Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 太阳能电池膜层的厚度在线监控方法及系统
    太阳能电池膜层的厚度在线监控方法及系统_天合光能(淮安)光电有限公司_202511334770.4
    本发明提供了一种太阳能电池膜层的厚度在线监控方法及系统，方法包括：将光束垂直照射到太阳能电池膜层上，将所述光束的反射光信号分别发送到光谱反射仪和激光干涉仪中；通过所述光谱反射仪分析出所述反射光信号中的光程差，通过所述激光干涉仪分析出所述反射...
    2026-04-27
  • 基片处理装置和劣化程度判断方法
    基片处理装置和劣化程度判断方法_东京毅力科创株式会社_202511333853.1
    本发明提供能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法。基片处理装置包括：基片保持部；喷嘴部；对喷嘴部供给处理液的导电性配管；将导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在基片保持部的周围的液接收部，其...
    2026-04-27
  • 基板处理系统、基板处理方法以及存储介质
    基板处理系统、基板处理方法以及存储介质_东京毅力科创株式会社_202510913336.5
    本公开提供一种基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本公开的基板处理系统具备：一个处理容器和其它处理容器，所述一个处理容器和所述其它处理容器分别形成保存基板的一个处理空间和其它处理空间；气氛调整机构，其将包括所述一个处理空间和所述其它处理...
    2026-04-27
  • 一种晶圆回流方法及晶圆回流真空炉
    一种晶圆回流方法及晶圆回流真空炉_北京顺星聚源微电子有限公司_202510481622.9
    本发明涉及半导体芯片加工技术领域，提出了一种晶圆回流方法包括：晶圆回流真空炉依次设置第二甲酸清洗区、真空甲酸回流区、第一冷却区、第二冷却区；晶圆进入第二甲酸清洗区；晶圆进入真空甲酸回流区，设置真空甲酸回流区的温度为第二温度，设置真空甲酸回流...
    2026-04-27
  • 一种湿法刻蚀设备换酸控制系统及方法
    一种湿法刻蚀设备换酸控制系统及方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410927612.9
    本发明提供一种湿法刻蚀设备换酸控制系统及方法，所述系统包括：厚度测量系统，用于测量每片晶圆刻蚀之前的厚度与刻蚀之后的厚度；失效侦测控制系统，用于计算每片晶圆刻蚀前后的厚度差值，并根据厚度差值与晶圆进行湿法刻蚀的工艺时间得到每片晶圆的实际刻蚀...
    2026-04-27
  • 一种在线清洗晶圆电镀种子层的设备及方法
    一种在线清洗晶圆电镀种子层的设备及方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202410882994.8
    本发明提供了一种在线清洗晶圆电镀种子层的设备及方法，在晶圆进入清洗状态以前，传感装置捕捉支撑台上旋转的晶圆的现场工作数据，并对晶圆圆心等进行坐标定位，传感装置将前述晶圆定位信息发送至控制装置，控制装置对获取到的坐标信息进行运动轨迹拟合处理，...
    2026-04-27
  • 一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法
    一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法_浙江机电职业技术大学_202511787866.6
    本发明公开了一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法，涉及自动刮料技术领域，包括加工柜，所述加工柜内部固定连接有放置台，加工柜内部设置有移动座，移动座外侧设置有位移组件，通过控制机构调整橡胶套由圆口变形为扁口，圆形射流在单位面积上的冲击...
    2026-04-27
  • 一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构
    一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构_山东联盛电子设备有限公司_202511731462.5
    本发明公开了一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构，涉及硅片清洗技术领域；硅片清洗提篮的花篮连接板顶面上横向排列有若干导向框；硅片顶升杆穿过各导向框的竖向开口；花篮连接板上设有若干花篮插孔，硅片顶升杆底面上设有若干支撑柱。硅片清...
    2026-04-27
  • 基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法
    基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511646187.7
    本发明公开了基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，具体涉及半导体制造技术领域，包括CVD前洗净机，所述CVD前洗净机包括有SC‑1药液槽，在所述CVD前洗净机的SC‑1药液槽进行药液换液过程中，执行氢氟酸泡槽工序，该工序包括以下步骤：S1...
    2026-04-27
  • 一种硅片清洗装置与清洗方法
    一种硅片清洗装置与清洗方法_广州宇脉电子科技有限公司_202511510566.3
    本发明属于硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片清洗装置与清洗方法，一种硅片清洗装置，包括清洗箱，清洗箱内固接有多个竖杆，多个竖杆中位于左侧的两个竖杆之间滑动连接有一个移动座，位于右侧的两个竖杆之间滑动连接有另一个移动座，两个移动座之间连接有移...
    2026-04-27
  • 一种晶圆清洗系统和方法
    一种晶圆清洗系统和方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511482114.9
    本公开提供了一种晶圆清洗系统和方法，系统包括清洗液供给装置、兆声波换能器、传感装置以及控制装置，其中，清洗液供给装置用于向晶圆的表面施加清洗液；兆声波换能器被配置为在清洗液中产生兆声波场；传感装置被配置为实时监测用于表征所述兆声波换能器到所...
    2026-04-27
  • 清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件
    清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件_比亚迪股份有限公司_202511429610.8
    本申请提供了一种清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件，该清洗机包括：旋转卡盘，包括中心部、外围部以及连接所述中心部和所述外围部的连接件；所述外围部设置有多个第一限位柱和至少一个第二限位柱；所述多个第一限位柱间隔设置，所述第二限...
    2026-04-27
  • 应用于化镀工艺中的清洗方法
    应用于化镀工艺中的清洗方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511379075.X
    本申请公开了一种应用于化镀工艺中的清洗方法，包括：将晶片浸没于清洗槽的去离子水中，该晶片是进行减薄处理和化镀工艺后的晶片；对晶片进行至少两次清洗处理，该清洗处理包括通过去离子水进行溢流和鼓泡，溢流是指在去离子水中产生流动，鼓泡是指在去离子水...
    2026-04-27
  • 一种针对厚金属层的晶圆切割方法
    一种针对厚金属层的晶圆切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511476857.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体的说是一种针对厚金属层的晶圆切割方法。一种针对厚金属层的晶圆切割方法，具体方法流程如下：S1，对晶圆的背面进行研磨，达到所需的厚度；S2，对晶圆的背面进行贴膜，并安装铁环支撑；S3，对晶圆正面沿切割道进行激光...
    2026-04-27
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410927163.8
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构的上表面分布有芯片、密封环、划片槽和空白区，空白区不设置金属；半导体结构上设置图形化的光刻胶；对空白区及下方半导体结构等离子体刻蚀形成沟槽；去除光刻胶；对半导体结构下表...
    2026-04-27
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410923991.4
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构包括衬底层和器件层，器件层包括芯片和相邻芯片之间的切割道区域；半导体结构上表面有硬掩模介质层；对硬掩模介质层激光切割显露衬底层，以硬掩模介质层为掩膜对衬底层等离子体刻蚀...
    2026-04-27
  • 一种解键合设备和解键合方法
    一种解键合设备和解键合方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511927579.0
    本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。解键合设包括激光源和用于承载键合件的载台。所述解键合设备还包括：第一半环和第二半环，分别位于所述载台的两侧；驱动部件，连接所述第一半环和所述第二半环，以驱动两者径向合拢或分离；以及控制器，被配置为：控...
    2026-04-27
  • 晶圆的切边方法
    晶圆的切边方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511414996.5
    本申请公开了一种晶圆的切边方法，包括：通过第一刀头进行切边处理，切入切边区域中承载晶圆的预定深度，在承载晶圆中形成凹槽切痕；通过第二刀头进行切边处理，去除切边区域的器件晶圆和承载晶圆，第二刀头的宽度大于第一刀头的宽度；其中，器件晶圆与承载晶...
    2026-04-27
  • 一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法
    一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511454270.4
    本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法。具体方法流程如下：S1，提供晶圆；S2，在晶圆表面贴附一层研磨胶膜；S3，对晶圆进行预研磨；S4，将晶圆背面朝上，贴有研磨胶膜的正面吸附在隐形激光切割机的工...
    2026-04-27
  • 一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法
    一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法_美新半导体(绍兴)有限公司_202511355469.1
    本发明公开了一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法，其具体步骤如下：S1：基底上依次设置有AMR磁性金属膜层、TiW膜层和铝膜层，使用H22O22溶液在20～40℃下腐蚀晶圆表面刻开区的TiW膜层，再对其进行冲水、甩干；S2：甩干后...
    2026-04-27
首页 上一页 11 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证