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最新专利技术
  • 一种硅电容器及其制备方法
    一种硅电容器及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511544460.5
    本发明涉及硅电容技术领域，具体涉及一种硅电容器及其制备方法，包括：衬底、沟槽区和多个分立的绝缘浮岛；所述绝缘浮岛由绝缘材料制成；所述沟槽区中的每个导电沟槽的底部与所述绝缘浮岛接触，以消除所述导电沟槽的底部角隅处发生的电场聚集效应。针对现有技...
    2025-12-01
  • 金属电容器件的形成方法
    金属电容器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511158250.2
    本发明提供了一种金属电容器件的形成方法，包括：在衬底表面形成底层金属层，底层金属层至少包括铝金属膜层，铝金属膜层掺杂有铜材料；在底层金属层的表面依次形成介电层、顶层金属层和图案化的第一光刻胶层；以图案化的第一光刻胶层刻蚀去处露出的部分顶层金...
    2025-12-01
  • 包含接地环的隔离变压器
    包含接地环的隔离变压器_德州仪器公司_202510562094.X
    一种隔离变压器(400)，包含具有一或多个间隙(412‑1，412‑2)的接地环(410)。所述隔离变压器(400)包括第一线圈(404)、第二线圈(406)、在所述第一线圈(404)和所述第二线圈(406)之间的介电层，及围绕所述第一线圈...
    2025-12-01
  • 封装结构及其制作方法、电子设备
    封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202410651328.3
    本申请提供了一种封装结构及其制作方法、电子设备。其中，封装结构包括：芯片结构，芯片结构包括衬底以及设于衬底上的芯片功能层，衬底为连贯且完整的衬底，芯片结构具有相对的第一表面和第二表面；第一键合结构，第一键合结构设于第一表面；第一芯粒，第一芯...
    2025-12-01
  • 具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件
    具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件_合肥睿科微电子有限公司_202511166038.0
    本发明公开了一种具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件，该存储器件包括：存储器单元，所述存储器单元包括底电极，顶电极以及设置于所述底电极和所述顶电极之间的介电层，覆盖所述存储器单元的侧面的绝缘层；以及经所述绝缘层内的开孔...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410644984.0
    本申请实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储器系统，其中，半导体结构包括：堆叠结构，包括交错层叠的绝缘层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，第二栅极层沿堆叠结构的堆叠方向位于第一栅极层的一侧，一第二栅极层沿堆叠方向的...
    2025-12-01
  • 存储器装置及制造存储器装置的方法
    存储器装置及制造存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510319591.7
    本文提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。存储器装置包括：栅极线，其层叠为彼此间隔开；第一阻挡层，其由栅极线包围并且层叠为彼此间隔开；电荷捕获层，其由第一阻挡层包围并且层叠为彼此间隔开；突出图案，其位于第一阻挡层之间和电荷捕获层之间；隧道...
    2025-12-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410650755.X
    一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括逻辑器件区；在逻辑器件区的基底上形成栅极结构；在逻辑器件区的基底中进行掺杂处理，掺杂处理包括：穿透栅极结构，在栅极结构底部的基底中形成阱区；在栅极结构两侧的阱区中形成轻掺杂区。本发明有利于节...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410650646.8
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一电极与第一信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第三电极电连接，第二晶体管的第四电极与第二信号线电连接。第一晶体管的第一栅...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410649808.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，所述制造方法包括：在衬底上形成图案化的堆叠结构，所述图案化的堆叠结构包括交替分布的多层半导体层和多层牺牲层，各所述半导体层的位于延伸方向上的两端露出预定长度的侧壁；在所述半导体层的露...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511189176.0
    一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括器件区和边缘区；位于器件区上的若干浮栅结构，若干所述浮栅结构在第一方向和第二方向上阵列分布，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；位于若干所述浮栅结构上的若干第一控制栅结构和若干第二控制栅结...
    2025-12-01
  • 闪存及其形成方法
    闪存及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511087887.7
    本发明提供一种闪存的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有字线，字线两侧分别形成有堆叠的浮栅、间隔层和控制栅；衬底的有源区表面露出；在有源区表面进行非晶化注入，形成非晶层；在非晶层上方向衬底进行LDD注入以在源区和漏区形成轻掺杂漏结构；应力...
    2025-12-01
  • 半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510403600.0
    本公开提供了一种半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。半导体器件可以包括：导电层；堆叠结构，堆叠结构位于第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的延伸区域中，并且包括沿第一方向顺序地堆叠在导电层上且彼此间隔开的多个栅电极，多个栅...
    2025-12-01
  • 半导体元件
    半导体元件_旺宏电子股份有限公司_202410721985.0
    本发明提供一种半导体元件，包括基底、阱区、晶体管元件以及存储器元件。基底包括第一区与第二区。阱区在基底的第一区与第二区中。晶体管元件在第一区的阱区中。存储器元件在第二区的阱区中。晶体管元件与存储器元件之间的阱区是连续的。
    2025-12-01
  • 存储器件的制备方法
    存储器件的制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410654994.2
    本公开提供了一种存储器件的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。其中，存储器件的制备方法，包括：形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层；形成第二堆叠结构，第二堆叠结构包括交替层...
    2025-12-01
  • 管理半导体装置中的连接结构
    管理半导体装置中的连接结构_长江存储科技有限责任公司_202410658248.0
    本公开内容涉及用于管理半导体装置中的连接结构的方法、装置、系统和技术。一种示例半导体装置包括沿第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体。半导体装置的连接区域与半导体装置的阵列区域相邻。半导体装置还包括沿第一方向延伸的触点结构。触点结构包...
    2025-12-01
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511163584.9
    本发明提供了一种半导体器件，其具有衬底、字线、多个接触插塞和多个电容结构，其中，所述接触插塞与所述字线交替设置，且至少两个所述接触插塞的顶部相联在一起，由此使其中一电容结构与该顶部相联在一起的接触插塞电性接触，且宽度大于其余电容结构，由此，...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511161355.3
    本发明提供了一种半导体结构，包括基板，设置在基板中的着陆垫，在基板上且覆盖着陆垫的绝缘层，以及穿过绝缘层并连接着陆垫的电容。电容可视为混成电容，包括单面电容和位于单面电容上的双面电容，可提高内部介电层和外部介电层之间的均匀性，并进一步提高电...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511161286.6
    本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在利用位线组和隔离线组界定出节点接触窗阵列的基础上，还进一步设置辅助线，以利用辅助线界定出辅助接触窗在节点接触窗阵列的外围，此时基于该辅助接触窗，即可以有效均衡节点接触窗阵列中边缘区域和中间区域的节点...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510673064.6
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括纳米片的垂直排列和水平排列，纳米片包括弯曲片、锥形片和在弯曲片和锥形片之间沿第一水平方向延伸的水平片；第一导线的垂直排列，第一导线围绕水平排列中的纳米片的水平片并沿第二水平方向延伸；第二导线的...
    2025-12-01
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