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最新专利技术
  • 淋喷头组件和用于控制淋喷头组件的温度均匀度的方法
    淋喷头组件和用于控制淋喷头组件的温度均匀度的方法_ASMIP控股有限公司_202511538744.3
    本发明公开了一种用于在反应室内分配气体的淋喷头组件。所述淋喷头组件可以包括：形成在所述淋喷头组件内的室，以及与所述室相邻的气体分配组件，其中所述气体分配组件包括：第一气体分配板，所述第一气体分配板包括顶部表面和底部表面；以及第二气体分配板，...
    2026-03-26
  • 形成含过渡金属的膜的方法、供给方法及气相沉积装置
    形成含过渡金属的膜的方法、供给方法及气相沉积装置_ASMIP私人控股有限公司_202511440039.X
    公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上形成含过渡金属的膜的方法。所述方法可包括：使衬底与第一气相反应物接触，所述第一气相反应物包含过渡金属卤化物化合物，所述过渡金属卤化物化合物包含二齿含氮加合物配体；以及使衬底与第二气相反应物接触。公开了一种向...
    2026-03-26
  • 基板处理设备及基板处理方法
    基板处理设备及基板处理方法_周星工程股份有限公司_202511290225.X
    本发明涉及基板处理设备及基板处理方法。基板处理设备包括：腔室；基板支撑部被可旋转地安装在腔室内的工艺空间中，以允许至少一个基板位于其上；第一气体喷射单元，用于向工艺空间的第一区域喷射源气体和用于吹扫源气体的第一吹扫气体；源气体供应源，用于将...
    2026-03-26
  • 一种加热器组件及前驱体传输管路的加热方法
    一种加热器组件及前驱体传输管路的加热方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511897625.7
    本发明提供了一种加热器组件、一种前驱体传输管路的加热方法，以及一种计算机可读存储介质。所述加热器组件包括多个加热件，其中，第一加热件设于前驱体储罐出口，第二加热件设于第一工艺腔室入口，第三加热件设于连接所述前驱体储罐出口及所述第一工艺腔室入...
    2026-03-26
  • 一种用于薄膜沉积设备的气箱及薄膜沉积设备
    一种用于薄膜沉积设备的气箱及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511845258.6
    本发明提供了一种用于薄膜沉积设备的气箱和一种薄膜沉积设备。该气箱包括箱体、多个控制元件和至少一块挡风板。该箱体包括进风口和出风口，用于向所述箱体内部流通冷却气流。多个控制元件位于箱体内部，以及进风口和出风口之间，用于控制薄膜沉积工艺涉及的多...
    2026-03-26
  • 一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置
    一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置_西安西炉特种电炉有限公司_202511947921.3
    本发明涉及气相沉积炉领域，尤其涉及一种防凝结的化学气相沉积炉高效冷却装置，包括有底座、炉体、炉门、进气管和托盘；底座固接有炉体；炉体转动连接有两个炉门；炉体内开设有两个炉腔；炉体连通有两个进气管，且两个进气管分别与对应的炉腔连通；两个炉腔内...
    2026-03-26
  • 抽气装置及半导体器件的工艺腔室
    抽气装置及半导体器件的工艺腔室_拓荆科技(上海)有限公司_202511639953.7
    本发明公开了一种抽气装置及一种半导体器件的工艺腔室。该抽气装置包括进气口、第一抽气口、至少一个第二抽气口和出气口。该进气口位于晶圆托盘的一侧，朝向位于晶圆托盘相对的另一侧的供气装置，用于抽取横向流经晶圆托盘的气体，其中，进气口的尺寸不小于晶...
    2026-03-26
  • 一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法
    一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法_中国科学院金属研究所_202511507510.2
    本发明涉及碳纳米复合材料的可控制备领域，具体为一种二氧化钛包覆单壁碳纳米管复合薄膜的制备方法。以表面活化的单壁碳纳米管网络薄膜为基体，以含氧和钛的有机化合物为前驱体源，以化学惰性载气载带前驱体源，通过低压化学气相沉积在单壁碳纳米管表面可控生...
    2026-03-26
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411052505.2
    本申请公开了一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括工艺内管和工艺外管，工艺外管套设于工艺内管之外，且工艺内管和工艺外管之间具有间隙，工艺内管的两端均设有开口。在工艺过程中，晶圆放置于工艺内管中，工艺气体从工艺内管底部的开口进入工艺内...
    2026-03-26
  • 一种包覆纳米级碳层微粉的制备方法及制备系统
    一种包覆纳米级碳层微粉的制备方法及制备系统_中昊黑元化工研究设计院有限公司_202411050280.7
    本发明属于复合材料技术领域，尤其涉及一种微粉包覆纳米级碳层的制备方法及制备系统，所述制备方法包括如下步骤：(1)原料汽化；(2)粉料加料；(3)气相吸附冷凝；(4)气固分离；(5)沉积碳层；(6)气固再分离。本发明将液相碳源经汽化处理后，通...
    2026-03-26
  • 一种镓催化刻蚀辅助金刚石上高取向β-Ga2O3薄膜的化学气相沉积工艺
    一种镓催化刻蚀辅助金刚石上高取向β-Ga2O3薄膜的化学气相沉积工艺_郑州大学_202511594115.2
    本发明公开了一种镓催化刻蚀辅助金刚石上高取向β‑Ga22O33薄膜的化学气相沉积工艺，属于半导体材料技术领域，其包括以下步骤：(1)对金刚石(111)衬底层表面进行抛光处理并清洗；(2)在辅助衬底层上滴加金属液滴镓；(3)将金刚石(111)...
    2026-03-26
  • 一种用于制备高厚度且高均匀性的卧式CVD硫化锌炉体结构
    一种用于制备高厚度且高均匀性的卧式CVD硫化锌炉体结构_昆明理工大学_202511586763.3
    本发明公开了一种用于制备高厚度且高均匀性的卧式CVD硫化锌炉体结构，包括腔体、隔热板、石墨盒、坩埚、坩埚加热板、第一进气管、第二进气管以及导气管。本发明将出气孔设置于球罩沉积模具上方，并在石墨盒下部集成气体混合室，气体混合室顶部增设引流罩；...
    2026-03-26
  • 一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用
    一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用_北京超弦存储器研究院_202511530485.X
    本发明公开了一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过富含氢氧根的溶液对基片表面进行预处理，形成亲水表面，然后利用原子层沉积技术所特有的自限制反应特性，精确控制沉积过程中的工艺参数，依次通入x次Ⅰ型前...
    2026-03-26
  • 沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品
    沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品_上海升翕光电科技有限公司_202610007942.5
    本申请实施例提供一种沉积速率控制方法、设备、存储介质及程序产品。属于半导体器件技术领域。该方法包括：周期性获取沉积速率，所述沉积速率与数据采集时刻对应；根据所述数据采集时刻对应的沉积速率，确定所述数据采集时刻对应的沉积速率变化率；根据所述数...
    2026-03-26
  • 一种磁控溅射镀膜装置
    一种磁控溅射镀膜装置_光驰科技(上海)有限公司_202411119773.1
    本发明公开了一种磁控溅射镀膜装置。该磁控溅射镀膜装置包括靶材组和第一调节模块；所述靶材组的数量为至少两组，每组所述靶材组包括两个互为对靶的靶材；每组的两个所述靶材中的一个位于工件组件的一侧，且每组的两个所述靶材中的另一个位于所述工件组件的另...
    2026-03-26
  • 承载装置及磁控溅射镀膜设备
    承载装置及磁控溅射镀膜设备_深圳市捷佳芯创科技有限责任公司_202511957558.3
    本发明公开了一种承载装置及磁控溅射镀膜设备，承载装置包括托架以及工件架，其中，托架设有承载部和第一导向环，承载部的中部设有避让空间，第一导向环设置于避让空间的周部，第一导向环的中心轴线与避让空间的中心轴线重叠；工件架的底部设有第二导向环，第...
    2026-03-26
  • 金属蒸镀自动悬架
    金属蒸镀自动悬架_桂林雷光科技有限公司_202511601370.5
    本发明涉及金属蒸镀技术领域，具体涉及一种金属蒸镀自动悬架，包括蒸镀仓、基板、蒸镀悬架和蒸镀组件；蒸镀组件包括冷却悬架仓、两个夹持板和两个移动机构，将多个基板一次性安放在蒸镀悬架的内部，启动蒸镀仓进行金属蒸镀；待到基板上形成薄膜后，最下方的基...
    2026-03-26
  • 一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法
    一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法_光驰科技(上海)有限公司_202411119769.5
    本发明公开了一种真空镀膜装置和镀膜均匀性修正方法。该真空镀膜装置包括真空室、第一靶材组、第二靶材组和基座；第一靶材组和第二靶材组设置在真空室内；基座绕第一轴线转动设置于真空室内，第一靶材组和第二靶材组分设于第一轴线的两侧；工件绕第二轴线转动...
    2026-03-26
  • 一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺
    一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺_安徽越好电子装备有限公司_202610004704.9
    本发明属于TGV玻璃深孔镀膜技术领域，具体涉及一种ION激光离子源辅助的磁控溅射镀膜系统及工艺。所述系统包括真空室、设置于真空室内的基板，其特征在于，还包括分布于基板上的一个中心垂直靶与三个偏心动态倾角靶，中心垂直靶垂直设置于基板中心位置，...
    2026-03-26
  • 一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统
    一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统_安徽越好电子装备有限公司_202610004703.4
    本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种基于线圈感应耦合辅助的溅射系统。溅射系统，包括真空室、设置于真空室内的基板，真空室内的基板上设置有四个倾斜环绕式平面磁控靶，以及二个设置于真空室的腔体中心轴线处的圆柱磁控靶，且真空室的腔体内设置有四...
    2026-03-26
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