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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_铠侠股份有限公司_202511206516.6
    本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其能够更适当地单片化。本实施方式的半导体装置的制造方法具备以下步骤：于半导体晶圆之第1面形成第1槽与第2槽，第1槽与第2槽沿具有第1面及处于第1面的相反侧的第2面的半导体晶圆的切割区域延伸且并...
    2026-05-14
  • 外延基板、半导体器件及外延层的制备方法
    外延基板、半导体器件及外延层的制备方法_惠科股份有限公司_202610469578.4
    本申请提供一种外延基板、半导体器件及外延层的制备方法，该半导体器件的制备方法具体包括：首先提供外延基板；外延基板包括外延衬底和在外延衬底表面生长的外延结构；外延衬底靠近外延结构的表层具有微气泡结构。然后对外延衬底进行热处理，使微气泡结构生长...
    2026-05-14
  • 一种晶圆划片方法及相关装置
    一种晶圆划片方法及相关装置_本源天工(郑州)量子科技有限公司_202411549077.4
    本申请公开了一种晶圆划片方法及装置，属于超导量子芯片制造领域。晶圆划片方法包括：建立晶圆的结构模型；对所述结构模型仿真，获得晶圆发生碎裂时的受力阈值；以及，根据所述受力阈值控制划片机施加到晶圆的载荷以对晶圆进行切割。使用以上方法对晶圆予以划...
    2026-05-14
  • 晶圆切割方法
    晶圆切割方法_英伟芯(上海)科技有限公司_202610225787.4
    本申请公开了一种晶圆切割方法，包括以下步骤：在晶圆正面形成保护层；去除所述保护层中对应于所述晶圆的划线道的部分，使所述划线道裸露；在所述晶圆的边缘的划线道上沿所述晶圆固有的解理面进行物理切割，物理切割的尺寸远小于所述晶圆的直径；沿所述划线道...
    2026-05-14
  • 一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置
    一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202512012667.4
    本申请提供了一种硅片缺陷处理方法，用于处理硅片的延迟性水渍缺陷。该硅片缺陷处理方法包括：对具有二氧化硅抛光表面的硅片执行湿法清洗；在湿法清洗之后，将所述二氧化硅抛光表面与表面处理液接触，以在二氧化硅抛光表面形成自组装单分子层。其中，表面处理...
    2026-05-14
  • 一种惰性气氛保护装置及激光退火设备
    一种惰性气氛保护装置及激光退火设备_上海芯上微装科技股份有限公司_202411548296.0
    本发明提供了一种惰性气氛保护装置及激光退火设备，惰性气氛保护装置包括主体部；主体部上设有主腔体和沿其轴向间隔排布的多个匀流结构，匀流结构包括沿主腔体的周向依次排布、且与主腔体连通的多个吹扫口；至少一个匀流结构为第一类匀流结构；同一个第一类匀...
    2026-05-14
  • 切割道对准标记生成方法、装置、存储介质、设备和产品
    切割道对准标记生成方法、装置、存储介质、设备和产品_成都新紫光半导体科技有限公司_202411562314.0
    本公开涉及一种切割道对准标记生成方法、装置、存储介质、设备和产品。所述方法包括：获取切割道对准标记基本组件的基本组件数据库，所述基本组件数据库包括多种不同切割道对准标记基本组件的描述信息；根据所述基本组件数据库，建立芯片各个叠层的切割道对准...
    2026-05-14
  • 喷淋装置及基板处理设备
    喷淋装置及基板处理设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411563876.7
    本申请公开了一种喷淋装置及基板处理设备，喷淋装置包括本体和开关元件，本体的内部具有空腔，本体还具有进液口和出液口，进液口用于向空腔中通入至少两种药液；出液口用于排出空腔中至少两种药液的混合液；开关元件包括内芯，内芯可活动地设置在空腔中，以打...
    2026-05-14
  • 刻蚀机台腔室空气平衡表征方法、监测方法及系统
    刻蚀机台腔室空气平衡表征方法、监测方法及系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411578857.1
    本发明提供了一种刻蚀机台腔室空气平衡表征方法、监测方法及系统，属于半导体制造技术领域，刻蚀机台腔室空气平衡表征方法包括获取刻蚀过程中机台腔室内的排气压力，获取刻蚀过程中机台腔室内环境酸碱度；获取刻蚀完成后晶圆刻蚀情况；多次重复上述步骤，根据...
    2026-05-14
  • 一种半导体设备及其工作方法
    一种半导体设备及其工作方法_上海光通信有限公司_202411606098.5
    本申请提供一种半导体设备及其工作方法，半导体设备包括处理槽和设置在处理槽内的导热部件，导热部件将处理槽内部分割为容纳第一液体的第一腔室和容纳第二液体的第二腔室，第一腔室和第二腔室分别与工艺槽连通。本申请提供的半导体设备使得第一腔室中第一液体...
    2026-05-14
  • 蚀刻系统及蚀刻方法
    蚀刻系统及蚀刻方法_南亚科技股份有限公司_202510498485.X
    本公开提供一种蚀刻系统。该蚀刻系统包括一制程腔、一影像和温度控制元件、一人工智能控制模块。该制程腔经配置以根据一第一蚀刻配方在一第一晶圆上执行一蚀刻制程。该影像和温度控制元件经配置以在该蚀刻制程中产生该第一晶圆的一热影像。人工智能控制模块经...
    2026-05-14
  • 切割装置及晶圆的处理方法
    切割装置及晶圆的处理方法_株式会社东京精密_202511564633.X
    本发明提供切割装置和晶圆的处理方法，能够减小保护膜对切断工序造成的影响，并且还能够抑制加工费用增大。该切割装置具有：切割部，其对表面附有非水溶性的保护膜的晶圆进行切割；紫外线照射部，其对由所述切割部切割后的所述保护膜照射紫外线而使所述保护膜...
    2026-05-14
  • 半导体工艺设备及其排风方法
    半导体工艺设备及其排风方法_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202512014085.X
    本发明公开了一种半导体工艺设备及其排风方法。该设备包括工艺腔体、设于腔体内的工艺杯、主排风系统和辅助排风系统。主排风系统的主排风口设于工艺杯的下部或底部，用于排出工艺杯内的气体，形成保护基板的主体气流。该设备还设置了独立于主排风系统的辅助排...
    2026-05-14
  • 湿法工艺腔体
    湿法工艺腔体_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202512014711.5
    本发明提供一种湿法工艺腔体。该湿法工艺腔体包括腔体主体、至少两个相互套设且可独立升降的工艺腔、排风总管、与各工艺腔一一对应的独立排风通道，以及阀门装置。所述阀门装置被配置为当任一工艺腔上升至工艺位置时，选择性地开启与该工艺腔连通的独立排风通...
    2026-05-14
  • 一种半导体晶圆清洗系统和半导体晶圆清洗方法
    一种半导体晶圆清洗系统和半导体晶圆清洗方法_北京晶亦精微科技股份有限公司_202610139816.5
    本申请涉及半导体制造技术领域。具体涉及一种半导体晶圆清洗系统和半导体晶圆清洗方法。半导体晶圆清洗系统包括：清洗液供给系统和清洗干燥一体化腔室；清洗液供给系统适于向清洗干燥一体化腔室提供超临界二氧化碳清洗液；腔室包括：腔室外壳，连通清洗液供给...
    2026-05-14
  • 冲胶装置、半导体设备、以及厚度检测方法
    冲胶装置、半导体设备、以及厚度检测方法_长电科技(江阴)有限公司_202610198237.8
    一种冲胶装置、半导体设备、以及厚度检测方法，冲胶装置包括：一个或多个冲胶平台，用于承载塑封后的封装结构的芯片产品区；冲胶机构，安装于冲胶平台的上方，冲胶机构包括压合组件，压合组件用于固定承载于冲胶平台上的封装结构的芯片产品区的边缘；一个或多...
    2026-05-14
  • 电子零件安装装置
    电子零件安装装置_芝浦机械电子装置株式会社_202610209876.X
    本发明提供一种电子零件安装装置，其可减少使载置于托盘的电子零件横转的可能性，并将覆盖托盘的保护片去除。本发明的电子零件安装装置包括：供给部，对载置有电子零件及覆盖电子零件的保护片的托盘以堆叠多枚的状态进行保持；载台，从供给部的下方逐枚地接收...
    2026-05-14
  • 电子零件安装装置
    电子零件安装装置_芝浦机械电子装置株式会社_202610209877.4
    本发明提供一种电子零件安装装置，其可减少使载置于托盘的电子零件横转的可能性，并将覆盖托盘的保护片去除。本发明的电子零件安装装置包括：供给部，对载置有电子零件及覆盖电子零件的保护片的托盘以堆叠多枚的状态进行保持；载台，从供给部的下方逐枚地接收...
    2026-05-14
  • 一种用于半导体行业热处理的多腔室立式炉
    一种用于半导体行业热处理的多腔室立式炉_北京和崎精密科技有限公司_202610330671.7
    本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种用于半导体行业热处理的多腔室立式炉，包括多个相互独立的工艺腔体；传送机构包括可绕中心轴旋转的托架、驱动托架升降的运动机构以及与工艺腔体数量对应的多个炉门，每个炉门用于承载一个晶舟；传送机构将承载晶舟...
    2026-05-14
  • 半导体加热器的温度控制方法、系统及存储介质
    半导体加热器的温度控制方法、系统及存储介质_深圳市华芯半导体装备技术有限公司_202610447115.8
    本申请提供一种半导体加热器的温度控制方法、系统及存储介质，温度控制方法包括获取半导体加热器的实际温度，根据半导体加热器的实际温度计算温度误差和误差变化率，然后根据温度误差和误差变化率确定对应的比例系数变量和积分系数变量，根据当前时刻下的实际...
    2026-05-14
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