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  • 本发明公开了一种配电柜用紧急保护装置,包括柜体、转轴、柜门和灭火控制器,所述柜体内部设有烟雾传感器,所述柜门内侧设有多个轨道,所述转轴内部为中空状,所述输气管路的输入端连通储气罐的输出端,所述输出管路分别连通增压罐的两端内部,所述输出管路的...
  • 本发明公开了一种多能源互补的户外大功率电器一体化供电箱,属于供电箱技术领域,该多能源互补的户外大功率电器一体化供电箱,包括底座,所述底座的上端固定连接有外壳,所述外壳的一侧设置有对开门,所述外壳的两侧均固定连接有散热箱,所述外壳内固定连接有...
  • 本发明涉及电能计量箱技术领域,具体涉及一种在室外使用的防潮型电能计量箱;包括导热板,导热板固定安装在箱体背板上,箱体的箱顶板顶端固设n型架,n型架的顶板上固定贯穿有导热管,导热管的一端密封贯穿箱顶板延伸至箱体内部,导热管通过焊接传热方式与导...
  • 本发明公开了一种真空灭弧环保型环网柜,属于环网柜技术领域,该真空灭弧环保型环网柜,包括外壳,外壳的一侧转动连接有柜门,所述外壳的上端固定连接有若干制冷机构,所述外壳的下端固定连接有若干脚垫,所述外壳内固定连接有控制面板,所述控制面板远离柜门...
  • 本发明提供一种模块化装配式高压配电箱,涉及电气设备技术领域。该帐篷布生产用的涂覆装置,包括外壳,所述外壳的正面活动设有箱门,所述箱门的背面固定设有保护块,所述外壳的两侧内壁上均设有两个T型板,多个所述T型板之间设有两个支板,所述外壳的两侧均...
  • 本发明涉及电气控制柜技术领域,具体公开了一种节能型电气控制柜,包括柜体,所述柜体的内部设置有温湿度控制机构和清洁机构,所述温湿度控制机构包括安装于柜体内部顶端的温度控制器和湿度控制器,所述柜体的右端贯穿且固定连接有散热腔,所述散热腔的内部转...
  • 本发明属于电力设备柜体技术领域,尤其为一种多层防护结构的智能型户外电力柜柜体,包括外壳体,其外壳体表面开设有多个散热槽,外壳体内设置有内壳体,所述内壳体的侧边安装有侧边防护部;本发明通过侧边防护部和背部防护部构建起坚固的硬性防护外壳,在当外...
  • 本发明涉及一种带有远程控制的隔离接地开关电源回路及高压开关汇控柜,属于电路控制领域。本发明在现有的控制电源子回路中串联的有转换开关的近控触点,控制电源子回路或电机电源子回路的总空开还通过远近控转换开关的远控触点连接遥控模块的公共端,遥控模块...
  • 本发明提供了虚拟电厂用站端接入设备及接入方法,解决了站端设备上的线路繁多,下层的线路受到上层线路的搭接压力而导致接口寿命降低、故障率较高的问题。本发明包括站端设备,站端设备的前侧设有安装架,安装架包括沿前后方向延伸且竖向设置的安装侧板,安装...
  • 本发明涉及以其形状为特征的非绝缘导体或导电体领域,特别是涉及到了一种铜排均压装置及开关柜。铜排均压装置包括作为弹簧屏蔽罩的螺旋弹簧,所述螺旋弹簧的内孔构成供铜排穿过的屏蔽腔,螺旋弹簧的簧圈与簧圈之间的间隙构成散热通道,为所述弹簧屏蔽罩配置有...
  • 本申请提供了一种用于电动飞行器的低压配电装置及电动飞行器,低压配电装置包括配电装置壳体和配电结构,配电装置壳体和配电结构形成多个配电模块。配电装置壳体包括主体、多个盖板和多个电连接器,多个盖板用于分别至少部分遮盖多个配电模块,每个盖板经由活...
  • 本发明属于美容设备技术领域,尤其为一种美容用晖皓离子激发装置,包括装置壳体,装置壳体的头部设置有离子激发头,离子激发头包括绝缘基座和固定于其上的激发电极组,激发电极组由多个微电极以阵列形式排布构成;装置壳体内部设置有离子激发电路,离子激发电...
  • 本发明属于水负离子发生领域,具体是涉及到一种水负离子发生装置及其发生方法,其中水负离子发生装置包括振动机构Ⅰ、供水机构以及一个具有射流孔的射流腔;所述振动机构Ⅰ包括电源模块和振动片Ⅰ,所述振动片Ⅰ设置在所述射流腔的腔壁上,所述供水机构用于使...
  • 本发明提供了一种高功率脉冲功率系统同轴火花开关,由同轴内导体、同轴外导体以及内凹型介质块三部分组成,通过合理设计同轴内导体渐变段和内凹型介质块的尺寸,实现了高效率传输微波信号的功能。本发明相较于通常使用的介质外凸、内导体半径不变型同轴火花开...
  • 本发明公开了一种半导体光放大器的制作方法及结构,其中方法包括:对衬底表面进行布局,将衬底表面沿长度方向依次划分为第一模斑转换器区、第一放大区、第二放大区和第二模斑转换器区;在衬底上生长缓冲层材料;在缓冲层材料上制作预设的掩膜对图形;在未被掩...
  • 本发明公开了一种混合集成多波长光源模块,适用于数据中心互联与传输、光计算与人工智能等对带宽密度与系统复杂度有需求的应用场景。该模块包括波长可调谐激光器芯片阵列、光学透镜组、光学隔离器、合波器、光学基板及温度控制器,通过混合集成方案实现多波长...
  • 本发明提供一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法,属于光电子技术领域,采用多层外延结构,从下至上依次包括GaAs衬底与缓冲层、分段式下限制层与下波导层、多量子阱有源区、AlInP/GaP超晶格、上波导层与分段式上限制层、以...
  • 本申请提供的一种具有折射率调制结构的外延片及制备方法涉及半导体激光器技术领域。该外延片包括衬底,所述的衬底上从下往上依次设置有缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱层、P波导层、P限制层和帽层,所述的N波导层沿远离N限制层的方向依次包括N无源波...
  • 本申请提出一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括沿第一方向依次层叠设置的下限制层、下波导层、电子能量弛豫结构、有源层、上波导层和上限制层;其中,电子能量弛豫结构包括沿第一方向依次层叠设置的第一势垒层、电子能量弛豫层和第二势垒层;其中...
  • 公开了一种半导体光学元件和一种用于制造一半导体光学元件的方法。该半导体光学元件包括在一半导体基板上的一第一主动层和一第二主动层。该第一主动层是配置在该半导体基板的一激光区段上,该第二主动层是连接至该第一主动层且延伸于该半导体基板的一隔离区段...
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