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最新专利技术
  • 一种MIM电容器结构及制作方法
    一种MIM电容器结构及制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511503926.7
    本发明提供一种MIM电容器结构及制作方法，形成预设位置的膜层后，进行超临界流体低温高压处理，能够极大程度减小膜层界面的氧空位，改善膜质粗糙度，进而减小电容器漏电流，提高电容器性能。
    2026-02-12
  • 使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构
    使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构_美光科技公司_202511008355.X
    本公开涉及使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构。本文中所描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件和存储器装置。在一些实施方案中，集成组合件包含分层结构。所述分层结构包含：第一导电结构集合，其水平地形成在第一金属化层中；第二导电...
    2026-02-12
  • 可调谐电感器装置
    可调谐电感器装置_QORVO美国公司_202511516810.7
    本发明公开了一种可调谐电感器装置，其具有衬底、平面螺旋导体和相变开关(PCS)，所述平面螺旋导体具有设置在所述衬底之上的多个间隔开的匝，所述PCS具有设置在所述衬底之上的位于所述多个间隔开的匝的一对相邻段之间并与其接触的相变材料(PCM)的...
    2026-02-12
  • 一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块
    一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块_芯动微电子科技(武汉)有限公司_202511983027.1
    本发明公开了一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块。DRAM颗粒模块包括DRAM颗粒和转接板；DRAM颗粒底部设置有多个第一焊球，转接板底部设置有多个第二焊球，DRAM颗粒通过多个第一焊球焊接到转接板上；多个第一焊球具有第一直径和第一球间隙，多...
    2026-02-12
  • 一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构
    一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构_复旦大学_202511462268.1
    本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构。本发明封装结构具体包括底层逻辑芯片、顶层DRAM芯片、第二层DRAM芯片、垂直铜柱互联区域、底层封装体、顶层封装体、第二层封装体、平面互联区域、信号纵向传输路径...
    2026-02-12
  • 集成电路封装件及其形成方法
    集成电路封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390076.4
    提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括：第一再分布结构；第一桥接管芯，位于第一再分布结构上方；第一密封剂，位于第一桥接管芯周围；第二再分布结构，位于第一桥接管芯和第一密封剂上方；第一逻辑管芯、第二逻辑管芯和第一输入/输出(...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511667998.5
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，多条第一导电线沿第一方向延伸，多条第二导电线沿第二方向延伸，且多条第一导电线与多条第二导电线异面交叉。多个存储单元沿第一方向和第二方向阵列设置，且每个存储单元位于一条第一导电线与一条第二导电线的交叉处...
    2026-02-12
  • 一种忆阻器及其制备方法
    一种忆阻器及其制备方法_广州航海学院_202511861755.5
    本发明涉及电子器件技术领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次层叠设置的下电极、阻变介质层和上电极，下电极和上电极均包括单层或多层金属薄膜，阻变介质层为Fe掺杂TiO22基磁性半导体薄膜；所述Fe掺杂TiO22基磁性半导体薄膜...
    2026-02-12
  • 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
    一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法_华中科技大学_202511914438.5
    本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，属于自旋电子器件与半导体制备技术领域。该存储器包括：第一电极、自旋轨道矩层、磁隧道结(MTJ)以及位于自旋轨道矩层下方的导电互连结构。本发明在导电互连结构中集成磁性偏置结构并调整MTJ位置，使...
    2026-02-12
  • 一种半导体结构及其操作方法
    一种半导体结构及其操作方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511965650.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在...
    2026-02-12
  • 集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法
    集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法_美光科技公司_202510957518.2
    本公开涉及集成电路系统及用于形成集成电路系统的方法。一种集成电路系统包括堆叠，所述堆叠包括从阵列区延伸到阶梯区中的竖直交替的绝缘层面与导电层面。所述楼梯的个别踏面包括所述导电层面中的一者的导电材料。导电通路从所述个别踏面中的一者正上方，穿过...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410994534.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、位线和导电结构。第二堆叠结构沿第一方向位于第一堆叠结构的一侧。位线位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间且沿第二方向延伸。导电结构沿第一方向延伸并与位...
    2026-02-12
  • 三维存储器装置及其形成方法
    三维存储器装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410994504.3
    公开了一种三维存储器装置及其形成方法。在某些方面，一种存储器装置包括堆叠结构、导电结构和接触结构。堆叠结构包括交替的多个第一层和多个第一电介质层。堆叠结构的第一部分中的多个第一层包括多个第二电介质层，并且与堆叠结构的第一部分相邻的第二部分中...
    2026-02-12
  • 半导体结构
    半导体结构_长鑫存储技术有限公司_202511405342.6
    本公开实施例涉及一种半导体结构。包括：第一基底，所述第一基底的第一表面形成有第一存储结构；第二基底，所述第二基底的第一表面形成有第一控制结构，所述第二基底的第二表面为所述第二基底的第一表面的相对面；所述第一基底键合于所述第二基底的第一表面侧...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410993633.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：多个功能区，阵列排布；多个密封区，每个密封区环绕一个功能区；多个切割区，每个切割区位于相邻密封区之间；密封区的键合焊盘包括沿功能区指向切割区的方向依次设置的键合密封环和散热...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410993599.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件，包括：衬底、第一电容结构、第二电容结构和导电柱组件。第一电容结构和第二电容结构分别设置于衬底两面，第一电容结构和第二电容结构均至少部分埋入于衬底内。导电柱组件贯穿衬底，两端分别...
    2026-02-12
  • 存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路
    存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路_上海闪易半导体有限公司_202511555770.7
    本申请提供一种存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路，该存储单元包括：由两个双向对称分布的分栅NOR Flash单元组成的对称位线胞，两个分栅NOR Flash单元共享选择栅，可以提升存储单元的线性度。在基于该存储单元的存储阵列中集成填充...
    2026-02-12
  • 存储器件及其制备方法
    存储器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410986579.7
    本公开提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构和多个连接结构。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第...
    2026-02-12
  • 一种发光晶体管
    一种发光晶体管_北京大学深圳研究生院_202511938035.4
    本发明涉及场效应发光晶体管技术，具体涉及一种发光晶体管，包括衬底、栅极、栅介质层、浮栅层、隧穿介质层、沟道层、源电极、发光功能层和漏电极。与传统发光晶体管相比，本发明通过引入浮栅层和隧穿介质层实现电荷存储功能。在将发光晶体管应用于像素电路时...
    2026-02-12
  • 具有堆叠结构的半导体器件
    具有堆叠结构的半导体器件_长江存储科技有限责任公司_202410985300.3
    本公开内容涉及用于管理具有堆叠结构的半导体器件的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括控制半导体结构和阵列半导体结构。阵列半导体结构沿着第一方向堆叠并且耦合到控制半导体结构。阵列半导体结构至少包括第一阵列半导体结构和第二阵列半导体结构。...
    2026-02-12
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