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最新专利技术
  • 一种光电器件的封装方法及结构
    一种光电器件的封装方法及结构_苏州科阳半导体有限公司_202511507481.X
    本发明公开了光电器件的封装方法及结构。封装方法包括：提供多个第一通孔基板和多个光芯片；提供对位板；对位贴装多个第一通孔基板和对位板，对位贴装多个光芯片和对位板；提供包括多个第二通孔基板的第二基板单元并键合连接第二基板单元和多个第一通孔基板；...
    2026-04-26
  • 一种芯片凸点制作方法及真空焊炉
    一种芯片凸点制作方法及真空焊炉_北京顺星聚源微电子有限公司_202510481621.4
    本发明涉及半导体芯片加工技术领域，提出了一种芯片凸点制作方法包括：所述芯片凸点制作方法包括：将芯片及治具放置在真空焊炉的加热板上；氧化层厚度检测装置检测芯片的氧化层厚度；根据氧化层厚度设置甲酸浓度、清洗时间和清洗温度；根据所述甲酸浓度、所述...
    2026-04-26
  • 一种适用于基板翘曲的自适应植球治具
    一种适用于基板翘曲的自适应植球治具_江苏海纳电子科技有限公司_202511916694.8
    本发明公开了一种适用于基板翘曲的自适应植球治具，涉及基板植球技术领域，包括校正装置，用于对真空吸盘吸附的基板的位置进行校正；助焊剂蘸点装置，用于将助焊剂点涂到基板的pad上，包括设置在三轴移动装置上的PIN固定板，PIN固定板中部固定连接有...
    2026-04-26
  • 一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统
    一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统_广东阿达半导体设备股份有限公司_202511912344.4
    本发明公开了一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统，属于半导体封装设备的技术领域；本方法通过实时图像识别再搜索与结果比对机制，计算实时位置与对应的初始扫描位置之间的位移偏差，根据结果执行位置迭代更新，智能纠偏，在提升UPH的同时实现了全自...
    2026-04-26
  • 一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法
    一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法_三河建华高科有限责任公司_202511373537.7
    本发明公开了一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法，涉及晶圆键合技术领域，包括：顶部夹持装置、箱体、导轨模块、上料单元、XYZθ四向对准运动单元、承片底座模块以及底部镜头单元，所述顶部夹持装置用于吸附上晶圆基板；所述上料单元安装于导轨模块上；所...
    2026-04-26
  • 一种UBM跨越式晶圆级封装结构
    一种UBM跨越式晶圆级封装结构_江苏纳沛斯半导体有限公司_202511462923.3
    本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片、介质层、再分布层、凸块下金属化层、焊料凸块；通过RDL和UBM跨越结构，将焊垫信号引至芯片任何位置，实现了更高的I/O密度和更灵活的设计布局，嵌入式腔体为MEMS、传感器等敏感元件提供了...
    2026-04-26
  • 半导体结构
    半导体结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410989543.4
    本发明公开一种半导体结构，包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。
    2026-04-26
  • 大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法
    大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法_苏州锐杰微科技集团有限公司_202511681043.5
    本发明属于大功率电子元器件基材技术领域，公开了一种大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法，陶瓷封装基板中陶瓷芯板上方和下方均设置ABF复合层；陶瓷基板内固定高导热基材；陶瓷基板上设置互联孔，陶瓷基板上表面、下表面以及互联孔内均设置...
    2026-04-26
  • 一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块
    一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块_无锡华测电子系统有限公司_202511383884.8
    本申请公开了一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块，属于微波系统技术领域；其中，第二基板与第一基板通过焊球垂直堆叠互联，构成三维集成结构；射频源单元用于提供本振信号；射频单元包括本振链路、中频链路以及射频链路；本振链路、中频链路、射频链路间...
    2026-04-26
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510948755.2
    本公开提供一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一温度敏感结构、一第一多层结构及一第二多层结构。该温度敏感结构具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面。该第一多层结构安置于该温度敏感结构之该第一表面下方且经组态以响应于一第一温度变化而...
    2026-04-26
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510202959.1
    一种半导体封装件包括：基底，包括多个过孔；以及芯片堆叠件，在基底上。芯片堆叠件包括多个半导体芯片，其中，第一半导体芯片是芯片堆叠件中的所述多个半导体芯片中的最下面的半导体芯片，第一半导体芯片的芯片垫和基底的基底垫彼此接合，并且芯片垫和基底垫...
    2026-04-26
  • 一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺
    一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺_讯芯电子科技(中山)有限公司_202511391145.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺，本封装结构包括基板、裸芯片和塑封层，基板的中部设有装焊区，装焊区的四侧分别与其对应的基板的边缘之间形成侧部焊接区，侧部焊接区的外侧设有多个沿基板的外周间隔布置的...
    2026-04-26
  • 引线框架及芯片封装模块
    引线框架及芯片封装模块_通富微电子股份有限公司_202511714497.8
    本公开实施例提供一种引线框架及芯片封装模块，该引线框架包括框架主体和呈阵列排布于所述框架主体的多个引线单元，引线单元包括沿框架主体宽度方向相对设置的控制部和功率部；控制部包括间隔设置的第一载片台以及设置于第一载片台背离所述功率部一侧的第一内...
    2026-04-26
  • 一种TOLL引线框架装置及封装产品
    一种TOLL引线框架装置及封装产品_华羿微电子股份有限公司_202511345436.9
    本申请公开一种TOLL引线框架装置及封装产品，涉及半导体器件封装制造技术领域，能够提高封装产品的耐压和耐热性能和该封装外形的封装能力。装置包括：散热片和多个管脚；散热片的第一平面中包括第一载片区，多个管脚中包括至少一个第二载片区，第一载片区...
    2026-04-26
  • 一种智能功率模块及其制造方法
    一种智能功率模块及其制造方法_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511390186.0
    本发明属于智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块及其制造方法，智能功率模块包括基板、芯片功能层、功能模块组件和若干个智能功率模块引脚，其中功能模块组件包括金属衬底板、若干个功能元器件和若干个功能模块引脚，功能模块组件通过金属衬底板的贴...
    2026-04-26
  • 一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法
    一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511363508.2
    本发明属于半导体技术领域，提供了一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法。本发明先在基板表面依次沉积粘附层和Cu种子层，然后完成图形化处理，在电镀区填充铜，刻蚀除去非电镀区的粘附层和Cu种子层后，进行ALD沉积，得到含有第一无机层和第二无机层...
    2026-04-26
  • 一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法
    一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法_北京超弦存储器研究院_202410935772.8
    本发明涉及一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的晶圆表面改性处理方法存在的混合键合时退火温度高和/或键合面孔隙率高的问题。所述方法包括：(1)在晶圆表面的金属焊盘和第一介质层上形成第二介质层；(2)去掉...
    2026-04-26
  • 封装基板制造方法及封装基板
    封装基板制造方法及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511929231.5
    本申请属于封装制造技术领域，具体公开了一种封装基板制造方法及封装基板，封装基板制造方法包括：提供支撑板，支撑板包括支撑层、载体层、第一导体层；采用激光设备在支撑板上进行烧蚀以形成环形槽，环形槽的深度贯穿第一导体层和载体层至支撑层内；在支撑板...
    2026-04-26
  • 高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法
    高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法_深圳市锦瑞新材料股份有限公司_202511909190.3
    本发明涉及倒装封装技术领域，公开了高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法。该方法通过构建耦合聚焦声场、自下而上温度梯度与电化学反应的多物理场环境，利用声流效应强化孔底传质，结合热梯度提升底部反应速率，并基于原位交流阻抗实时调控声场焦...
    2026-04-26
  • 一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法
    一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202511544747.8
    本发明公开了一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法，涉及半导体技术领域，包括以下操作步骤：步骤1：将覆铜铝陶瓷基板进行表面预处理，再设置耐酸掩膜，得到覆铜铝陶瓷基板A；步骤2：通过菲林片对覆铜铝陶瓷基板A通过曝光、显影进行图形转移，形成所需图...
    2026-04-26
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