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最新专利技术
  • 用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成
    用于相对于硅选择性蚀刻硅锗或硅氮化物的自由基物质的热生成_朗姆研究公司_202480042168.0
    一种用于相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料的方法，包括将衬底设置于处理室中的衬底支撑件上，以及供应载气、至少一种热蚀刻剂气体以及至少一种自由基生成气体至处理室，以相对于至少一种第二材料蚀刻至少一种第一材料。也公开了其它示例方法和系统...
    2026-01-31
  • 等离子体处理方法和等离子体处理装置
    等离子体处理方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480040812.0
    等离子体处理方法包括工序a1)、工序a2)以及工序a3)。在工序a1)中，在腔室内将第一气体和第二气体等离子体化，由此利用具有导电性的膜对腔室内的部件的表面进行涂覆。在工序a2)中，向腔室内搬入基板。在工序a3)中，在利用具有导电性的膜对腔...
    2026-01-31
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202480040468.5
    成膜方法包括下述步骤(A)~(C)。步骤(A)，准备基板，该基板在表面的不同区域具有第一膜以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜。步骤(B)，相对于所述第一膜的表面选择性地在所述第二膜的表面形成用于阻碍对象膜的形成的成膜阻碍膜。步骤...
    2026-01-31
  • 形成镓氮氧化物层的方法
    形成镓氮氧化物层的方法_周星工程股份有限公司_202480034716.5
    本发明提供一种在基板上形成镓氮氧化物(GaON)层的方法，该方法包括如下步骤：喷射含镓(Ga)的源材料；通过喷射含氮的第一反应材料来形成镓氮化物层；以及向镓氮化物层上喷射含氧的第二反应材料。
    2026-01-31
  • 利用氮化硅的薄氧化物层的生长与转化
    利用氮化硅的薄氧化物层的生长与转化_应用材料公司_202480027581.X
    一种用于形成氧化物层的方法包括在形成于基板上的沟槽的侧壁上形成保护性层间氧化物，通过利用含氮工艺气体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在所述保护性层间氧化物上形成氮化硅层，所述氮化硅层具有从远离所述保护性层间氧化物的高浓度到靠近所述...
    2026-01-31
  • 基板接合装置
    基板接合装置_株式会社斯库林集团_202480042434.X
    基板接合装置1具有：等离子体处理单元2p；负载锁定室12，被搬入应在等离子体处理单元2p处理的基板W；解除负载锁定室14，被搬入已经被等离子体处理单元2p处理过的基板W；第二搬运室13；真空泵；第二搬运机器人R2，将基板W从负载锁定室12经...
    2026-01-31
  • 电极形成方法
    电极形成方法_周星工程股份有限公司_202480042110.6
    公开了一种电极形成方法，用于在基板上形成包含铜和钌的电极，包括：通过使用含钌前驱体进行钌层形成循环N次(N为自然数)来形成钌层，以及通过使用含铜前驱体进行铜层形成循环M次(M为自然数)来在钌层上形成铜层。
    2026-01-31
  • 自旋波导波结构体
    自旋波导波结构体_信越化学工业株式会社_202480041430.X
    本发明为一种自旋波导波结构体，具有：绝缘磁性体膜；以及周期性导电体膜，其配置于所述绝缘磁性体膜的两表面中的至少一个表面上，由具有周期性结构的导电体膜构成，所述周期性导电体膜的周期性结构为所述导电体膜由多个小片膜的集合体构成，所述小片膜相互电...
    2026-01-31
  • 有机发光器件
    有机发光器件_株式会社LG化学_202580003389.1
    本公开内容涉及具有改善的特性例如低驱动电压、高效率和长寿命的有机发光器件。
    2026-01-31
  • 显示装置
    显示装置_株式会社半导体能源研究所_202480035996.1
    提供一种显示质量高的显示装置。提供一种显示装置，该显示装置包括在第一绝缘层上并彼此相邻地配置的包括第一EL层的第一发光器件及包括第二EL层的第二发光器件以及设置在它们之间的第二至第四绝缘层，第二绝缘层与第一EL层及第二EL层的顶面的一部分及...
    2026-01-31
  • 包括跨层不连续部分的公共阴极的串联光电子器件
    包括跨层不连续部分的公共阴极的串联光电子器件_OTI公司_202480039706.0
    多层光电子器件在至少一个侧向朝向上延伸，并且包括第一发射区域和第二发射区域以及侧向设置在第一发射区域与第二发射区域之间的至少一个层不连续部。发射区域中的每个发射区域包括相应的第一电极和第二电极以及在第一电极与第二电极之间的至少一个半导体层(...
    2026-01-31
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000615.6
    本公开提供一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的显示基板，其包括：衬底基板；呈阵列排布的像素单元，设置在所述衬底基板上；所述像素单元包括分别出射不同颜色光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素和第三子像素位于同一行...
    2026-01-31
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202580003308.8
    本申请提供了一种显示面板及显示装置；该显示面板包括衬底基板和设于衬底基板上的多个发光单元，发光单元包括阳极、功能部和发光部，发光部在中间区域的厚度大于发光部在边缘区域的厚度，功能部在中间区域的厚度小于功能部在边缘区域的厚度。
    2026-01-31
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000898.4
    一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个重复单元(100)，至少一个重复单元(100)包括显示区域(110)和透光区域(120)，显示区域(100)包括多个子像素；至少一个子像素包括像素驱动电路以及与像素驱动电路连接的发光器件，...
    2026-01-31
  • 发光基板及显示装置
    发光基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000844.8
    本申请公开了一种发光基板及显示装置，属于显示技术领域。发光基板包括：基底、第一导电层、第二导电层和多个发光单元。由于在发光基板中设置了第二导电层，且第二导电层可以用于接地。因此，可以通过第二导电层将引入的静电导走，使得第一导电层内引入静电的...
    2026-01-31
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000831.0
    一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个电路单元、多条数据信号线、多条数据连接线和多条电源走线，数据信号线被配置为向像素驱动电路提供数据信号，数据连接线被配置为向数据信号线提供数据信号，电源走线被配置为向发光器件提供电源信号；显...
    2026-01-31
  • 光电转换材料以及使用其的光电转换元件、光传感器及显示装置
    光电转换材料以及使用其的光电转换元件、光传感器及显示装置_东丽株式会社_202480040556.5
    本发明的目的在于提供对红色光区域具有灵敏度、并且耐热性高、具备工艺适性的光电转换材料。本发明为具有下述通式(1)表示的结构的光电转换材料。(下述通式(1)中，Ar11为芳香族碳环或芳香族杂环。Ar22为芳基或杂芳基，可以与相邻基团之间形成环...
    2026-01-31
  • 照明装置
    照明装置_昕诺飞控股有限公司_202480042576.6
    照明装置包括布置在载体上的相应的多个第一和第二发光二极管M‑LED、N‑LED。每个M‑LED包括具有第一表面区域SA1的管芯，该第一表面区域SA1具有至多100微米的最大空间范围SE1。N‑LED被布置在载体上，每个N‑LED包括具有第二...
    2026-01-31
  • 显示布置和用于操作显示布置的方法
    显示布置和用于操作显示布置的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040860.X
    本发明涉及显示布置(1)，其包括具有多个像素(10)的像素阵列，多个像素中的至少一些像素各自包括用于红色光谱中的光的第一µLED和第二µLED、用于蓝色光谱中的光的第三µLED和用于绿色光谱中的光的第四µLED。第一µLED和第二µLED由...
    2026-01-31
  • 一种高反射率多色微型LED像素
    一种高反射率多色微型LED像素_上海显耀显示科技有限公司_202580002686.4
    本发明提供一种多色微型LED像素，其包括：发射第一种颜色光的第一LED结构(220)，其中该第一LED结构(220)形成在基板(210)上；发射第二种颜色光的第二LED结构(230)，其中该第二LED结构(230)位于第一LED结构(220...
    2026-01-31
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