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最新专利技术
  • 一种碳化硅功率器件封装结构
    一种碳化硅功率器件封装结构_无锡市乾野微纳科技有限公司_202511950029.0
    本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构，属于芯片封装技术领域，包括底板，底板的顶端设置有顶板，且顶板和底板之间设置有芯片本体，顶板的内部设置有散热机构，散热机构包括固定安装在顶板内部的冷却水管，顶板的内部设置有隔板，且吸附隔板位于冷却水管和...
    2026-02-08
  • 一种水冷散热IGBT模块及封装结构
    一种水冷散热IGBT模块及封装结构_宁波德洲精密电子有限公司_202511949947.1
    本发明涉及一种水冷散热IGBT模块，它包括：塑封外壳、覆铜板、IGBT芯片、键合线、引脚和液冷基板，液冷基板具有：沉降区，位于液冷基板上表面，用于焊接覆铜板；给水口，用于输入冷却液；进水通道，环绕于沉降区的周向，并连通给水口；支流通道，与I...
    2026-02-08
  • 半导体封装结构和电子设备
    半导体封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511865070.8
    本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备，该半导体封装结构包括基板、芯片以及封堵结构，芯片设于基板上；封堵结构包括散热盖，散热盖连接于芯片，且散热盖与芯片之间形成有用于供冷却介质流过以和芯片进行热交换的冷却腔；其中，散热盖朝向芯片的第一侧壁形...
    2026-02-08
  • 半导体封装结构和电子设备
    半导体封装结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511865058.7
    本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备，该半导体封装结构包括基板、芯片、封堵结构以及导热结构，芯片设于基板上，且芯片背离基板的顶壁向下内凹形成有换热流道；封堵结构连接于芯片，且封堵结构与芯片之间形成有连通于换热流道的冷却腔；导热结构位于冷却...
    2026-02-08
  • 一种用于集成电路封装的基板和集成电路封装
    一种用于集成电路封装的基板和集成电路封装_广东工业大学_202511534369.5
    本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种用于集成电路封装的基板和集成电路封装，包括基板组件，所述基板组件包括基板本体，且基板本体的两侧外壁均开设有两个对称设置的限位槽，所述基板本体顶部外壁嵌装有晶片座，所述基板本体的两侧外壁均开设有连接槽，...
    2026-02-08
  • 一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法
    一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法_万锐半导体(汕头)有限公司_202511362174.7
    本发明涉及一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法，该SiC功率装置包括：SiC功率模块以及与SiC功率模块连接的散热器；所述SiC功率模块包括上盖、外壳、功率模块以及中间掏空的底板；所述散热器包括基板和翅片；所述功率模块包括至少一个DBC...
    2026-02-08
  • 封装结构以及电子装置
    封装结构以及电子装置_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202410973775.0
    本申请公开的一种封装结构和电子装置，封装结构包括沿厚度方向层叠且间隔的第一布线结构和第二布线结构以及位于所述第一布线结构和所述第二布线结构之间的多个导电焊接件，每个所述导电焊接件电连接所述第一布线结构和所述第二布线结构，并使所述第一布线结构...
    2026-02-08
  • 一种集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法
    一种集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法_杭州芯正微电子有限公司_202511599480.2
    本申请涉及一种集成FlipChip和FOWLP工艺的高效散热SiP封装结构和封装方法，封装结构包括封装基板、通过底部填充胶固定在封装基板的第一表面上的芯片、设在芯片的第一表面上的高温铟合金片、与高温铟合金片抵接的翅片散热盖板、设在封装基板的...
    2026-02-08
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_北京玄戒技术有限公司_202511554629.5
    本申请涉及一种芯片封装结构及电子设备，芯片封装结构包括导热腔体、散热组件和风扇。导热腔体设于芯片组件上方并与其导热连接。散热组件设置于导热腔体内，包括多个间隔排布的散热件。风扇设于导热腔体内。散热组件与风扇在平行于基板的平面内间隔布置，其中...
    2026-02-08
  • 一种空间散热IGBT模块及其封装方法
    一种空间散热IGBT模块及其封装方法_成都环宇芯科技有限公司_202511420730.1
    一种空间散热IGBT模块及其封装方法，涉及集成电路封装技术领域，IGBT模块的主要结构为：两个塑料框架上下叠放，上部塑料框架的下端面与下部塑料框架的上端面固定连接，两个散热铜底板分别与上部塑料框架的上端及下部塑料框架的下端固定连接，分别围合...
    2026-02-08
  • 封装器件及其制造方法
    封装器件及其制造方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511397349.8
    本发明涉及一种封装器件及其制造方法。所述封装器件包括：转接板，包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；第一芯片，贴装于所述转接板的所述第一主面上且与所述转接板电连接；桥接结构，连接于所述转接板的所述第一主面上；第二芯片，贴装于所述桥接结...
    2026-02-08
  • 一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺
    一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺_广东畅能投资控股有限公司_202511170103.7
    本发明提出了一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺，高效散热的IGBT模组结构包括导热绝缘基座，自上而下包括上金属层、绝缘层和下金属层；相变均热板，包括密封连接的上壳板与下壳板，上壳板和下壳板之间设有真空腔，真空腔内设有吸液芯结构和相变工...
    2026-02-08
  • 具有固态硬盘的模块、多芯片模块及散热方法
    具有固态硬盘的模块、多芯片模块及散热方法_旺宏电子股份有限公司_202411062071.4
    本公开提供了一种具有固态硬盘的模块。该模块包含具有上表面的基板、配置于基板的上表面上且具有第一阈值工作温度的控制单元、配置于基板的上表面上且具有第二阈值工作温度的第一储存单元、配置于该控制单元上的第一导热元件、以及配置于第一储存单元上的第二...
    2026-02-08
  • 一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法
    一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法_北京新雷能科技股份有限公司_202410960931.X
    本发明提供了一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法，涉及混合集成电路封装技术领域。其中散热齿结构可提升散热性能，并实现减重和轻型化设计的目的。基于高度较高的台阶区域设置的绝缘子结构可提升其强度，降低缺陷率。基于导热灌封胶和导热绝缘膜设置...
    2026-02-08
  • 半导体器件的介电层结构及其制造方法
    半导体器件的介电层结构及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511369411.2
    本发明提供一种半导体器件的介电层结构及其制造方法。该介电层结构包括：设置在金属布线层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的介电堆叠层。介电堆叠层包括依次设置的第一介电层、用以补偿覆盖层应力的应力补偿层、以及第二介电层。该形成方法包括依次沉积上述各...
    2026-02-08
  • 自对准双重图形化方法及半导体器件
    自对准双重图形化方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366764.7
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种自对准双重图形化方法及半导体器件。所提供的自对准双重图形化方法，包括：提供衬底，于衬底上形成硬掩膜层和初始侧墙层，初始侧墙层包括不对称部分，不对称部分包括相对设置的、具有不对称性的第一侧面和第二侧面...
    2026-02-08
  • 金属互连结构、其制备方法以及半导体器件
    金属互连结构、其制备方法以及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366757.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种金属互连结构、其制备方法以及半导体器件。所提供的金属互连结构，包括：依次层叠设置的衬底、阻挡层、堆叠层和上层金属层；贯穿所述阻挡层、所述堆叠层和上层金属层的开孔；以及，填充于开孔内的介质层；其中，堆叠层...
    2026-02-08
  • 半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装
    半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装_三星电子株式会社_202510857455.3
    公开了半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装。该半导体芯片可以包括：半导体基板；贯穿硅通路，垂直穿透半导体基板；集成器件层，在半导体基板的第一表面上并包括集成器件；多布线层，在集成器件层上并包括多层布线；上金属层，在多布线层上并连接到布线...
    2026-02-08
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510545267.7
    一种半导体封装包括：封装衬底，包括在封装衬底的顶表面上的第一上连接焊盘和第二上连接焊盘；第一半导体芯片堆叠，包括多个第一半导体芯片和第一芯片焊盘；第二半导体芯片堆叠，包括第二芯片焊盘和以阶梯状形状堆叠在第一半导体芯片堆叠上的多个第二半导体芯...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路
    一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511971881.6
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围...
    2026-02-08
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