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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511612072.6
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有薄膜电阻结构；在所述衬底上依次形成覆盖所述薄膜电阻结构的接触中间层、金属层和介质反射层；执行光刻工艺，在所述介质反射层上形成定义金属连线的图形；执行第一刻蚀工艺，去除所述...
    2025-12-29
  • 半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统
    半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统_三星电子株式会社_202510706915.2
    提供了半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统。所述半导体装置可包括：第一半导体芯片；至少一个半导体芯片堆叠件，在所述半导体装置的第一方向上在第一半导体芯片的表面上，所述至少一个半导体芯片堆叠件被配置为电连接到第一半导体芯片；以及...
    2025-12-29
  • 一种RRAM存储器件
    一种RRAM存储器件_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511168059.6
    本发明提供一种RRAM存储器件，本发明的RRAM存储器件包括字线阵列，包括多条字线，字线沿第一方向平行且间隔排列；位线阵列，包括多条位线，位线沿与第一方向垂直的第二方向平行且间隔排布；存储单元阵列，包括多个存储单元，每一个存储单元位于字线和...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410718538.X
    本申请实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统，其中，半导体结构包括：第一掺杂层；半导体主体，位于第一掺杂层沿第一方向的一侧，半导体主体包括第一半导体部和第二半导体部，第二半导体部位于第一半导体部沿第一方向背离第一掺杂层...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410708326.3
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构包括：衬底；晶体管，设置在衬底的一侧，晶体管包括沿垂直于衬底方向延伸的沟道、至少部分环绕沟道外周的栅极、以及设置于沟道与栅极之间的栅极绝缘层，栅极绝缘层与沟道接触，沟道...
    2025-12-29
  • 改善半导体器件形貌的方法
    改善半导体器件形貌的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195867.1
    本发明提供一种改善半导体器件形貌的方法，该方法解决了现有技术在采用自对准双重图形技术制造NAND闪存时，因刻蚀负载效应导致芯轴形貌不佳的技术问题。本发明的方法包括：在包含核心层和芯轴层的叠层结构上，采用光刻工艺形成图形化的芯轴。关键在于，所...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410726021.5
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括层叠设置于衬底一侧的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括垂直于衬底的第一栅电极；第二晶体管包括绝缘层叠在第一栅电极一侧的第一导电层和第二导电层；第一导电层与第一栅电极...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410711222.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：第一晶体管，包括第一半导体层和第一栅电极；所述第一半导体层与所述第一栅电极之间具有第一栅极绝缘层和第一铁电介质层，所述第一栅极绝缘层与所述第一半导体层接触，所述第...
    2025-12-29
  • 半导体芯片以及接合半导体器件和电子系统
    半导体芯片以及接合半导体器件和电子系统_三星电子株式会社_202510625449.5
    本公开提供了半导体芯片以及接合半导体器件和电子系统。一种用于接合半导体器件的半导体芯片包括基板、在基板上的布线部分以及在布线部分上的接合部分。接合部分包括绝缘层、接合结构和延伸图案。接合结构包括穿过绝缘层的焊盘结构和穿过绝缘层的局部部分的虚...
    2025-12-29
  • NORD型闪存存储器的制造方法
    NORD型闪存存储器的制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186973.3
    本发明提供一种NORD型闪存存储器的制造方法，该方法包括：形成控制栅结构和浮置栅结构；沉积并平坦化字线导电层；对所述字线导电层执行回刻处理，使其顶面高度低于所述控制栅结构的顶面高度；利用该高度差，在形成介质侧墙时使所述控制栅结构的顶表面保持...
    2025-12-29
  • 微电子装置以及相关方法及存储器装置
    微电子装置以及相关方法及存储器装置_美光科技公司_202510707810.9
    本申请涉及微电子装置以及相关的方法及存储器装置。一种微电子装置包含堆叠结构、支柱结构及绝缘狭槽结构。所述堆叠结构包含块，所述块在第一方向上平行地水平延伸且个别地具有分别包含导电材料及与所述导电材料竖直相邻的绝缘材料的层级。所述支柱结构竖直延...
    2025-12-29
  • 具有带有环绕沟道层的竖直延伸栅极线的集成电路器件
    具有带有环绕沟道层的竖直延伸栅极线的集成电路器件_三星电子株式会社_202510380394.6
    一种集成电路器件，包括：栅极线，沿第一方向延伸，该第一方向通常垂直于底层衬底的表面；以及介电层，至少部分地围绕栅极线的侧壁。提供了金属层，该金属层至少部分地围绕栅极线的侧壁，并且提供了固定电荷层，该固定电荷层至少部分地围绕栅极线的侧壁。提供...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫存储技术有限公司_202511269805.0
    公开一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，包括阵列区以及外围区，阵列区设置有第一导电结构，外围区设置有第二导电结构；第一介质层，覆盖第一导电结构以及第二导电结构；第二介质层，位于外围区，且覆盖第一介质层，第一介质层的材料与第二介...
    2025-12-29
  • 存储器件及其制造方法
    存储器件及其制造方法_首尔大学校产学协力团_202510707776.5
    本发明公开存储器件及其制造方法。所公开的存储器件的制造方法可包括如下步骤：在既有的结构体的电容器形成区域中使牺牲层凹陷来形成暴露栅极绝缘层的凹陷部；在所述凹陷部中使沟道材料层和所述栅极绝缘层凹陷来定义向所述电容器形成区域突出的突出沟道部；以...
    2025-12-29
  • 包含存储器单元电容器及单元触点的设备
    包含存储器单元电容器及单元触点的设备_美光科技公司_202510705406.8
    本公开涉及包含存储器单元电容器及单元触点的设备。本公开的一些实施例提供一种包括耦合到存储器单元电容器的单元触点的设备。所述单元触点包含接触金属及至少在所述接触金属的侧表面上的势垒膜。所述势垒膜的下部包括势垒金属。所述势垒膜的上部包括绝缘膜。
    2025-12-29
  • 用于制造半导体存储器件的方法
    用于制造半导体存储器件的方法_三星电子株式会社_202510641270.9
    一种用于制造半导体存储器件的方法包括：提供包括单元区域和外围区域的基板；在基板的外围区域上形成外围栅极结构；在基板的单元区域上形成多个位线结构；在所述多个位线结构的侧壁上形成多个单元线间隔物；在所述多个单元线间隔物中的相邻的单元线间隔物之间...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510469348.3
    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：位线，沿与衬底平行的第一方向延伸；第一沟道图案，连接到位线并被设置为与衬底垂直；栅极绝缘图案，设置在第一沟道图案上；字线，设置在栅极绝缘图案上，并且沿与衬底平行且与第一方向垂直的第二方向延伸；数据存储...
    2025-12-29
  • 存储器装置的制造方法
    存储器装置的制造方法_华邦电子股份有限公司_202510123160.3
    本发明提供了一种存储器装置的制造方法，包含提供基板，形成图案化光阻于基板上方，以及以图案化光阻作为掩膜，对基板执行第一刻蚀工艺以形成第一开口于基板中。方法更包含顺应地形成间隔物材料层于基板上，以及对间隔物材料层执行回刻蚀工艺以形成间隔物于第...
    2025-12-29
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510069636.X
    一种半导体器件，包括：栅电极和背栅电极，在衬底上，其中，栅电极和背栅电极在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上延伸；半导体图案，在第一方向上在栅电极和背栅电极之间，其中，半导体图案在第三方向上延伸；上栅封盖图案，在栅电极上；以及上背栅封盖图...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411912978.5
    提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，在基底上，第一有源图案在第一方向上与第二有源图案间隔开，并且第一有源图案在第二方向上延伸，第二方向与第一方向不同；下沟道图案和下源极/漏极图案，在第一有源图案上，并且在第...
    2025-12-29
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