调谐范围内实现激光锁频，无需外接反馈控制电路，能够实现小型化封装，并且能够压窄激光线宽，抑制低频噪声，还能够提高信道切换速度。包括：激光器，输出波长...
    2026-04-25
  • 半导体激光器及光模块
    半导体激光器及光模块_泉州市三安光通讯科技有限公司_202511656892.5
    本发明实施例提供了一种半导体激光器及光模块。半导体激光器包括半导体层、第一电极、介质层以及第二电极。半导体层具有电吸收调制区，半导体层的顶部形成有脊波导结构。第一电极设于脊波导结构的顶部，且与脊波导结构形成欧姆接触。介质层设于脊波导结构的至...
    2026-04-25
  • 驱动电路、激励电路、激光发射电路、激光雷达，及载具
    驱动电路、激励电路、激光发射电路、激光雷达，及载具_上海禾赛科技有限公司_202411259746.4
    本公开提供一种驱动电路、激励电路、激光发射电路、激光雷达，及载具。驱动电路，包括驱动器、第一稳压电路和补偿电路，其中：驱动器包括控制端、第一输入端、第二输入端和输出端，控制端被配置为耦接控制信号，第一输入端被配置为耦接被驱动电路的第一反馈信...
    2026-04-25
  • 一种利用原子层加工技术提高光学微腔光学性能的方法
    一种利用原子层加工技术提高光学微腔光学性能的方法_复旦大学义乌研究院_202511580766.6
    本发明公开了一种利用原子层加工技术提高光学微腔光学性能的方法，先在硅衬底上依次沉积牺牲层、保护层、应力释放层和功能层，对其进行图案化处理并刻蚀出lobe图形后制作介质钝化层；随后进行图案化处理打开窗口，选择性刻蚀去掉牺牲层，保护层、应力释放...
    2026-04-25
  • 一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法
    一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法_上海曜感科技有限公司_202511864505.7
    本发明公开了一种VCSEL晶圆异构集成系统芯片及其制造方法，包括：母芯晶圆和倒扣在母芯晶圆上的VCSEL芯粒，VCSEL芯粒的顶面键合在母芯晶圆的上表面，顶电极和互连电极垂直对应互连；其中，VCSEL芯粒顶面设置有透光区和顶电极；底面设置有...
    2026-04-25
  • 一种基于光环形器的片上全集成环形腔激光器
    一种基于光环形器的片上全集成环形腔激光器_浙江大学嘉兴研究院_202511666597.8
    本发明公开了一种基于光环形器的片上全集成环形腔激光器，包括反射式增益芯片RSOA和外腔芯片，反射式增益芯片RSOA包括自底向上依次包含衬底层、埋氧层、增益介质层、以及位于顶部与增益介质直接接触的金属层；金属层包括位于反射式增益芯片RSOA顶...
    2026-04-25
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