Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法
    一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法_江苏超芯星半导体有限公司_202511464727.X
    本发明提供一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法。所述碳化硅一体化衬底的结构为以下任意一种；层叠结构：由N掺杂碳化硅底层和N掺杂碳化硅顶层层叠构成，所述N掺杂碳化硅顶层的电阻率大于所述N掺杂碳化硅底层的电阻率；梯度结构：沿厚度方向N掺杂浓...
    2026-01-27
  • 一种无结晶体管
    一种无结晶体管_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202410918034.2
    本申请提供一种无结晶体管，包括衬底，以及衬底上依次层叠的埋氧层、核层和壳层，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，壳层上具有栅极，壳层在沿衬底的表面的第一方向上的尺寸大于栅极沿第一方向的尺寸，也就是说，相比于壳层在第一方向的尺寸等于栅极在第一方...
    2026-01-27
  • 屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法
    屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法_华羿微电子股份有限公司_202511488743.2
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期...
    2026-01-27
  • 电子器件结构及其制备方法和应用
    电子器件结构及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511451643.2
    本发明公开了一种电子器件结构及其制备方法和应用。电子器件结构的制备方法包括：提供第一导电类型的第一半导体层，在第一半导体层的选定区域形成至少一槽状结构；在槽状结构内形成电场抑制层，电场抑制层分布在槽状结构的槽底转角区域，并形成衔接侧壁与槽底...
    2026-01-27
  • 一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法
    一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法_浙江大学_202511288986.1
    一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法，属于功率器件制备技术领域，包括：提供外延片；在衬底上构造超结结构；其中，所述超结结构包括下层超结层和上层超结层；所述下层超结层包括第二导电类型的下层介质柱区，所述下层介质柱区与下层超结层的...
    2026-01-27
  • 一种JFET器件及其制造方法
    一种JFET器件及其制造方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511283669.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种JFET器件及其制造方法，其包括衬底(104)，衬底(104)上形成栅极沟槽，衬底(104)上注入有源极N+区(106)和位于栅极沟槽侧壁的栅极P区(105)，栅极P区(105)、源极N+区(106)上设...
    2026-01-27
  • 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器
    薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器_深圳大学_202511616814.2
    本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器，属于薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底；绝缘层，所述绝缘层设置于所述衬底的一面；有源层，所述有源层设置于所述绝缘层背离所述衬底的一面；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置于所...
    2026-01-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511574234.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区...
    2026-01-27
  • 超结半导体装置及其制造方法
    超结半导体装置及其制造方法_美格纳半导体有限公司_202510937128.9
    本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边...
    2026-01-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510126355.3
    一种半导体装置包括衬底、第一电极和第二电极。该半导体装置包括MOSFET，其具有作为漏极的第一电极和作为源极的第二电极。第一电极具有设置在第一主面上的层区域，以及在从第一电极到第二电极的第一方向上从第一主面延伸到衬底中的第一区域。第一电极的...
    2026-01-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510068894.6
    一种半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、栅电极和第二电极。该栅电极具有与第二半导体区域相对的第一区域和与第三半导体区域相对的第二区域。该栅电极具有从第二区域的下表面到上表面的第一长度和从第一区域的下表面到...
    2026-01-27
  • 具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法
    具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法_德州仪器公司_202511682614.7
    本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置(100)包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管(106)。所述半导体装置(100)具有包含带有波纹顶表面(116)的半导体材料(104)的...
    2026-01-27
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427920.6
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和沟槽，第一区域设置为第一导电类型，阱区设置为第二导电类型；第二区域设置...
    2026-01-27
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411197172.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式所涉及的半导体装置具有：第1电极及第2电极，分别设置于半导体层的第1主面及第2主面；第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，从第1半导体区域朝向第2电极延伸，具有上侧区域和下侧区域，...
    2026-01-27
  • 一种氧化镓功率器件及其制造方法
    一种氧化镓功率器件及其制造方法_深圳市朗帅科技有限公司_202511442649.3
    本发明提供了一种氧化镓功率器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：漏极、n掺杂氧化镓衬底和n型氧化镓漂移区；漂移区包括第一n型氧化镓漂移区、第二n型氧化镓漂移区和鳍状沟道；鳍状沟道两侧依次布置有高k栅介质层、栅极、绝缘层和源极；绝缘层中...
    2026-01-27
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410940398.0
    本申请实施例提供了一种芯片、制备方法及电子设备，该芯片包括：衬底和长沟道晶体管，长沟道晶体管设置在衬底上，长沟道晶体管包括鳍结构Fin、源极、漏极、第一间隔层、环栅、第二间隔层；其中，源极和漏极分别设置在鳍结构的同侧或不同侧，且，源极在衬底...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件和掩膜版
    一种半导体器件和掩膜版_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511601617.3
    一种半导体器件和掩膜版，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有由隔离结构界定的有源区，所述有源区沿第一方向延伸；栅极结构，形成在所述半导体衬底上且横跨所述有源区，所述栅极结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；其中，所述有源区...
    2026-01-27
  • MOSFET器件及其形成方法
    MOSFET器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511534908.5
    本发明涉及一种MOSFET器件及其形成方法。所述MOSFET器件包括：衬底，包括沿第一方向相对分布的正面和背面；阱区，位于衬底内，阱区中包括第一掺杂元素；隔离结构，位于衬底内且分布于阱区的侧面；阻挡层，位于阱区与隔离结构之间，阻挡层用于阻挡...
    2026-01-27
  • 一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法
    一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法_上海大学_202511435877.8
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管，设置有底栅编程栅极和顶栅控制栅极，使用两个分立的栅极的形式，极大限度地减少晶体管编程与晶体管控制操作之间的串扰，提升晶体管的非易失特性与实用性，解决了传统晶体管在非...
    2026-01-27
  • 基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片
    基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片_深圳大学_202511305032.7
    本发明公开了一种基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片。器件包括依次堆叠的栅电极、阻挡层、铁电层、隧穿层、二维半导体层及源漏电极；二维半导体层具有光电响应特性，隧穿层被配置为使...
    2026-01-27
首页 上一页 11 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证