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  • 本发明涉及光储变电领域, 公开了光储一体化箱式变电站, 包括固定箱体, 所述固定箱体的顶部固定连接有固定顶棚, 所述固定箱体的顶部设置有控制机构, 所述控制机构包括转动杆, 两个所述转动杆分别转动连接在固定箱体的顶部前后端, 所述固定箱体的...
  • 本发明公开了一种抗盐雾型光伏并网柜及送风方法, 涉及光伏并网柜技术领域, 包括:柜体;防护壳, 其位于柜体一侧, 通过螺栓与所述柜体连接;还包括:冷凝机构, 安装于所述柜体一侧, 与所述柜体内部连通, 所述冷凝机构用于对空气冷却;本发明通过...
  • 本发明涉及配电柜技术领域, 提供了一种自清洁式火电配电柜散热防尘滤网装置, 包括配电柜主体, 配电柜主体包括柜体, 柜体的外表面设置有过滤网主体, 过滤网主体设置有两个, 还包括:控制件、散热件、传动件和清洁件, 控制件通断时, 散热件和清...
  • 本发明公开了一种用于变电站开关柜的智能监测装置, 包括柜体, 所述柜体的左侧开设有多个通风槽, 每个所述通风槽的右侧内壁上均开设有连接圆口, 每个所述通风槽内均设置有可左右滑动的过滤网, 每个所述过滤网的右侧均通过第一弹簧与通风槽的右侧内壁...
  • 本发明公开了一种并联直流电源设备, 涉及电源设备技术领域, 并联直流电源设备包括柜体、操作箱、电源柜、后盖、防倾倒装置、散热装置和除尘装置, 防倾倒装置可以在电源设备倾斜一定的角度时, 快速向倾倒方向展开支架, 为整体设备提供稳固支撑, 迅...
  • 本申请属于电控柜技术领域, 公开了一种可智能调控的电控柜及其调控方法, 可智能调控的电控柜包括电控柜本体, 电控柜本体一侧铰接有用于闭合器开口的柜门, 电控柜本体内临近柜门的位置上设置有电气元件集成板, 电控柜本体顶部设置有惰性气体灭火组件...
  • 本发明公开了一种防水高压充气柜, 包括PT柜和V柜, 该两者均包括有气箱、低压室、机构室以及电缆室;下门接地联锁安装在对应的机构室内, 且下门接地联锁中的联锁拉杆穿过机构室底部, 用于抵顶电缆室的室门;气箱和机构室均安装在对应的电缆室上, ...
  • 本发明公开了一种防护性能好的高低压预装式变电站, 包括高低压柜体与安装在其内部的变压器, 所述高低压柜体的左右两侧均可拆卸式连接有活动板, 所述高低压柜体的内顶壁上安装有干粉存放箱, 所述干粉存放箱的底部安装有均匀分布的电控阀一, 所述高低...
  • 本发明涉及预制舱技术领域, 具体涉及便于组装的预制舱, 包括:预制舱本体和油浸式变压器本体, 所述预制舱本体内安装油浸式变压器本体的位置固定连接有角度调节机构, 用于对油浸式变压器本体底部四角的角度进行调节, 所述角度调节机构包括下调节盒。...
  • 本发明公开了一种模块化智能配电柜及方法, 涉及智能电网配电柜的技术领域。本发明包括用于智能电网的配电柜主体, 还包括:设置于配电柜主体内的分隔架, 用于将配电柜主体的内部空间划分为配电区与调节区, 分隔架的侧部设置有用于监测配电区内部温湿度...
  • 本发明的实施例提供了一种直流照明配电柜, 直流照明配电柜, 包括柜体、门体、直流继电器、内门、控制单元、触发开关和测试电源;所述门体连接在所述柜体上, 所述控制单元通过预设程序或手动指令启动所述测试电源, 以进行所述灭弧室的自动或远程测试;...
  • 本申请涉及计量箱的技术领域, 公开一种光伏并网计量箱, 包括箱体和箱门, 所述箱门转动连接于箱体上, 所述箱体上开设有供导线穿过的穿孔, 所述穿孔上设有移动条, 所述移动条上开设有供导线通过的通孔, 所述移动条上设有多个移动弹片, 所述移动...
  • 本发明涉及港口岸电技术领域, 尤其是一种基于空中高压母线与可收回岸电缆索的船舶岸电接入系统。该系统通过在码头上方布置空中高压母线, 并在各泊位上方设置可收放的岸电缆索卷盘, 实现地面零占用和空间分离。岸电缆索末端配有自导向快速连接器, 可手...
  • 本发明公开了一种安全性好的电力设施安装箱, 涉及电力设施领域, 包括安装箱体, 所述安装箱体的两侧均设置有侧板, 侧板上开设有透气孔, 安装箱体的正面通过铰链安装有箱门, 安装箱体的内部设置有电力设施快速检修机构, 电力设施快速检修机构包括...
  • 本发明公开了一种组合式变电高压配电柜, 本发明包括柜体组件;柜体组件包括柜本体, 柜本体中开设有凹腔, 柜本体内部滑动连接有第一承重板、第二承重板, 凹腔内部螺纹连接有贯穿凹腔的第一丝杆、第二丝杆, 第一丝杆与第一承重板螺纹连接, 第二丝杆...
  • 本发明涉及中波发射机技术领域, 且公开了中波发射机用的防雷装置, 包括中波发射机本体, 所述中波发射机本体的顶部固定安装有支撑杆, 所述支撑杆的顶部铰接有挡板。本发明采用高灵敏度大气电场仪, 实时监测雷云静电场强度变化, 控制器驱动第一电动...
  • 本发明提供一种量子阱组分渐变的640nm半导体激光器件及其制备方法。本发明量子阱两侧插入组分反渐变结构, 有助于提高光场在有源区限制能力, 提高光限制因子和界面陡峭度, 降低阈值电流;本发明波导层与量子阱中间插入低Al组分垒层, 形成台阶结...
  • 本发明涉及一种基于光子晶体结构的940nm隧道级联激光器外延片及其制备方法, 属于光电子技术领域, 包括第一有源区、隧道结区和第二有源区, 采用隧道结连接有源区, 两侧以光子晶体结构作为外波导层。与传统结构相比, 隧道级联外延结构, 通过隧...
  • 本说明书提供一种氮化物半导体激光器, 该激光器包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、以及上包覆层。下波导层包括InGaN、GaN、InN、AlInGaN、InGaN/GaN超晶格、InGaN/AlGa...
  • 本申请实施例涉及一种表面发射激光器, 包括:衬底;设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构;光电限制层, 形成于所述顶部反射镜结构中, 所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光孔径;远场图像调节层, 设于所述顶部反射...
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