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  • 本发明提供一种基于信号拖尾抑制设计的高压脉冲发生器,其特征在于,包括n级结构相同并依次连接的Marx升压电路,n为整数且n≥2;第i级Marx升压电路包括充电限流电阻Ri、电容Ci、场效应晶体管MOSFET_i、以及第i放电电路,i=1, ...
  • 本发明公开了一种用于高电压环境的单脉冲源控制器,包括电源模块、电源板、控制板、显示屏、按钮组、旋转编码器和外壳;本发明通过对控制MCU与脉冲产生MCU之间进行电气隔离、增加接口防护电路及电源防护电路、采用铝合金材质屏蔽外壳,从而适应高电磁、...
  • 本发明公开了一种基于阻抗匹配的Marx发生器的重频纳秒脉冲功率源,包括:集成于密闭箱体内的脉冲形成单元、阻抗匹配网络和触发控制单元;阻抗匹配网络包括锥形筒状的内导体以及从上至下依次同轴设置的多级圆筒状外导体,外导体底端与最末级的外导体相连,...
  • 本申请提供一种脉冲发生器、脉冲发生器的控制方法、装置及相关设备,涉及电子电路技术领域。该脉冲发生器包括:与非门电路,与非门电路的输入信号包括第一时钟信号和第二时钟信号,第一时钟信号和所述第二时钟信号为正交的时钟信号;输出电路,输出电路用于对...
  • 本发明公开了应用于LED恒流驱动器的周期和频率可扩展的时钟产生电路,包括恒流源ICLT、分压电阻模块、电压转电流比较器ICMP和电压比较器VCOMP,所述分压电阻模块用于得到参考电压并且输出到所述电压转电流比较器ICMP的负极输入端;所述电...
  • 本发明公开了应用于LED恒流驱动器的周期和频率可调的时钟产生电路,包括基准恒流源IBIAS1、电压转电流比较器VCMP和振荡环路模块,基准恒流源IBIAS1在扩展周期信号Tcharge_CLT以及扩展周期信号Tdischarge_CLT的控...
  • 本发明涉及一种抗辐射加固的真单相时钟触发器,所述触发器包括:双模冗余的数据传输模块,通过对称的TSPC路径独立生成信号QN1/QN2,屏蔽单粒子瞬态(SET)错误;互锁型的数据锁存模块,由交叉耦合节点Q1/QN1/Q2/QN2构成双向恢复电...
  • 本申请实施例提供一种时钟信号产生电路、芯片及电子设备,时钟信号产生电路包括:充放电模块,充放电模块用于在电平控制信号控制下输出周期性变化的充放电电压信号;比较模块,比较模块用于比较充放电电压信号与参考电压信号的大小并输出时钟信号;逻辑控制模...
  • 本发明提供了一种基于射频电源脉冲模式的动态频率扫描方法及相关设备,涉及射频电源技术领域。该方法包括步骤:获取初始控制参数;实时监测射频电源的运行模式,并在射频电源处于脉冲模式时,基于动态调整的频率步长,迭代调整射频电源的输出频率,以确定使射...
  • 本发明公开了一种动态事件触发半马尔可夫系统阈值依赖滤波方法,涉及工业过程控制与状态估计技术领域,本方法旨在动态事件触发机制下,显式地分析触发阈值对滤波性能的影响,并设计一种同时依赖于系统模态、驻留时间和实时触发阈值的自适应滤波器增益,再结合...
  • 本发明公开集成可编程抗混叠滤波器的电表采样滤波芯片及系统,涉及电能计量芯片领域,包括可编程抗混叠滤波器模块、数字控制与接口模块和协同控制单元,通过开关电容阵列的二进制加权控制,截止频率可在1kHz–100kHz范围内动态调整,通过重构反馈网...
  • 本发明公开了一种高速变采样和时延补偿的装置及方法,涉及光通信技术领域。该装置中,滤波器系数单元用于得到预先生成的FIR滤波器系数。变采样索引单元用于得到输入数据起始索引值data_index和系数初始相位索引值coeff_index。滤波器...
  • 本发明公开了一种超宽带180度移相电路,包括射频信号输入和输出端、具有中心抽头以及短截补偿线的超宽带巴伦、第一和第二匹配补偿网路、差分信号开关选择电路和控制电路;超宽带巴伦能够在超宽带频率范围内实现单端信号与差分信号的转换,其第一差分输出端...
  • 本申请公开一种用于提高声表面滤波器功率容量的半导体结构,包括:设置于第一区域的第一谐振器和第一导线PAD,所述第一谐振器与第一导线PAD电连接;设置于第二区域的第二谐振器和第二导线PAD,所述第二谐振器与第二导线PAD电连接;设置于第三区域...
  • 本申请公开了一种混合滤波器,涉及射频技术领域。本申请中的混合滤波器包括:衬底、压电层、传输线谐振器、声波器件和连接层;其中,压电层,设置于衬底的表面,其中压电层为高介电常数压电材料;传输线谐振器,设置于压电层的表面或设置于压电层的内部;声波...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种声表面波谐振器及声表面波滤波器,其中,声表面波谐振器包括压电层,压电层表面设有有源换能单元和反射单元;有源换能单元间隔设有两个第一汇流条,反射单元间隔设有两个第二汇流条;两个第一汇流条沿第一方向投影所形...
  • 公开了一种压电驱动硅基MEMS谐振器,包括:衬底,所述衬底包括具有从所述衬底的第一表面向其内部延伸的第一腔体以及围绕所述第一腔体的第一支撑部;叠层结构,位于所述衬底上,所述叠层结构被刻蚀形成位于所述第一支撑部上的第二支撑部、悬于所述第一腔体...
  • 本发明提供了一种基于粒子群优化算法的耦合MEMS谐振器控制方法,包括以下步骤:(1)基于静电耦合效应,建立两耦合MEMS谐振器的动力学模型;(2)构建自适应预设性能反步控制器,该控制器采用二型模糊小波神经网路处理MEMS谐振器系统中的不确定...
  • 本发明公开了一种高强度低迟滞的热敏电阻晶体振荡器及制备方法,包括陶瓷基板,陶瓷基板的上侧设置有一容置内凹槽,容置内凹槽内设置有石英谐振器,陶瓷基板的内部设置有位于石英谐振器下方的容置内腔,容置内腔内设置有热敏电阻,热敏电阻和石英谐振器均与陶...
  • 本申请提供一种信号处理电路,包括N个第一差分信号端口、N个第二差分信号端口和N个功率处理电路;每个功率处理电路包括N个差分功分端口和一个差分功合端口;所述N≥2;至少一个功率处理电路的其中一个差分功分端口与不同的功率处理电路的其中一个差分功...
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