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最新专利技术
  • 一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用
    一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用_苏州赛伍应用技术股份有限公司_202511387099.X
    本发明提供一种光伏组件非玻璃前板及其制备方法和应用，所述光伏组件非玻璃前板包括透明氟膜、截止型阻燃胶膜和透明复合板；所述透明复合板包括PVDF氟膜、第一胶黏剂层、阻水膜、第二胶黏剂层、透明PET膜和透明涂层；所述透明复合板中的PVDF氟膜与...
    2026-01-21
  • 一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法
    一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法_深圳大学_202511814059.9
    本发明公开了一种单极化宽带信号增透发电玻璃、刻蚀方法与安装方法，涉及通讯与光伏发电技术领域，所述发电玻璃包括：包括超白玻璃基体和设于所述超白玻璃基体的夹层中的若干串联的单节薄膜太阳能电池，所述单节薄膜太阳能电池包括正电极、发电薄膜层和背电极...
    2026-01-21
  • 一种电池阵列和电池系统
    一种电池阵列和电池系统_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410866098.2
    本申请公开了一种电池阵列和电池系统，电池阵列包括多个叠层组件，每个叠层组件包括依次设置的第一发电单元、第二发电单元；若干个第一发电单元经过电连接形成一个第一光伏组串，若干个第二发电单元经过电连接形成一个第二光伏组串；一个第一光伏组串的正输出...
    2026-01-21
  • 一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件
    一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件_福建省金石能源股份有限公司_202511821810.8
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种超薄平面背接触电池及其制备方法和电池组件，包括依次设置的晶体硅基板、非晶硅层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型掺杂区和P型掺杂区、以及在N型掺杂区和P型掺杂区之间设置的隔离区...
    2026-01-21
  • 降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用
    降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用_福建省金石能源股份有限公司_202511821809.5
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种降低N型区与P型区厚度差的背接触电池及制备和应用，包括晶体硅基板、在晶体硅基板背面依次设置的非晶硅层和导电膜层，其中非晶硅层的远离晶体硅基板的一侧表面具有交替形成的N型区与P型区，N型区包含N型掺杂...
    2026-01-21
  • 一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用
    一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用_福建省金石能源股份有限公司_202511820878.4
    本发明属于的背接触光伏电池技术领域，具体涉及一种具有高浓度共掺杂区的背接触光伏电池及制法和应用，包括在本征非晶硅层的背光面设置交替分布的N型掺杂区、P型掺杂区，且在N型掺杂区、P型掺杂区之间设置高浓度共掺杂区，该共掺杂区的掺杂源包含N型掺杂...
    2026-01-21
  • 静电放电保护结构及静电放电保护电路
    静电放电保护结构及静电放电保护电路_世界先进积体电路股份有限公司_202410860300.0
    一种静电放电保护结构及静电放电保护电路，静电放电保护结构包括一衬底、一深井区、一栅极结构以及一内连结构。深井区设置于衬底之中。第一至第三井区设置于深井区之上。第一至第三掺杂区设置于第一井区之中。栅极结构设置于衬底之上，并位于第一及第二掺杂区...
    2026-01-21
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202511383789.8
    本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板还包括：衬底；第二导电层包括第一连接线和第二极板，至少两个沿第一方向相邻的第二极板通过第一连接线相连，且至少两个沿第一方向相邻的第二极板间隔设置；第三导电层设置于第二导电层背离衬底的...
    2026-01-21
  • 薄膜晶体管、制备方法与反射式电子纸
    薄膜晶体管、制备方法与反射式电子纸_惠科股份有限公司_202511433683.4
    本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、制备方法与反射式电子纸。提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括层叠设置的柔性基板、公共电极和栅电极、半导体层、源漏极、钝化层、像素电极；其中，所述公共电极和所述像素电极选自导电聚合物和炭黑的...
    2026-01-21
  • 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
    阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法_厦门天马显示科技有限公司_202511370186.4
    本申请公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法，阵列基板包括衬底、缓冲层、有源层、栅极结构与走线层，缓冲层设置于衬底沿厚度方向的一侧；有源层设置于缓冲层背向衬底的一侧；栅极结构设置于有源层背向衬底的一侧，栅极结构与有源层绝...
    2026-01-21
  • 包括金属线的器件和该器件的制造方法
    包括金属线的器件和该器件的制造方法_意法半导体国际公司_202510868152.1
    本公开涉及包括金属线的器件和该器件的制造方法。一种器件包括第一层、从第一面延伸部分地行进穿过第一层并且填充有导电蚀刻停止层的沟槽、覆盖导电蚀刻停止层的导电阻挡层、在沟槽中的与阻挡层接触的第一金属材料的轨道、在第一层中的从介电层或半导体层的与...
    2026-01-21
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202410872234.9
    本发明涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。阵列基板包括：衬底；以及驱动层组，位于衬底的一侧，驱动层组包括至少两层金属层，至少两层金属层包括绝缘设置的第一金属层和第二金属层，第二金属层位于第一金属层靠近或远离衬底的一侧；至少部分第一金属层包...
    2026-01-21
  • 一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法
    一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法_腾云创芯半导体材料(上海)有限公司_202511422395.9
    本发明公开一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：第一晶圆为单晶碳化硅，第二晶圆为多晶碳化硅；对第一晶圆表面进行热氧化处理，对第二晶圆表面进行六方氮化硼薄膜沉积；对第一晶圆进行氢离子注入以形成弱化...
    2026-01-21
  • 一种绝缘体上锗复合衬底的制备方法
    一种绝缘体上锗复合衬底的制备方法_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511237601.9
    本发明公开了一种绝缘体上锗复合衬底的制备方法。该制备方法包括：准备锗衬底；所述锗衬底包括相对设置的注入面和非注入面；从所述注入面向所述锗衬底注入离子，在所述注入面和所述非注入面之间形成注入层，在所述注入面形成非晶层；去除所述非晶层；准备绝缘...
    2026-01-21
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511113134.9
    提供半导体装置及其形成方法。半导体装置可包含n型区域和p型区域。n型区域可包含半导体基板的第一部分和具有与半导体基板相同的半导体材料的第一纳米结构。第一纳米结构可包含在第一方向上的第一平均晶格常数和在第二方向上的第二平均晶格常数。p型区域可...
    2026-01-21
  • 互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备
    互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410866616.0
    本公开涉及一种互补环沟道MOS管及其制备方法、半导体器件、电子设备。该互补环沟道MOS管包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，第一MOS管包括：栅极结构及第一环绕结构，第二MOS管包括：栅极结构及第二环绕结构。本公开通过第一环绕结构和第二...
    2026-01-21
  • 一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法
    一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法_无锡祥瑞微电子科技有限公司_202511796739.2
    本发明具体为一种沟槽型集成电路芯片及其制备方法，包括若干均匀排布的元胞结构，元胞结构包括沟槽，沟槽上部分包括控制栅多晶硅、由热氧化层和第二栅氧化层共同组成的栅氧化层；下部分包括屏蔽栅多晶硅、ONO氧化层及隔离氧化层；所述ONO氧化层由外到内...
    2026-01-21
  • 一种高压大功率超声波驱动芯片
    一种高压大功率超声波驱动芯片_重庆大学_202511435893.7
    本发明公开了一种高压大功率超声波驱动芯片，涉及集成电路技术领域，包括高压大功率超声波驱动电路，所述高压大功率超声波驱动电路由逻辑输入电路、低压侧电平转换电路、高压侧电平转换电路，以及多级高压输出级、连续波输出级组成；该高压大功率超声波驱动芯...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410867793.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括器件区和位于器件区之间的隔断区；沟道凸起部，位于器件区的衬底上；绝缘凸起部，位于隔断区的衬底上；隔离结构，位于沟道凸起部和绝缘凸起部的侧部的衬底上，隔离结构的顶部低于...
    2026-01-21
  • 一种具有自偏置结构的宽禁带和超宽禁带半导体超结MOSFET
    一种具有自偏置结构的宽禁带和超宽禁带半导体超结MOSFET_电子科技大学_202511389358.2
    本发明属于功率半导体器件领域，公开了一种集成自偏置结构的宽禁带和超宽禁带槽栅超结MOSFET器件，利用自偏置形成的电子积累层进一步解决高压MOSFET难以继续降低比导通电阻的技术瓶颈，突破了常规半导体材料制成的MOSFET导通电阻受材料极限...
    2026-01-21
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