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最新专利技术
  • 一种常关型场效应晶体管
    一种常关型场效应晶体管_广州华瑞升阳投资有限公司_202511267166.4
    本发明提供一种常关型场效应晶体管，包括：n型半导体层，其材料的禁带宽度＞2.0eV；沟槽栅结构，包括从n型半导体层第1主面向内延伸的多个栅极沟槽，各栅极沟槽中包括栅电极以及对栅电极形成包围的栅介质层和栅顶介质层，栅电极包括p型导电的电极材料...
    2026-01-28
  • 一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管
    一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511511384.8
    本发明公开了一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构、源极金属、漏极金属、复合沟道保护介质、栅极金属；所述的GaN HEMT完整外延结构包括：衬底、成核层及高阻缓冲层、沟道层和势垒层；所述复合...
    2026-01-28
  • 高电子迁移率晶体管和方法
    高电子迁移率晶体管和方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510986876.6
    本公开涉及高电子迁移率晶体管和方法。一种HEMT结构包括外延堆，外延堆包括：沟道层，包括第一III‑V型半导体；和势垒层，按照外延方式在沟道层上生长并且包括第二III‑V型半导体。第一III‑V型半导体和第二III‑V型半导体使得沟道层和势...
    2026-01-28
  • 氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法
    氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法_住友电气工业株式会社_202510966401.0
    本公开提供得到高的耐压的氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置具有：第一氮化物半导体层，包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层，并具有与所述第一轴垂直的第一面；以及第二氮化物半导体层和第三氮化物半导体层，使所述沟道层和所...
    2026-01-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510252654.1
    提供了一种半导体器件，其包括：基板；沟道层，在基板上并且具有第一材料；阻挡层，位于沟道层上并且包括第二材料，第二材料具有与第一材料的能带隙不同的能带隙；栅电极，位于阻挡层上并且在第一方向上延伸；栅极半导体层，位于阻挡层和栅电极之间；源电极，...
    2026-01-28
  • 一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管
    一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管_深圳市美浦森半导体有限公司_202511805872.X
    本申请涉及半导体技术，公开了一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管，包括：在主体上表面制作介质层后，在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔；在主体上表面制作正面金属层，并刻蚀正面金属层，分别形成连通源极接触孔的...
    2026-01-28
  • 场效应晶体管激光增材制造方法、系统及其应用
    场效应晶体管激光增材制造方法、系统及其应用_中国科学技术大学苏州高等研究院_202511538708.7
    本发明公开了一种场效应晶体管激光增材制造方法、系统及其应用。场效应晶体管激光增材制造方法包括：以第一激光对栅极金属墨水、源极金属墨水和漏极金属墨水进行照射扫描形成栅极、源极和漏极，以第二激光对绝缘层墨水进行照射扫描形成绝缘层，以第三激光对半...
    2026-01-28
  • SiC MOSFET器件及其制备方法
    SiC MOSFET器件及其制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511435164.1
    本发明属于SiC MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明的SiC MOSFET制备方法通过将现有的常规Pwell版、N+版和P+版三次光刻工艺简化为只有一次Pwell版工艺，其中关键的N+版改为由...
    2026-01-28
  • 半导体装置以及其制造方法
    半导体装置以及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511366123.1
    提供一种半导体装置以及其制造方法。制造方法包含以下步骤：将一半导体层图案化为一通道层，其中该半导体层位于一基板上的一介电层上方；移除该通道层下方的该介电层的一第一部分以转动通道层，使得该通道层的一第一端高于该通道层的一第二端；及在该通道层上...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996407.2
    方法包括在第一半导体区域和第二半导体区域上方分别形成第一栅极电介质和第二栅极电介质，在第一栅极电介质和第二栅极介电质上方分别形成包括第一部分和第二部分的第一功函层，图案化第一功函数以去除第一功函层的第二部分，以及在第一栅极电介质和第二栅电介...
    2026-01-28
  • 一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管
    一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管_河北工业大学_202511544524.1
    本发明为一种具有共接阴极low K介质层和分立场板结构的准垂直肖特基势垒二极管。该二极管的组成包括：衬底上覆盖有N++电流扩展层，N++电流扩展层上的一侧覆盖有N‑‑漂移层，N‑‑漂移层为朝向内侧的台阶状，其上表面矩阵分布有分立场板介质层，...
    2026-01-28
  • 电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法
    电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法_深圳大学_202511271400.0
    本发明涉及电容技术领域，公开了一种电容结构、集成电路板及电容结构的制造方法，电容结构，包括衬底、第一导电层、第二导电层、绝缘层、第一引脚和第二引脚，衬底上开设有通孔，第一导电层贴设在通孔的侧壁，绝缘层贴设在第一导电层上，第二导电层贴设在绝缘...
    2026-01-28
  • 超深沟槽氧化铝的填充方法
    超深沟槽氧化铝的填充方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511430706.6
    本发明公开了一种超深沟槽氧化铝的填充方法，提供一晶圆，所述晶圆上具有需要填充氧化铝的超深沟槽；将所述晶圆送入反应腔室，通入TMA/N22原料气体，在反应腔室内反应一段时间；进行留置步骤，原料气体在反应腔室内滞留；对反应腔室内进行清洗，去除反...
    2026-01-28
  • 一种UFS芯片的封装方法
    一种UFS芯片的封装方法_华天科技(南京)有限公司_202511434560.2
    本发明提供了一种UFS芯片的封装方法，其使得整体封装的塑封体的内部连接线路简单，使得塑封体的厚度相对较薄，且封装后的散热性能好。其包括有至少一元器件、多块层叠的Nand Flash芯片、一FC芯片，将FC芯片反贴, 同时层叠的Nand Fl...
    2026-01-28
  • 半导体结构、存储芯片和电子设备
    半导体结构、存储芯片和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511633133.7
    本公开涉及一种半导体结构、存储芯片和电子设备，该半导体结构包括中介连接层、逻辑芯片和多个存储芯片。其中，逻辑芯片和多个存储芯片连接于中介连接层的一侧，且多个存储芯片在第一方向上位于逻辑芯片的侧向；存储芯片在第二方向的总长度大体等于逻辑芯片在...
    2026-01-28
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511554309.X
    本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底包括衬底、位于衬底内的源极区和漏极区、位于源极区、漏极区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成介质层，于介质层上形成第一金属互连层，其中，第一金属互连层包括第一绝缘层和贯穿第一...
    2026-01-28
  • 磁阻式随机存取存储器布局结构
    磁阻式随机存取存储器布局结构_联华电子股份有限公司_202411083304.9
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器布局结构，其中每个存储单元包含一第一字线、一第三字线以及一第二字线依序间隔排列在基底上且往一第一方向延伸越过主动区域、一第一磁隧穿结位于半导体后段金属层中，且一端连接到第二主动区域而另一端连接到一第一位线、...
    2026-01-28
  • 磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法
    磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法_北京超弦存储器研究院_202410977019.5
    本公开提供了一种磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法，该磁性存储结构包括自旋轨道矩耦合层和多个磁存储元件。其中，各磁存储元件均包括磁性隧道结以及单向导通件，多个磁存储元件中的磁性隧道结并列设置于自旋轨道矩耦合层上，单向导通件连接于磁性...
    2026-01-28
  • 存储芯片结构及其制备方法
    存储芯片结构及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202410976188.7
    本申请公开了一种存储芯片结构及其制备方法。该存储芯片结构包括基底，基底具有第一表面；阵列区，阵列区包括第一连接线，磁性隧道结、顶部电极、第一连接部和位线，其中，第一连接线设置在第一表面上，磁性隧道结设置在第一连接线背离基底一侧，位线设置在第...
    2026-01-28
  • 基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用
    基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511636762.5
    本发明公开了一种基于MFM的存储与显示一体化器件及其制作方法和应用。基于MFM的存储与显示一体化器件包括依次层叠设置的半导体基片、底电极、铁电功能层以及顶电极，所述底电极、所述铁电功能层和所述顶电极配置形成金属‑铁电‑金属结构，所述底电极与...
    2026-01-28
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