Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 气体供应系统
    气体供应系统_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511541558.5
    本发明的气体供应系统配备有气罐装置，该气罐装置具有将处理气体供应到处理室的气动阀，和通过向所述气动阀供应或停止阀致动气体的流来打开或关闭所述气动阀的电磁阀；和控制电磁阀的致动的气体供应控制装置。另外，所述气体供应控制装置包括主控制器，其在正...
    2026-04-20
  • 一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法
    一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法_西安近代化学研究所_202511464660.X
    本发明提供了一种原位激光辅助沉积晶态氧化镓薄膜的制备方法，该方法包括X个晶态氧化镓薄膜生长周期；每个晶态氧化镓薄膜生长周期包括执行x次氧化镓原子层沉积工艺及y次原位激光退火工艺。氧化镓原子层沉积工艺的反应室温度为300℃。晶态氧化镓薄膜的厚...
    2026-04-20
  • 一种无定形纳米薄膜的晶化方法
    一种无定形纳米薄膜的晶化方法_西安近代化学研究所_202511464655.9
    本发明提供了一种无定形纳米薄膜的晶化方法，该方法首先采用原子层沉积法在反应腔内沉积无定形纳米薄膜，再对无定形纳米薄膜的表面进行高能激光退火处理，将无定形纳米薄膜中的无定形非晶态转变为晶态，制得晶态纳米薄膜。本发明的方法通过在ALD沉积后引入...
    2026-04-20
  • 用于处理腔室的涂覆材料
    用于处理腔室的涂覆材料_应用材料公司_202511409485.4
    本发明涉及用于处理腔室的涂覆材料。本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时，流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基...
    2026-04-20
  • 一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备
    一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511751443.9
    本申请涉及一种可移动的抽气结构、薄膜沉积设备，该抽气结构包括：侧抽气通道，设置在反应腔室的侧部；设置于所述侧抽气通道内的侧抽气环，所述侧抽气环安装在反应腔室的喷淋头下方；底抽气环，安装在底抽气通道的顶部，所述底抽气通道设置在所述反应腔室的底...
    2026-04-20
  • 抽气装置及半导体加工设备
    抽气装置及半导体加工设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511727778.7
    本发明提供了抽气装置及半导体加工设备。所述抽气装置包括行程开关、旁路及控制器。所述行程开关设于工艺腔室的腔盖处，用于在所述腔盖开启时，获取指示所述腔盖开启的第一信号。所述旁路的一端连接于所述工艺腔室及一热阱之间，而其另一端连接于所述热阱与一...
    2026-04-20
  • 一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法
    一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法_湖北大学_202511709702.1
    本发明提供一种基于二乙酸二丁基锡前驱体的化学气相沉积制备氧化锡薄膜的方法，具体采用二乙酸二丁基锡(DBTAC)作为前驱体，在化学气相沉积反应系统中，以高纯氧气(O₂)作为载气和反应气体，在蓝宝石衬底上生长透明SnO₂外延薄膜。方法包括：(1...
    2026-04-20
  • 一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层
    一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层_铠欣半导体(苏州)有限公司_202511639044.3
    本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层。该方法在1000~1300℃、5~15kPa的条件下，在通入含硅碳前驱体和氢气的同时，连续通入0.05~2%的氯气，并利用电感耦合等离子体光发射光谱仪(I...
    2026-04-20
  • 工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法
    工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法_电子科技大学_202511726814.8
    本发明提供一种工业级规模的石墨烯薄膜超快卷对卷沉积方法，包括：将CVD设备内部抽为真空状态后充入预处理气体，对作为初始基底的铜箔进行预处理；向CVD设备中充入甲烷和惰性气体的混合气体，将CVD设备的腔室内从真空状态变为1~100 Torr的...
    2026-04-20
  • 胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统
    胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统_东莞市欣美电子材料有限公司_202511664648.3
    本发明涉及新一代信息技术领域的胶带基材表面改性与涂布优化方法与系统，包括：从胶带基材表面获取化学组成数据，通过X射线光电子能谱分析表面官能团分布，确定微波激光耦合所需的化学特性参数，得到适配等离子体改性的表面特性数据；从强结合力基材表面获取...
    2026-04-20
  • 连续环形真空镀膜系统及镀膜方法
    连续环形真空镀膜系统及镀膜方法_宁波锦辉光学科技股份有限公司_202610018299.6
    本发明公开了一种连续环形真空镀膜系统及镀膜方法，属于真空镀膜技术领域。该系统包括呈闭环回路布局的产线主体和传输机构，工艺通道内依次相邻布置化学气相沉积区、隔离模组和物理气相沉积区。所述隔离模组包括流阻通道、环形差分抽气槽及喷射单元。其中，流...
    2026-04-20
  • 一种重力辅助贴附的反向包辊真空卷绕镀膜设备
    一种重力辅助贴附的反向包辊真空卷绕镀膜设备_广东振华科技股份有限公司_202511982765.4
    本发明涉及真空镀膜技术领域，特别是涉及一种重力辅助贴附的反向包辊真空卷绕镀膜设备，包括设备本体、两个固定架、转盘和多个连接架；设备本体内部设置为镀膜腔，镀膜腔的相对两端设置有设备腔，镀膜腔侧面设置有蒸发件，用于对靶材进行蒸发，设备腔内设置有...
    2026-04-20
  • 一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法
    一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法_国网山西省电力有限公司太原供电分公司_202610018322.1
    本发明涉及红外滤波芯片制备技术领域，公开了一种用于SF66气体识别的滤波芯片的制备方法，包括：基于SF66气体的探测波段与参比波段，分别设计对应的膜系理论堆叠序列，并据此模拟生成反映各膜层沉积后预期光谱状态的标准光谱轨迹；以迭代方式依次沉积...
    2026-04-20
  • 一种离子束溅射的调控方法
    一种离子束溅射的调控方法_佛山市博顿光电科技有限公司_202511615383.8
    本申请提供了一种离子束溅射的调控方法，包括以下步骤：在靶端配置偏置压；当前成膜应力偏置压配置为补偿离子源的束压；根据离子源栅网的使用状态以及目标成膜速率，配置当前成膜应力束压与当前成膜应力偏置压的常态运行值；获取当前成膜速率和当前成膜应力；...
    2026-04-20
  • 旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备
    旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备_上海陛通半导体能源科技股份有限公司_202610013139.2
    本发明涉及半导体设备技术领域，公开一种旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备。旋转加热器抗干扰滑环系统包括转子、定子和导电滑环。转子的顶端与旋转加热器连接，以带动旋转加热器转动。定子包括底座和多个环形件，底座的内部具有第一空腔，转子的底端转...
    2026-04-20
  • 一种等离子体镀膜用的定位机构
    一种等离子体镀膜用的定位机构_华南理工大学_202511741540.X
    本发明公开了一种等离子体镀膜用的定位机构，涉及等离子体镀膜设备领域，包括镀膜箱，镀膜箱的内顶壁通过螺钉固定有上腔盖，上腔盖的下方设有相匹配的下腔盖，上腔盖的顶部中央处安装有镀膜喷头，镀膜喷头通过连接管贯穿盖体和箱体与外部的等离子发生器连接；...
    2026-04-20
  • 一种防崩边硅片镀膜承载框
    一种防崩边硅片镀膜承载框_南通玖方新材料股份有限公司_202511614924.5
    本发明公开了一种防崩边硅片镀膜承载框，包括承片台(1)，所述承片台(1)在内部侧壁加工有挡片台阶(3)，所述承片台(1)设置有若干个配备避空位的顶点，所述避空位与挡片台阶(3)之间通过防积膜区进行过渡，所述承片台(1)在长度方向和宽度方向排...
    2026-04-20
  • 一种疏水涂层及其制备方法
    一种疏水涂层及其制备方法_新毅东(北京)科技有限公司_202610019141.0
    一种疏水涂层及其制备方法，涉及光学功能涂层技术领域。该疏水涂层的制备方法包括：提供基体；在真空环境下，采用离子源产生的离子束对基体表面进行轰击清洗；采用高功率脉冲磁控溅射技术，在基体表面沉积钛过渡层；采用高功率脉冲磁控溅射技术，在钛过渡层上...
    2026-04-20
  • 一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法
    一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法_上海仙材技术有限公司_202511764917.3
    本发明涉及溅射设备的技术领域，具体公开了一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法，包括：壳体，壳体包括阴极端以及阳极端，阴极端包括阴极体以及标材，阳极端包括阳极体以及托料板，阴极体上开设有贯通的开槽；磁性旋转机构，磁性旋转机构设置于连接板上，磁性...
    2026-04-20
  • 一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法
    一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法_成都虹波实业股份有限公司_202511732403.X
    本发明公开了一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法，属于钼基复合材料的技术领域。所述PVD制备方法包括以下步骤：将钼片进行化学清洗、干燥后，再于真空体系中进行离子源清洗，得到清洗后钼片；对所述清洗后钼片进行离子源沉积及磁控溅射银沉积，得到沉...
    2026-04-20
首页 上一页 11 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证