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  • 一种用于制造涂覆钢板的方法,包括以下步骤:a.提供钢板(10),b.通过酸洗对所述钢板进行除氧化皮,c.将除氧化皮的所述钢板供给到高于大气压的加压室(3)中,所述加压室包括入口(2),并且经由至少一个密封锁(20)连接至至少一个真空沉积室(...
  • 本发明涉及语音通讯技术领域,公开了语音网关的智能呼叫分配系统及方法,其中语音网关的智能呼叫分配方法包括:将性能数据和节点健康度封装为负载指纹;生成容量令牌,语音网关建立令牌池;利用率预测模型预测利用率,调度评分模型计算综合调度评分;基于候选...
  • 本发明涉及起重机技术领域,尤其涉及一种大吨位集装箱吊装起重机及其吊装方法,包括行车与用于吊装方箱的起吊器,行车上设置有:直角承重支架固定设置于行车上;第一牵引机构通过直角承重支架设置于行车上,且第一牵引机构用于省力式牵引起吊器竖直升降;第二...
  • 一种用于生产正己烷的方法,其包括以下步骤:a)在包括至少一个异构化反应器的异构化单元中生产异构体料流,并且优选是稳定的异构体料流,b)将在步骤a)中产生的异构体料流进料到分隔壁蒸馏塔中并对其进行蒸馏,c)从分隔壁蒸馏塔中取出四个独立的料流,...
  • 本发明提供一种可解决针对用于对要安装的零件进行加热的加热器而产生的重量增加等问题的安装装置。安装装置(21)包括:固定单元(U1);以及移动单元(U2),以能够沿相对于基板(102)进退移动的方向移动的方式保持在固定单元(U1),固定单元(...
  • 集成电路(IC)封装构思,包括在主管芯的端子之间将辅助管芯附接至主管芯。辅助管芯可以包括一个或更多个电容器和/或电感器以及有源电路系统(包括例如垂直型FET)。一些实施方式中,多于一个的辅助IC可以(直接或间接)附接至主IC。与常规的并排布...
  • 接合装置将多个裸芯片接合于基板。所述接合装置具备:载体保持部,其将安装有多个所述裸芯片的载体保持为水平;基板保持部,其将所述基板保持为水平;基板移动部,其使所述基板与所述基板保持部一起移动,以改变所述裸芯片相对于所述基板的接合位置;第1输送...
  • 根据实施方案的电路板包括:绝缘层;设置在绝缘层上的保护层;和穿过保护层的凸块部分,其中,保护层的上表面具有朝向保护层的下表面凹入的凹面,保护层在凹面的最下端处的厚度是凸块部分的厚度的1/2或更小,凸块部分包括多个凸块,凹面设置在多个凸块之间...
  • 一种电子装置,其能够提高内置于以多种姿态设置的电子装置中的加热元件的冷却能力。热管(50)包括与散热器(61、62)连接的散热部(51)和与热传递构件(70)接触的外表面(53),并且包括管下部(52),当装置主体(11)处于竖直姿态时,管...
  • 一种具有冷却体元件(1)的功率模块(10),所述功率模块包括:‑陶瓷元件(25),‑构件金属化部(20),和‑冷却体元件(1),其中陶瓷元件(25)、构件金属化部(20)和冷却体元件(1)基本上分别沿着平行于主延伸平面(HSE)伸展的平面延...
  • 一种电子器件(11, 21, 31),包括:(i)第一集成电路(IC)裸片和第二IC裸片(44, 33),该第一IC裸片和第二IC裸片彼此邻近地共同位于衬底(32)的表面上;(ii)散热器(12),该散热器被设置在第一IC裸片和第二IC裸片...
  • 本发明涉及一种用于制造具有散热器(2)的半导体组件(24)的方法。为了降低制造成本,提出下述步骤:提供散热器(2),该散热器由第一金属材料制成,借助于热喷涂法来涂覆(A)与第一金属材料不同的第二金属材料,以在散热器(2)的至少一个、尤其是平...
  • 在通过添加含卤素活化剂分子(例如,烷基卤化物、卤代硅烷或I22)调节的沉积处理中,将含金属膜(例如钼和钼碳化物膜)沉积在半导体衬底上。在一些实现方案中,使衬底先与含金属前体(例如,MoCl55)接触,随后与含卤素活化剂(例如,叔丁基氯化物)...
  • 用于检查样品的系统和方法。系统和方法可以包括确定样品上的多个位置,每个位置对应于视场(FOV)中样品上的检查特征;将一个或多个带电粒子束提供给样品,每个带电粒子束被提供给多个位置中的对应位置;针对每个位置,检测由对应位置的充电引起的一个或多...
  • 本发明涉及沉积系统的基板搬运系统,涉及包括基板输送机器人以及具有与该基板输送机器人对应的结构的基板支撑部的基板搬运系统,基板输送机器人用于将基板输送至沉积腔室内进行沉积工艺。根据用于解决问题的本发明的一实施例,基板搬运系统包括:输送机器人,...
  • 提供一种对边缘环进行定位的基板处理装置。基板处理装置具备:静电吸盘,具有基板支撑面和环支撑面,所述环支撑面上具有供升降销插入的第1贯穿孔;边缘环,由所述环支撑面支撑;及筒状部件,插入所述静电吸盘的所述第1贯穿孔,并具有第2贯穿孔,其中,所述...
  • 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可限定基板支撑表面。腔室可包括被支撑在腔室主体顶上的面板。基板支撑件和面板的底表面可至少部分地限定处理区域。面板的底表面可限定位于基板支撑表面的径向外部10%的...
  • 本发明提供了一种将样品装载到样品位置的方法。该方法包括将具有初始电压的样品装载到样品处置器上;当样品在样品处置器上时,使样品的电压从初始电压斜升到预定电压;当样品处于预定电压时,将样品从样品处置器转移到样品保持器的样品位置,其中样品保持器的...
  • 本发明公开高压基板处理装置及方法(HIGH‑PRESSURE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD)。所述高压基板处理装置包括内部腔室、外部腔室、加热模块以及循环模块。所述内部腔室形成为容纳待处...
  • [问题]本发明提供一种在多个基板间的温度偏差小且在各基板表面的干燥均匀地进行的基板干燥装置。[解决手段]一种基板干燥装置(10),具有:处理槽(20),积存处理液(R);第一基板保持机构(30),设置在所述处理槽内,能够对使基板面平行地排列...
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