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  • 本发明属于功能性纺织材料技术领域。提供了一种功能纱线,包括:水热法合成稀土铈Ce3+3+掺杂的金红石型纳米TiO22粉体,纺丝母粒制备,纺丝、假捻加工,得到。该面料对紫外线(UV)具有选择性吸收特性,可高效阻隔UVA波段(315–400 n...
  • 本发明提供一种共聚改性阻燃高强聚酰胺66纤维及其制备方法,将含吡啶杂环酰胺盐、芳香族结构酰胺盐、尼龙66盐和去离子水加入聚合釜中作为反应体系,在惰性气体气氛下调控反应体系的温度和压力进行阶段式反应得到共聚改性聚酰胺66切片;将共聚改性聚酰胺...
  • 本发明涉及凝胶纤维技术领域,具体涉及一种内外异质芳纶多孔纤维及制备方法。通过对芳纶Ⅲ纤维去质子化,使纤维表面带负电荷,再通过含质子酸的凝固浴改变纳米纤维的组装动力学,诱导多级结构组装,形成“壳层多孔、芯层致密”的多级孔结构,提高芳纶气凝胶纤...
  • 本发明公开了一种洁净高白度无氯漂粘胶纤维的制备方法,包括以下步骤:制备粘胶纺丝原液、粘胶纺丝及粘胶纤维后处理;制备粘胶纺丝原液中选择无氯漂溶解木浆浆粕为原料;粘胶纤维后处理是将从绒毛槽出来的粘胶短纤绒送入精炼机,经一水洗、脱硫、二水洗、漂白...
  • 本发明提供一种基于低共熔溶剂的废旧棉织物同步脱色与纤维素溶解再生方法,涉及废旧棉织物回收处理技术领域。本发明的方法通过选用特定低共熔溶剂,在30~100℃的工艺条件下,同步实现了棉织物中染料的原位脱色与纤维素氢键网络的高效解离,使脱色与溶解...
  • 本发明提供的一种改性炭黑分散体及其制造方法、应用,包括:N‑甲基吗啉‑N‑氧化物以及分散于其中的改性炭黑,所述改性炭黑通过在炭黑表面接枝磺酸基团得到;所述改性炭黑的接枝结构中,所述磺酸基团的R基为苯环;苯环磺酸基接枝改性炭黑与NMMO溶剂体...
  • 本发明涉及一种网络纤维用双调节导丝装置以及导丝方法,属于纺丝设备技术领域,导丝装置包括:安装底座;固定器,连接于所述安装底座的一侧面,用于将所述安装底座连接于纺丝整机;导丝组件,连接于所述安装底座的另一侧面,包括导丝轮组和导辊组,所述导丝轮...
  • 本发明提供一种抑菌消臭复合短纤维的制备工艺,所述复合短纤维的皮层聚合物中含有抑菌剂,制备工艺包括:在线截取固化后纤维的截面样本;对其进行显色处理,使抑菌剂产生可见色斑;对样本成像并分析图像,生成抑菌剂分布均匀度的实时指数;将该指数与目标区间...
  • 本发明属于纺丝机技术领域,尤其为一种超细纤维清洁布生产用纤维熔融纺丝机,包括混料机构、旋送料机构、传送带和夹持辊组,所述混料机构的下方设置有螺旋送料机构,所述混料机构和螺旋送料机构之间通过下料口固接,所述螺旋送料机构包括送料箱,所述送料箱末...
  • 本发明涉及一种产物沉积范围可控的阵列离化装置及其使用方法,阵列离化装置包括接收装置、离化物质发生装置和液面干扰装置;液面干扰装置包括平面圆周运动装置、竖直伸缩运动装置和干扰部件,干扰部件为非金属棒,其一端与活动杆的顶部铰接,另一端搭接于碟形...
  • 本发明涉及一种快速脱胶工艺以及高效获取再生丝素蛋白的制备方法,包括如下步骤:(1)将碳酸钠溶于去离子水中,加热煮沸后,放入蚕丝;(2)处理后的蚕丝进行超声处理,放置在烘箱中,烘干蚕丝至恒重,获得脱胶后蚕丝;(3)将脱胶的蚕丝放入氯化钙、水、...
  • 本发明公开了工业大麻纤维的酶促生物脱胶方法,涉及工业大麻纤维脱胶领域,该工业大麻纤维的酶促生物脱胶方法,通过白腐菌自产MnP酶,并添加藜芦醇作为介体,二者形成氧化还原循环,能够高效降解工业大麻原麻中的木质素‑半纤维素复合物等胶质成分。相较于...
  • 本申请提供了感染性疾病的检测和预测。具体地,本申请提供了核酸文库的片段长度谱、生成核酸文库的片段长度谱的方法以及使用片段长度谱进行诊断和/或预后的方法。本申请进一步提供了用于确定受试者的感染阶段或定位位点的方法、组合物和试剂盒。
  • 本申请提供了一种半导体晶锭的激光改质方法及装置,包括:确定半导体晶锭的小面区域;对半导体晶锭处于预设深度位置的材料层进行激光改质处理,包括:基于第一激光参数对小面区域内的材料层进行处理,基于第二激光参数对非小面区域内的材料层进行处理;第一激...
  • 本发明属于新型材料领域,公开了一种非晶态的晶须材料及其制备方法,所述的方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑Ga‑Si合金‑扩散热处理‑ZnCl22熔盐腐蚀。将Fe‑Cr‑B铸钢进行热浸镀Al‑Ga‑Si合金‑扩散热处理,进而在(Cr, Fe...
  • 本发明涉及非线性光学材料领域,公开了一种混合键合异硫氰酸盐非线性光学晶体及其制备方法,制备方法包括以下步骤:将锌源溶解于去离子水中得到锌源溶液,将硫源溶解于去离子水中得到硫源溶液;将溶液混合并加热搅拌以形成[SZn44]共价核心前驱体悬浮液...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种用于提升GaAs外延层均匀性的温度振荡生长方法,将GaAs衬底置于MOCVD反应室中进行氢气气氛热清洁;设定目标生长温度、气体流量及反应室压力等工艺参数;设定围绕目标生长温度进行周期性振荡的振幅与周...
  • 本发明提供一种金属催化剂辅助碳源裂解的高温气相化学长晶方法及设备,长晶方法中制备高效的碳源催化裂解的金属催化剂,可以降低碳裂解温度,提高碳裂解效率,使得碳源与硅源气体同时裂解,降低能耗,提高晶体生长质量;同时在长晶设备设置独立的硅源进气通道...
  • 本发明提供了一种钛酸锶单晶颗粒及其制备方法与应用。所述钛酸锶单晶颗粒的暴露晶面包括(100)晶面和(111)晶面;且所述钛酸锶单晶颗粒呈锥形多面体结构。本发明提供的钛酸锶单晶颗粒呈锥形多面体结构,暴露晶面只有(100)晶面和(111)晶面,...
  • 本发明申请属于半导体材料制备技术领域,特别涉及一种锡掺杂氧化镓单晶材料的制备方法。该方法包括烧结工序、装料工序、长晶工序和冷却工序,通过分段烧结的工艺以及优化掺杂成分的控制,最大程度解决了氧化锡的挥发以及包裹、粉料间团聚等问题,确保锡元素在...
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