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最新专利技术
  • 一种纳米线膜红外探测器及其制备方法
    一种纳米线膜红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511624771.2
    本发明公开了一种纳米线膜红外探测器及其制备方法，包括两个隔开放置的Al22O33宝石基底，以及在Al22O33宝石基底上依次设置的Mn‑Co‑Ni‑O纳米线膜、两个电极和两个电极引线，Mn‑Co‑Ni‑O纳米线膜悬空设置在两个Al22O33...
    2026-03-05
  • 一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法
    一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511624315.8
    本发明公开了一种纳米线阵列/薄膜复合型红外探测器及其制备方法，在超薄的Al22O33宝石衬底上依次生长Mn‑Co‑Ni‑O薄膜和Mn‑Co‑Ni‑O纳米线阵列，获得Mn‑Co‑Ni‑O纳米线阵列/薄膜复合结构，然后制备电极并焊接电极引线。本...
    2026-03-05
  • 一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法
    一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法_云南师范大学_202511775250.7
    本申请涉及太阳能光伏组件封装技术领域。本申请提出了一种用于光伏电池片与焊带焊接的背条及其使用方法。背条包括承载基膜、第一功能段、第二功能段，第一功能段和第二功能段分段设置在承载基膜的同一侧，第一功能段与光伏电池片的PAD位置对应，第二功能段...
    2026-03-05
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511752039.3
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括：第一端部焊带朝向第一遮光条的一面设有第一遮挡涂层，第一遮挡涂层覆盖第一间隙区域，且第一遮挡涂层在第一方向的宽度大于第一间隙区域在第一方向的宽度；端部汇...
    2026-03-05
  • 一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法
    一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法_高乐思太阳能科技(无锡)有限公司_202511660769.0
    本发明公开了一种光伏组件用皮肤膜及其制备方法，该光伏组件用皮肤膜包括耐候聚烯烃树脂外层、耐候聚乙烯树脂内层和准分子紫外固化层，准分子紫外固化层位于靠近焊带的一侧。本发明在靠近焊带一侧设置准分子紫外固化层，交联固化深度0.5‑3µm，整体硬度...
    2026-03-05
  • 一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件
    一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件_苏州晨晖智能设备有限公司_202610056353.6
    本发明公开了一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件。该片组包括从基圆硅片中部截取的矩形硅片和从矩形硅片的四周对称截取的、轴对称的非矩形多边形硅片，矩形硅片的截取尺寸，依据基圆硅片空位型点缺陷密度CVV和自间隙型点缺陷密度CII的分布...
    2026-03-05
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511695099.6
    本申请涉及太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅基底、设置在硅基底正面的第一本征硅层、隧穿层、第一掺杂硅层和第一电极，以及设置在硅基底背面的第二本征硅层、第二掺杂硅层和第二电极；其中，正面具有交替设置的电极区和非电极区，电极区朝...
    2026-03-05
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610039508.5
    本申请涉及光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池包括硅衬底、掺杂区和第一电极；硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括第一区域和第二区域；掺杂区位于第一区域内的第一表面内，掺杂区的掺杂浓度为1.2×102020cm‑3...
    2026-03-05
  • 一种背接触电池及其制备方法
    一种背接触电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511803096.X
    本发明公开了一种背接触电池及其制备方法，应用于光伏电池领域，包括电池基底；在第一方向上，背接触电池的背面包括交替分布的第一区域和第二区域，在第二方向上，第一区域从内向外设置有层叠的第一型结构和第二型结构，第一型结构和第二型结构之间分布有第一...
    2026-03-05
  • 一种背接触电池及制备方法
    一种背接触电池及制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511803076.2
    本发明公开了一种背接触电池及制备方法，应用于光伏电池领域，电池包括电池基底；在第一方向上，电池基底的背表面具有交替布置的第一区域和第二区域，第一区域设置有第一型结构，第二区域设置有第二型结构；在在第二方向上，第一区域与第二区域之间部分层叠的...
    2026-03-05
  • 一种中间带隙光伏电池及其制备方法
    一种中间带隙光伏电池及其制备方法_上海隆宇芯航能源科技有限公司_202511670925.1
    本发明涉及一种中间带隙光伏电池及其制备方法，所述光伏电池为多层结构，包括吸收层、集电极，发射极、前后窗口层；所述吸收层为具有中间带隙的吸收层；所述制备方法包括生长吸收层；在生长吸收层时，通过掺杂或量子点方式形成中间带隙。设计合理，构思巧妙，...
    2026-03-05
  • 静电防护器件结构及其制备方法
    静电防护器件结构及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511571936.4
    本发明提供一种静电防护器件结构及其制备方法，在该器件结构中，通过在降容器件结构与衬底之间设置隔离埋层能够使得降容器件结构与衬底之间的寄生电容减小，从而使得该静电防护器件结构的总体电容减小，进而，降低其对被高速信号的干扰，以确保信号完整性。
    2026-03-05
  • 瞬态电压抑制器与制作方法
    瞬态电压抑制器与制作方法_汎星半导体股份有限公司_202510700662.8
    本发明公开了一种瞬态电压抑制器与制作方法，其包含：一第一瞬态电压抑制单元，在一第一基板区域上形成且具有一第一对外端与一第一连接端；一第二瞬态电压抑制单元，在一第二基板区域上形成且具有一第二对外端与一第二连接端；以及一连接路径，其至少部分不在...
    2026-03-05
  • 一种半导体器件和版图优化方法
    一种半导体器件和版图优化方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511291609.3
    一种半导体器件和版图优化方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区上方形成有栅极结构；形成于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于定义所述有源区；形成在所述浅沟槽隔离结构中的第一伪有源区...
    2026-03-05
  • 集成电路(IC)
    集成电路(IC)_三星电子株式会社_202510798681.9
    一种集成电路(IC)包括：多个第一层，其在第一方向上延伸并在与第一方向垂直的第二方向上设置；以及第二层，其包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一单元层、以及连接到第一单元层并在相对于第一方向与第三方向对称的第四方向上延伸的第二...
    2026-03-05
  • 集成器件以及集成器件的制备方法
    集成器件以及集成器件的制备方法_北京京东方光电科技有限公司_202411096517.5
    本申请公开了一种集成器件以及集成器件的制备方法，该集成器件包括基板、以及设置在基板第一侧的至少一个第一电容结构与至少一个第一电感结构，其中，第一侧设置有凹槽；第一电容结构连续设置在凹槽的底部和侧壁上；第一电容结构的电容值与第一电容结构在凹槽...
    2026-03-05
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411342037.2
    本申请提供一种半导体装置及其制造方法，该方法包括形成介电材料叠层于基板上方，此基板具有阵列区及周边区；在介电材料叠层中形成多个电容结构的容置孔；以及形成电容结构于此些容置孔中，且电容结构包括多个储存电容位于阵列区中，其中各储存电容在介电材料...
    2026-03-05
  • 电子装置
    电子装置_三星显示有限公司_202511090465.5
    电子装置包括级。级包括：节点控制电路；第一晶体管，连接在第一电力线和第一输出节点之间；第一电容器，连接在第一晶体管的栅电极和第一输出节点之间；第二晶体管，连接在第一时钟线和第二输出节点之间；第二电容器，连接在第二晶体管的栅电极和第二输出节点...
    2026-03-05
  • 一种阵列式传感器及其制造方法
    一种阵列式传感器及其制造方法_上海濮洋技术有限公司_202411078573.6
    本发明提供了一种阵列式传感器及其制造方法，所述方法包括：提供基板；在基板上形成层间介质层，以及位于层间介质层内的TFT和第一电容的第一极板，其中，所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层上形成第一电容的第二极板；在所述第一...
    2026-03-05
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511371538.8
    提供一种方法，包括提供具有用于n型场效晶体管(nFETs)的N型区和用于p型场效晶体管(pFETs)的P型区的基板；在N型区和P型区形成栅极介电层以包绕垂直堆叠的通道；将栅极介电层于N型区的第一部分进行偶极处理，而栅极介电层于P型区的第二部...
    2026-03-05
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