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最新专利技术
  • 半导体器件及形成存储器器件的方法
    半导体器件及形成存储器器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413140.6
    本申请的实施例公开了半导体器件及形成存储器器件的方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管和第二晶体管，形成在第一侧上的第一层级中；第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，形成在第一侧上的第二层级中；形成在第二侧上的第...
    2026-02-17
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511412024.2
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在第一区域中的第一半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层上方的第二半导体层、设置在第一区域中的第一半导体层和第二半导体层之间的第一栅电极层、与第一区域中的第一栅电极层相邻设置的...
    2026-02-17
  • 集成电路和包括该集成电路的数据存储系统
    集成电路和包括该集成电路的数据存储系统_三星电子株式会社_202510594064.7
    一种集成电路器件包括衬底上的第一导电类型电路器件和衬底上的第二导电类型电路器件，其中第一导电类型电路器件中的每一个包括第一栅极结构，第一栅极结构包括衬底上的第一界面绝缘层、第一界面绝缘层上的第一栅极介电层、第一栅极介电层上的第一功函数调节层...
    2026-02-17
  • 一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备
    一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511530874.2
    本公开提供了一种具有垂直沟道的半导体器件及其制备方法、电子设备，该晶体管包括：衬底以及在衬底的第一表面设置的第一晶体管、在衬底的第二表面设置的第二晶体管，第二表面为衬底中与第一表面相对的表面，第一晶体管和第二晶体管具有相同的晶体管结构。本公...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510214430.1
    一种半导体装置包括：上导线；第一下导线、第二下导线和第三下导线，在第一方向上布置。半导体装置还包括：下有源接触件，连接到第一下导线、第二下导线和第三下导线中的一个。此外，半导体装置包括：第一高单元、第二高单元、第一小单元和第二小单元，设置在...
    2026-02-17
  • 一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管
    一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管_广东工业大学_202610001134.8
    本发明涉及半导体晶体管的技术领域，涉及一种具有栅极自保护功能的P型栅氮化镓晶体管，自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P型材料层以及介质层；势垒层上方设置有源极与漏极，源极与漏极分别位于P型材料层两侧；与介质层电连接的两端无源开...
    2026-02-17
  • 基于氮化镓的集成双向开关功率器件
    基于氮化镓的集成双向开关功率器件_意法半导体国际公司_202511043054.0
    本公开涉及基于氮化镓的集成双向开关功率器件。一种基于氮化镓的集成双向开关功率器件被形成在管芯中，该管芯具有集成有第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的半导体本体。半导体本体具有半导体衬底和基于氮化镓的层堆叠体。层堆叠体叠置在衬底上，并且形成沟...
    2026-02-17
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511415560.8
    一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括形成交替层堆叠包括沿着垂直于交替层堆叠的界面的第一方向堆叠的第一半导体层与第二半导体层。对交替层堆叠进行图案化以形成鳍片结构，鳍片结构具有沿着第一方向的高度、沿着垂直于第一方向的第二方向的...
    2026-02-17
  • 集成SBD的MOSFET器件及其制备方法
    集成SBD的MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511725911.5
    本申请涉及一种集成SBD的MOSFET器件及其制备方法。包括：位于衬底上的漂移层、第一缓冲层、第二缓冲层、阱结构、介电结构和源极金属层；阱结构包括垂直于衬底表面的第一侧壁，第二掺杂结构包括垂直于衬底表面的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁齐平；介...
    2026-02-17
  • 一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法
    一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511603183.0
    本发明提供一种晶圆堆叠的并联电容结构及其制作方法，该方法将具有第一电容结构的第一晶圆与具有第二电容结构的第二晶圆面对背混合键合，实现两个电容结构垂直堆叠且并联连接。相比于传统电容封装将电容单独焊接在基板上进行封装的方式，本发明的晶圆堆叠并联...
    2026-02-17
  • 功率模块和功率模块的制备方法
    功率模块和功率模块的制备方法_环旭(深圳)电子科创有限公司_202511594148.7
    本申请提供了一种功率模块和功率模块的制备方法，功率模块包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板的第一电路层与第二基板的第二电路层相互面对设置；第一预封装功率芯片具有位于同一面的信号极和源极、与源极相对设置在另一面的漏极，第一预封装功率芯片...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_英飞凌科技奥地利有限公司_202510985415.7
    一种半导体装置包括；形成半桥装置的第一可控半导体器件和第二可控半导体器件，第一可控半导体器件和第二可控半导体器件中的每一者包括控制电极以及在第一负载电极与第二负载电极之间的可控负载路径；至少一个栅极驱动器，至少一个栅极驱动器中的每一者被配置...
    2026-02-17
  • 封装结构、封装结构的制备方法和电子设备
    封装结构、封装结构的制备方法和电子设备_华为技术有限公司_202411011468.0
    本申请提供了封装结构、封装结构的制备方法和电子设备，该封装结构包括第一封装体和第二封装体，第一封装体和第二封装体堆叠封装。第一封装体包括第一电子器件、第一封装部和导电部件，第一封装部封装第一电子器件和导电部件。第一电子器件包括第一连接端，导...
    2026-02-17
  • 一种P型3C-SiC欧姆接触结构及其制备方法
    一种P型3C-SiC欧姆接触结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511372705.0
    本发明提供了一种P型3C‑SiC欧姆接触结构及其制备方法，该欧姆接触结构包括：N型3C‑SiC外延层；位于N型3C‑SiC外延层上方的P型区；位于P型区上方的多层金属结构，多层金属结构自下而上依次为Ni金属层、Ti金属层和Al金属层。本发明...
    2026-02-17
  • 一种基于硅烷偶联剂改善金属-半导体接触的方法和应用
    一种基于硅烷偶联剂改善金属-半导体接触的方法和应用_复旦大学义乌研究院_202511625593.5
    本发明提供了一种基于硅烷偶联剂改善金属‑半导体接触的方法和应用。所述方法包括：提供半导体器件，其包括金属‑半导体接触结构，所述金属‑半导体接触结构为肖特基接触，且其所含的与金属材料接触的半导体材料包括表面具有羟基的二维半导体材料；将半导体器...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411012766.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的层间电介质层，所述层间电介质层具有延伸到所述衬底的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽包括用于PMOS器件的第一沟槽；在...
    2026-02-17
  • 功率半导体终端结构
    功率半导体终端结构_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511615627.2
    本发明涉及功率半导体终端结构，功率半导体终端结构包括第一导电类型的衬底，衬底上设置元胞结构、主结和终端区，主结设置于元胞结构外围，终端区设置于主结外围，终端区内设置若干个场限环，相邻的场限环之间间隔设置；场限环包括多个弯曲部与多个直部，弯曲...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511589993.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括外延片，外延片具有相邻的有源区和终端区，终端区上依次设置有氧化层和本征多晶硅层，其中，本征多晶硅层中形成有交替设置的N型重掺杂区域和P型轻掺杂区域，相邻的N...
    2026-02-17
  • 外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法
    外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511574767.X
    本申请实施例涉及一种外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法；其中，外延结构包括：由第一外延层和第二外延层组成的异质结叠层；第二外延层在第一外延层上外延生长而形成；第二外延层为InyyAl1‑y1‑yN层；第一外延层为Alx1x1Ga...
    2026-02-17
  • 晶体管、存储器及其制备方法、电子设备
    晶体管、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009390.9
    一种晶体管包括：栅极和半导体层，半导体层为空心管状结构，栅极环绕半导体层。半导体层的材料包括以下至少之一：第三族半导体材料、第四族半导体材料、第五族半导体材料。采用空心管状结构的半导体层，有利于控制半导体层的管壁厚度，令晶体管的沟道全部耗尽...
    2026-02-17
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