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最新专利技术
  • 一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法
    一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512048942.8
    本发明公开了一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述PIN光电二极管包括GaAs衬底、变形生长层、InP基PIN功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基PIN功能层的晶格常数过渡；所述In...
    2026-02-17
  • 一种基于透明导电材料的可见-短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法
    一种基于透明导电材料的可见-短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法_昆明物理研究所_202511463385.X
    本发明公开了一种基于透明导电材料的可见‑短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法，涉及红外探测器技术领域。所述探测器的结构从下向上依次包括1‑‑InGaAs探测器专用读出电路芯片、2‑‑铟柱及填充物、3‑‑金属电极、4‑‑P型扩散区、5‑‑...
    2026-02-17
  • 一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用
    一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用_华中科技大学_202511562355.4
    本发明属于光电材料技术领域，并具体公开了一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用。包括自下而上依次布置的石英衬底、ITO底电极层、n型ZnO功能层、合金薄膜吸光层、保护层以及ITO顶电极层；ITO顶电极层为透明导电ITO薄膜层，I...
    2026-02-17
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511843624.4
    本申请提供一种光伏组件，涉及光伏技术领域，光伏组件包括电池串、汇流条以及导电件，电池串包括电池片和引出焊带，引出焊带与电池片电性连接，引出焊带包括延伸出电池片的引出部，汇流条的部分结构位于电池片的背光侧，且汇流条与引出部电性连接，导电件位于...
    2026-02-17
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511670762.7
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池组件及光伏系统，该太阳能电池组件包括：第一电池串、第一焊带、第二焊带、汇流条及绝缘层；第一电池串包括若干串联的背接触电池片，背接触电池片包括端部电池片；端部电池片上沿第一方向交替设置若干第一焊带...
    2026-02-17
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511628668.5
    本发明提供了一种太阳能电池组件及光伏系统。太阳能电池组件包括：背板以及设置于所述背板的第一侧的边缘汇流条和多个电池串；每一所述电池串包括多个沿第一方向依次排列的太阳能电池；所述边缘汇流条沿第一方向设置于多个电池串的两侧；设置于多个所述电池串...
    2026-02-17
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511582021.3
    本发明公开了一种背接触电池组件及光伏系统，所述背接触电池组件包括：电池串，所述电池串包括沿第一方向排布的第一电池片和第二电池片，沿第一方向，所述第一电池片和第二电池片均包括第一边缘和第二边缘，所述第一电池片的第一边缘与第二电池片的第二边缘交...
    2026-02-17
  • 一种电池串以及电池串的返修方法
    一种电池串以及电池串的返修方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511544020.X
    本发明公开了一种电池串以及电池串的返修方法，涉及光伏组件制造技术领域，该电池串包括：多个电池片、串接相邻两个电池片的焊带、以及位于每个电池片上用于固定焊带的承载膜；承载膜位于焊带外侧，覆盖所述电池片主表面的部分区域；承载膜的宽度小于所述电池...
    2026-02-17
  • 一种光伏组件及其制备设备与制备方法
    一种光伏组件及其制备设备与制备方法_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202511643826.4
    本发明属于光伏组件技术领域，且公开了一种光伏组件及其制备设备与制备方法，包括层叠体，所述层叠体包括：柔性前封装膜；设置于所述柔性前封装膜下方的柔性太阳电池串；所述柔性太阳电池串由多个太阳电池片通过金属互联带连接而成，相邻所述太阳电池片之间具...
    2026-02-17
  • 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511503384.3
    本申请提供了一种晶硅异质结太阳电池，可以应用于太阳电池技术领域。该晶硅异质结太阳电池：包括依次设置的掺杂磷元素的氧化锡透明导电层、第二N型非晶硅层、第一N型非晶硅层、第一本征非晶硅钝化层、N型晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、P型非晶硅层和...
    2026-02-17
  • 光伏电池及光伏电池的制备方法
    光伏电池及光伏电池的制备方法_阿特斯阳光电力集团股份有限公司_202511127399.4
    本申请公开了一种光伏电池及光伏电池的制备方法，属于光伏电池技术领域。光伏电池，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括沿第一方向交替间隔排布的第一区域和第二区域，以及第一区域和第二区域之间的绝缘区；第一介电层，位于第一区域...
    2026-02-17
  • 具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法
    具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202512034340.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有折回式触发机制的ESD保护器件及其制备方法，所述方法包括一P型衬底；形成于所述衬底内的N型阱层和P型阱层；形成于所述N型阱层表面的至少一个P型掺杂层；形成于所述P型阱层表面的至少一个N型掺杂层；设...
    2026-02-17
  • 三维集成电路
    三维集成电路_三星电子株式会社_202510853925.9
    提供了一种三维集成电路。三维集成电路包括：第一裸片，该第一裸片具有彼此相反的第一表面和第二表面；以及第二裸片，该第二裸片垂直地堆叠在第一裸片的第一表面上。第一裸片包括：功能块，该功能块布置在第一裸片的第一表面上；以及多个导电端子，该多个导电...
    2026-02-17
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511746803.6
    本申请实施例提供一种显示面板和显示装置；该显示面板通过使驱动电路层包括多条发光控制线、多条复位控制线、多条发光转接线和多条复位转接线，一发光转接线与一发光控制线连接，一复位转接线与一复位控制线连接，其中，至少一条发光转接线上设有断口；和/或...
    2026-02-17
  • 阵列基板及其制备方法
    阵列基板及其制备方法_武汉华星光电技术有限公司_202511553580.1
    本申请涉及一种阵列基板及其制备方法，在刻蚀工艺中实现外围区金属走线侧壁角度大于阵列区电极图案侧壁角度的差异化控制，控制外围区金属走线与基底的第二夹角大于阵列区电极图案的第一夹角，外围区的金属走线的线距得以减小，在湿法刻蚀工艺中实现不同区域金...
    2026-02-17
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_厦门天马微电子有限公司_202511460191.4
    本申请提供了一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，显示面板包括第一基板和位于第一基板一侧依次排布的第一金属层和第二金属层，第二金属层包括沿水平方向排布的第一信号传输结构和第二信号传输结构，第一信号传输结构用于传输数据信号，第二信号传输结...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件及其制备方法、半导体设备
    一种半导体器件及其制备方法、半导体设备_中国科学院微电子研究所_202511459565.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，包括半导体衬底；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管沿半导体衬底的厚度方向自下而上依次设置在半导体衬底的上方，第一晶体管包括第一栅堆叠结构和位于第一栅堆叠结构两侧...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413289.4
    提供的实施例是半导体器件，包括第一器件。第一器件包括：第一突起，突出在衬底上方；第一纳米结构，包括第一半导体材料并且设置在第一突起上方；第一外延延伸区域，设置在第一纳米结构的第一侧壁上；第一栅极结构，包括位于第一纳米结构和第一突起之间的第一...
    2026-02-17
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413288.X
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。结构包括设置在第一区域中的第一半导体层以及围绕第一区域中的第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料。结构还包括围绕第二半导体层的部分的第一栅电极层、电连接至第二半导...
    2026-02-17
  • 半导体器件及形成存储器器件的方法
    半导体器件及形成存储器器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413140.6
    本申请的实施例公开了半导体器件及形成存储器器件的方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管和第二晶体管，形成在第一侧上的第一层级中；第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，形成在第一侧上的第二层级中；形成在第二侧上的第...
    2026-02-17
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