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最新专利技术
  • 基于曲面透镜的侧面发光LED支架及其制备方法
    基于曲面透镜的侧面发光LED支架及其制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968379.X
    本申请提供一种基于曲面透镜的侧面发光LED支架及其制备方法，可以制备结构集成度高、侧面出光效能优异的超广角侧面发光LED。本申请通过在LED芯片上方注塑成型具有特定曲面弧度的内置透镜，通过该曲面的折射作用，主动将大部分光线以大角度导向侧面，...
    2026-02-10
  • 具有共晶结构的封装单元、封装结构及制备方法
    具有共晶结构的封装单元、封装结构及制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968377.0
    本申请涉及一种具有共晶结构的封装单元、封装结构及制备方法。本申请通过共晶工艺连接芯片和荧光片，并对注塑后的封装胶料进行顶部打磨，露出顶部的荧光片，形成共平面的复合光学界面，可以极大地提高产品的生产效率、精品率、发光度和美观度。
    2026-02-10
  • 一种大幅面硅基显示屏及制作工艺
    一种大幅面硅基显示屏及制作工艺_厦门华企云链科技有限公司_202411905205.4
    本发明提供一种大幅面硅基显示屏及制作工艺，涉及显示技术领域。幅面硅基显示屏，由下至上依次包含大幅面硅基底板、第一PVB胶层和多块小幅面硅基电路板。或者，多块小幅面硅基电路板的表面依次还包含第二PVB胶层和大幅面硅基面层。本发明的大幅面硅基显...
    2026-02-10
  • 微型发光二极管显示面板
    微型发光二极管显示面板_錼创显示科技股份有限公司_202410965686.1
    本发明提供一种微型发光二极管显示面板，包括基板、第一遮光层、第二遮光层及多个微型发光二极管。第一遮光层设置于基板上，第二遮光层设置于第一遮光层上，其中第二遮光层定义出多个排成陈列的像素单元。这些微型发光二极管配置于第一遮光层上，其中各像素单...
    2026-02-10
  • 显示面板、显示面板的制作方法及发光器件的制作方法
    显示面板、显示面板的制作方法及发光器件的制作方法_成都辰显光电有限公司_202410961737.3
    本申请提供一种显示面板、显示面板的制作方法及发光器件的制作方法，涉及显示设备制造技术领域，所述显示面板包括目标基板及发光器件，目标基板包括相对设置的第一面和第二面，第一面包括多个邦定触点；发光器件的引脚与邦定触点电性连接，发光器件靠近目标基...
    2026-02-10
  • 晶圆及其制备方法、晶圆叠层、发光器件、终端
    晶圆及其制备方法、晶圆叠层、发光器件、终端_华为技术有限公司_202410955876.5
    本申请实施例提供一种晶圆及其制备方法、晶圆叠层、发光器件、终端，涉及半导体技术领域，用于优化发光器件的性能。发光器件包括层叠设置的透明导电层、粘附层、金属反射层、阻隔层、种子层、金属键合层。通过在发光器件中设置与金属键合层具有相同晶相的种子...
    2026-02-10
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511586971.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一绝缘层、透明导电层、第一插入层、第一电极、第二电极和保护层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一绝缘层覆盖部分第二半导体层，透明导电层覆...
    2026-02-10
  • 一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置
    一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置_安徽三安光电有限公司_202511241525.9
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置，包括衬底及位于衬底上的外延层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层和第二半导体层，第一电子阻挡层包括依次层叠的第一子阻挡层和插入层，第一子阻挡层...
    2026-02-10
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_深圳市晶相技术有限公司_202510937482.1
    本发明提出一种半导体器件，包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上，所述缓冲层的厚度为20～300nm；第一半导体层，设置在所述缓冲层上，连接第一电极；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上，连接第二电极；以及空穴注...
    2026-02-10
  • 多波段LED外延片及其制备方法
    多波段LED外延片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511984713.0
    本发明公开了一种多波段LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述多波段LED外延片的多量子阱发光层为交替层叠的周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、第一蓝光量子阱层、青光量子阱层、第二蓝光量子阱层、阱后保护层和量子垒层；所...
    2026-02-10
  • 具有短响应时间的发光二极管及其制备方法
    具有短响应时间的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511836429.9
    本公开提供了一种具有短响应时间的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和P型电流扩展层；多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层的厚度为3~5nm，量...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202511543760.1
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包括第一半导体层、过渡层、有源层及第二半导体层。其中，第一半导体层包括第一掺杂层，过渡层形成于第一半导体层上，且与第一掺杂层相接触。过渡层的N型掺杂浓度小于...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511264544.3
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。其中，有源层包括多个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层，其中，阱层中铟的摩尔含量为25％...
    2026-02-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511261025.1
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括至少包括一外延结构：外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中：有源层包括M个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层；在M个阱层中至少包括N个第一阱...
    2026-02-10
  • 减少波长红移的全光谱LED外延生长方法
    减少波长红移的全光谱LED外延生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511540610.5
    本发明适用于半导体技术领域，提供了减少波长红移的全光谱LED外延生长方法，采用金属有机化学气相沉积反应腔进行外延材料生长，通过在发光层中形成多个V型坑，并在V型坑中引入Fe掺杂GaN层、Fe和C共掺杂GaN层、BGaN层，促使室温下更多的空...
    2026-02-10
  • 高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法
    高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法_中国科学院半导体研究所_202511467031.2
    本公开实施例提供一种高反射率AlGaN基分布式布拉格反射镜的制备方法，包括：在衬底上依次沉积堆叠的AlN层、n‑AlxxGa1‑x1‑xN电流扩展层；在n‑AlxxGa1‑x1‑xN电流扩展层上交替生长堆叠的多层n‑AlyyGa1‑y1‑y...
    2026-02-10
  • 一种改善GaN基LED底层出光效率的方法
    一种改善GaN基LED底层出光效率的方法_山东晶镓半导体有限公司_202511435313.4
    本发明属于光电技术领域，具体涉及一种改善GaN基LED底层出光效率的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上采用PVD法磁控溅射AlN薄膜；在AlN薄膜表面采用MOCVD法外延一层AlGaN层，作为增反射层；继续沉积3D层，3D层采用MOCVD...
    2026-02-10
  • 一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源
    一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511392091.2
    本申请涉及一种倒装贴膜光源制作方法以及倒装贴膜光源。包括：将目标芯片设置于基板上；采用透明胶在目标芯片的侧表面进行点胶，形成透明胶层，在第一温度条件下对透明胶层进行固化；在目标芯片的上表面贴设荧光膜，使得荧光膜覆盖目标芯片的上表面及透明胶层...
    2026-02-10
  • 倒装圆形光源的制作方法以及倒装圆形光源
    倒装圆形光源的制作方法以及倒装圆形光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511381858.1
    本申请涉及一种倒装圆形光源的制作方法及其倒装圆形光源，所述倒装圆形光源的制作方法包括：将待处理芯片与预设陶瓷基板进行共晶处理，得到目标芯片，利用荧光粉和耐高温硅胶制成荧光胶层；在所述荧光胶层表面涂布圆形围坝胶，得到包含圆形围坝胶的荧光胶层；...
    2026-02-10
  • 发光单元及发光单元制备方法
    发光单元及发光单元制备方法_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202511217572.X
    本公开提供了一种发光单元及发光单元制备方法。所述方法包括：采用环氧树脂、导电填料、导热增强剂、溶剂、分散剂和固化促进剂作为原料，制作固晶薄膜；将固晶薄膜贴附到晶圆表面；对贴附有固晶薄膜的晶圆进行划片，得到发光二极管芯片；将发光二极管芯片通过...
    2026-02-10
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