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最新专利技术
  • 存储器的操作方法和存储器
    存储器的操作方法和存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410961978.8
    本申请公开了一种存储器的操作方法和存储器，方法包括：将多条位线以相邻m条位线配置为一个位线组，多条位线包括n组位线组，n组位线组中的一个选定位线组包括被选存储单元对中的选定存储单元所连接的目标位线，m为大于2的正整数，n为大于1的正整数；选...
    2026-02-09
  • 页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置
    页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置_三星电子株式会社_202510364174.4
    公开了页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的存储器装置。所述页缓冲器电路包括：多个页缓冲器单元；以及多个高速缓存锁存器，通过组合感测节点与所述多个页缓冲器单元连接。所述多个页缓冲器单元中的每个包括与对应的感测节点连接的主锁存器。主锁存器包括与对应...
    2026-02-09
  • 存储装置及其操作
    存储装置及其操作_长江存储科技有限责任公司_202410976313.4
    在某些方面中，一种存储装置包括：存储单元的阵列；字线，分别耦合到所述存储单元的行；以及外围电路，通过所述字线耦合到所述存储单元的阵列。每个存储单元被设置为2NN个最终级别中的与一段N比特数据对应的一个最终级别，其中，N是大于2的整数。所述外...
    2026-02-09
  • 存储器
    存储器_无锡华润上华科技有限公司_202410973286.5
    本发明涉及一种存储器，每个存储单元包括：第一NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接控制栅端口；第二NMOS管，包括有源区和栅极，有源区连接TNU端口；第一PMOS管，包括第一有源区、第二有源区及栅极，第一有源区连接位线端口，第一NMOS管...
    2026-02-09
  • 超低压SRAM架构
    超低压SRAM架构_意法半导体国际公司_202510978890.1
    本公开涉及超低压静态随机存取存储器(SRAM)架构。本文中公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，该SRAM电路被设计为在存储器阵列电源电压(VDDMA)显著超过外围电路电源电压(VDDMP)的情况下可靠操作。公开了预充电电路和预充电...
    2026-02-09
  • 一种双晶体管动态随机存储器
    一种双晶体管动态随机存储器_上海交通大学_202410955417.7
    本公开提供一种双晶体管动态随机存储器，包括：写晶体管、读晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线；其中，写晶体管包括源极、栅极和漏极，读晶体管包括源极、栅极和漏极；写晶体管的栅极与写字线连接，写晶体管的漏极与写位线连接，读晶体管的漏极与读字线...
    2026-02-09
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410973619.4
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-09
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965704.6
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管、第二晶体管和写入控制开关，在每个存储器单元中，第一晶体管的栅极端子连接到第二晶体管的第...
    2026-02-09
  • 存算电路及其控制方法、以及芯片
    存算电路及其控制方法、以及芯片_杭州知存算力科技有限公司_202410965155.2
    提供一种存算电路及其控制方法、以及芯片，其中，存算电路包括：存储器阵列，包括：存储器阵列，包括：布置在多个行和多个列中的多个存储器单元，其中，每个存储器单元包括第一晶体管和第二晶体管，每个存储器单元中的所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第二...
    2026-02-09
  • 存储器器件及其操作方法
    存储器器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510992620.6
    本公开涉及一种存储器器件及其操作方法。根据本公开的实施方式，可以提供一种包括存储器存储体的存储器器件的操作方法，该存储器存储体包括多个边缘存储单元阵列和布置在所述多个边缘存储单元阵列之间的多个内部存储单元阵列。该操作方法可以包括：接收细粒度...
    2026-02-09
  • 存储器装置、主机装置和存储器系统
    存储器装置、主机装置和存储器系统_三星电子株式会社_202510989102.9
    提供了一种主机装置、存储器装置和存储器系统。主机装置与包括第一存储器存储体的存储器装置通信。主机装置包括：命令发出电路，其被配置为在每个常规刷新时段发出针对存储器装置的第一存储器存储体的常规刷新命令；第一借记计数器，其被配置为管理第一存储器...
    2026-02-09
  • 用于编程性能改进的最高数据状态编程-验证跳过
    用于编程性能改进的最高数据状态编程-验证跳过_桑迪士克科技股份有限公司_202510453538.6
    提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括连接到字线并被配置为保持对应于数据状态的阈值电压的存储器单元。数据状态包括最高数据状态，在该最高数据状态中，与该最高数据状态相关联的存储器单元的该阈值电压高于针对数据状态中的其他数据状态的该阈值电压...
    2026-02-09
  • 存储器装置
    存储器装置_爱普科技股份有限公司_202510462907.8
    本发明提供一种存储器装置，包括第一位线组、第一列选择电路、第一数据线和第二数据线。第一位线组包括第一位线和第二位线。第一列选择电路耦接至第一位线和第二位线。第一数据线包括耦接至第一列选择电路的第一线段。第二数据线包括耦接至第一列选择电路的第...
    2026-02-09
  • 在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术
    在硅衬底和封装衬底上耦合高带宽存储器设备的技术_太浩研究有限公司_202511618197.X
    公开了用于将高带宽存储器设备耦合在硅衬底和封装衬底上的技术。示例包括基于操作模式选择性地激活在高带宽设备的逻辑层的底侧上的输入/输出(I/O)触点或者命令和地址(CA)触点。I/O触点和CA触点用于经由一个或多个数据通道对包括在所述高带宽存...
    2026-02-09
  • 存储介质的写入控制方法及控制器
    存储介质的写入控制方法及控制器_超聚变数字技术有限公司_202511367159.1
    本申请涉及计算领域，尤其是提供一种存储介质的写入控制方法及控制器，所述方法包括：第一异构核在存储介质处于写保护的情况下，获取第二异构核发送的第一请求，所述第一请求用于请求写入数据，所述第一异构核与所述第二异构核的类型不同；向存储介质发送第一...
    2026-02-09
  • 灵敏放大器及数据处理方法、存储器、电子设备
    灵敏放大器及数据处理方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410968414.7
    本申请实施例提供了一种灵敏放大器及数据处理方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域。该灵敏放大器包括：包括：电连接的失调补偿单元和放大单元；失调补偿单元被配置为在失调补偿阶段，至少在放大单元的两个目标节点之间形成第一等效电阻，以在两个目标...
    2026-02-09
  • 本地互连数字线接口
    本地互连数字线接口_美光科技公司_202510986855.4
    本公开包含用于本地互连数字线接口的设备及方法。实例设备包含存储器单元阵列。存储器单元阵列中的每一存储器单元可耦合到数字线且第一间隔件可将所述数字线的第一部分与所述数字线的第二部分分离。本地互连数字线接口可定位于所述数字线的所述第一部分处且所...
    2026-02-09
  • 半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法
    半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法_南亚科技股份有限公司_202510318793.X
    提供一种半导体装置、存储器装置及使用逻辑门为堆叠结构中的半导体晶粒自动产生晶片识别符的方法。方法包含以下步骤：取得第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，其中第一半导体晶粒和第二半导体晶粒分别包含第一识别符产生电路和第二识别符产生电路；在第一半导体...
    2026-02-09
  • 一种维护指示部件的控制方法及计算设备
    一种维护指示部件的控制方法及计算设备_河南昆仑技术有限公司_202511379546.7
    本申请实施例提供一种维护指示部件的控制方法及计算设备。该方法中，控制器监测维护状态信息；维护状态信息包括维护指示部件的触发状态或者存储抽屉的抽屉状态。控制器在基于维护状态信息，确定维护指示部件满足状态调整条件的情况下，获取维护指示部件对应的...
    2026-02-09
  • 存储装置及电子设备
    存储装置及电子设备_华为技术有限公司_202410981868.8
    本申请实施例公开了一种存储装置及电子设备。该存储装置的机壳内设置有中框，将机壳的内腔分隔形成第一空间和第二空间，中框上开设有进风口和出风口；其旋转盘体、发热功率器件和导风部件位于第一空间内，进风口位于靠近旋转盘体的一侧，出风口位于靠近发热功...
    2026-02-09
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