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最新专利技术
  • 一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法
    一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202511544747.8
    本发明公开了一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法，涉及半导体技术领域，包括以下操作步骤：步骤1：将覆铜铝陶瓷基板进行表面预处理，再设置耐酸掩膜，得到覆铜铝陶瓷基板A；步骤2：通过菲林片对覆铜铝陶瓷基板A通过曝光、显影进行图形转移，形成所需图...
    2026-04-26
  • 一种基于硅基-空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置
    一种基于硅基-空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置_上海芯源创新中心_202511544323.1
    本发明公开了一种基于硅基‑空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置，先在硅基衬底正面刻蚀出TSV盲槽，并在表面溅射上种子层进行盲槽电镀，待槽内镀实金属后进行机械磨平；随后完成顶层与底部金属图形化，以及硅基‑空气背腔结构的刻蚀。通过该方案...
    2026-04-26
  • 实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构
    实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构_北京芯力技术创新中心有限公司_202511222191.0
    本发明提供一种实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构。该方法包括：制备由硅转接板和重布线转接板组成的复合转接板结构；在所述硅转接板上方制备用于连接计算芯片和存储芯片的重布线层和微凸点；使所述硅转接板经由在其下方制备的微凸点...
    2026-04-26
  • 封装基板及其制备方法
    封装基板及其制备方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202410930879.3
    本申请提出一种封装基板及其制备方法。本申请实施例的封装基板的制备方法，通过在载板上设置介电层，并在介电层上制作形成线路层，从而能减少一次压合，使得到的封装基板(三层无芯结构)的厚度减薄。本申请实施例的封装基板，介电层表面的第二线路层与介电层...
    2026-04-26
  • 高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备
    高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备_安徽盛烨电子科技有限公司_202511816118.6
    本发明公开了高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备，涉及半导体引线框架技术领域，包括：加工单元，所述加工单元包括底模板，所述底模板的侧部设置有夹槽，所述底模板从中心到外侧依次设置有两个阻隔槽，相邻所述阻隔槽之间设置有切割槽；模组单元，所述...
    2026-04-26
  • 一种预防半导体功率器件分层的封装方法
    一种预防半导体功率器件分层的封装方法_华羿微电子股份有限公司_202511548859.0
    本发明提供一种预防半导体功率器件分层的封装方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括对镀银或镀镍引线框架进行清洁处理形成洁净导电表面，对洁净导电表面进行上芯处理和压焊处理形成芯片互连结构；对芯片互连结构进行电沉积处理形成树枝状纳米结构层，对树枝...
    2026-04-26
  • 半导体结构
    半导体结构_稳懋半导体股份有限公司_202511412701.0
    一种半导体结构，包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置设置于前述基板的第一区域中，前述被动装置设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一遮蔽结构和一保护层。前述遮蔽结构包括一阻挡层和一顶盖层，前述阻挡...
    2026-04-26
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511801356.X
    本申请公开了一种封装结构及其形成方法，其中，封装结构的形成方法，包括：提供金属载板；提供至少两个金属块，将所述金属块贴装在所述金属载板表面；提供半导体芯片，将所述半导体芯片倒装在所述金属块的顶面；在所述金属载板上形成包覆所述金属块和所述半导...
    2026-04-26
  • 数据及电力隔离屏障
    数据及电力隔离屏障_德州仪器公司_202511478875.7
    本申请涉及数据及电力隔离屏障。一种半导体封装包含具有初级绕组(L1)及次级绕组(L2)的变压器(T1)。所述初级绕组(L1)具有第一及第二端子以及一对抽头。所述次级绕组(L2)具有第一及第二端子以及一对抽头。所述半导体封装包含第一及第二数据...
    2026-04-26
  • 一种轻质高导热的芯片热管连接结构
    一种轻质高导热的芯片热管连接结构_苏州鸿凌达电子科技股份有限公司_202511663526.2
    本发明涉及导热材料技术领域，公开了一种轻质高导热的芯片热管连接结构，包括：石墨导热单元，包括多个按预设顺序排列的石墨导热单体，石墨导热单体的平面导热方向垂直于芯片与热管的接触面；封装体，填充于石墨导热单元四周，将石墨导热单元集成为一体结构；...
    2026-04-26
  • 一种高效微流道散热冷板
    一种高效微流道散热冷板_南京奕可飞电子科技有限公司_202511504006.7
    本发明公开了一种高效微流道散热冷板，涉及散热板技术领域，包括导热板，所述导热板的底部设置有导热机构，所述侧端壳的内侧设置有交替分流机构；所述导热机构包括架杆，所述架杆固定连接在导热板的底面中部，所述架杆的外表面固定连接有接触底座，所述导热板...
    2026-04-26
  • 一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法
    一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法_上海应用技术大学_202511260197.7
    本发明属于电子器件热管理技术领域，具体涉及一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法。该散热装置包括底板，底板密封连接于安装有芯片的基板上，射流板安装于底板上，盖板安装于射流板上，盖板上设有冷却液入口和冷却液出口，用于安装接头。底板上设有底板...
    2026-04-26
  • 集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用
    集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用_甬江实验室_202511236149.4
    本申请公开了一种集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用，属于芯片液冷式散热技术领域。该微流控液冷散热模块包括微流控基底、压电薄膜；所述压电薄膜覆盖于所述微流控基底一侧的表面；所述微流控基底朝向所述压电薄膜一侧的表面设置有凹槽通道；所述...
    2026-04-26
  • 一种GaN集成功率器件
    一种GaN集成功率器件_上海鸿劢电子科技有限公司_202511363656.4
    本发明公开了一种GaN集成功率器件，涉及半导体器件技术领域，封装壳和基板，基板安装在封装壳内，封装壳的一侧为对流端，且封装壳的另一侧为冷却端，对流端安装有风冷件，且冷却端处设有隔离腔室的罐体，基板处于对流端和冷却端之间，且封装壳内部边缘间隙...
    2026-04-26
  • 一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法
    一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法_厦门大学_202511908190.1
    本发明提供了一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明提供的基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构，包括设置在高电子迁移率晶体管外延晶圆底部的散热微孔，其内填充有金刚石2；所述高电子迁...
    2026-04-26
  • 一种半导体封装结构及其制备方法
    一种半导体封装结构及其制备方法_广东省新兴激光等离子体技术研究院_202511416230.0
    本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。一种半导体封装结构，包括沿半导体封装结构的厚度方向层叠设置的基板和互连结构，互连结构包括导电层和导热区；导电层包括导电通道、第一绝缘材料，第一绝缘材料在不同的导电通道之间形成电性隔离；构成导热区的材...
    2026-04-26
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511373116.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的表面形成多晶硅层，对第二区域上方的多晶硅层进行离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在多晶硅层上形成第一介质层；去除位于第一区域上方的多晶硅层和第一介质层，以...
    2026-04-26
  • 一种芯片的制备方法及芯片
    一种芯片的制备方法及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511907701.8
    本申请公开了一种芯片的制备方法及芯片，芯片的制备方法，包括：在半导体层上依次形成第一导体层和第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成桥墩结构；在所述桥墩结构之间形成牺牲层；在所述桥墩结构上依次形成第三绝缘层和桥梁结构；以及去除所述牺牲层，形成空气...
    2026-04-26
  • 形成钼的金属膜的方法及装置
    形成钼的金属膜的方法及装置_东京毅力科创株式会社_202510902013.6
    本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置，能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时，实施以下工序：对基板形成钨的金属基底膜；以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜，钼的晶粒尺寸变大，能够形成电阻率小的...
    2026-04-26
  • 实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法
    实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415530.7
    本发明提供一种实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法。该方法包括：对形成于金属层上的光刻胶层进行减薄处理；通过调整光刻工艺的焦距及进行紫外光固化烘烤处理，使光刻胶层形成具有目标倾斜角度的掩模形貌；以该掩模形貌为掩模，采用去耦等离子体源刻蚀设备，通...
    2026-04-26
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