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最新专利技术
  • 蒸镀治具及蒸镀设备
    蒸镀治具及蒸镀设备_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511701941.2
    本公开提供了一种蒸镀治具及蒸镀设备，属于半导体制备技术领域。该蒸镀治具，包括：容置环和压盖；容置环包括环体和多个拖爪，多个拖爪分别与环体的内侧壁相连，且多个拖爪沿环体的周向间隔排布，环体的端面具有插口；压盖包括盖体和裙边，裙边的端面与盖体的...
    2026-05-02
  • 一种高效制备Te同位素靶的方法及系统
    一种高效制备Te同位素靶的方法及系统_中国原子能科学研究院_202610169838.6
    本发明涉及一种高效制备Te同位素靶的方法及系统，包括：将盛装有Te同位素粉末的蒸发坩埚置于真空蒸镀装置内，采用蒸发沉积镀膜工艺制备Te同位素靶；测量单次蒸镀后制得的Te同位素靶的厚度；若靶厚度低于物理实验要求的范围，则向蒸发坩埚内进一步添加...
    2026-05-02
  • 一种金属基材表面抗菌减摩复合涂层及其制备方法
    一种金属基材表面抗菌减摩复合涂层及其制备方法_湖州学院_202511987017.5
    本发明涉及一种金属基材表面抗菌减摩复合涂层及其制备方法，属于真空沉积技术领域。本发明通过多弧离子镀工艺在金属基体表面构建"钒金属打底层‑梯度过渡层‑钒银碳复合层"的分层结构。通过梯度过渡降低界面应力，中间层提供抗菌离子储备，顶层缓释抗菌，结...
    2026-05-02
  • 一种梯度功能复合材料、制备方法及其在压铸模具上的应用
    一种梯度功能复合材料、制备方法及其在压铸模具上的应用_捷合创科科技(东莞)有限公司_202610117909.8
    本发明提供一种梯度功能复合材料、制备方法及其在压铸模具上的应用，复合材料从基体到表面依次包括：结合层、亚稳态高熵合金弛豫层、成分梯度过渡区及动态致密化复合表层。其中，弛豫层能在压铸温度下发生可逆马氏体相变以主动耗散热应力；复合表层含有低熔点...
    2026-05-02
  • 一种半导体的加工方法
    一种半导体的加工方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411491980.X
    本发明公开了一种半导体的加工方法，包括：对半导体基材的表面进行清洗及干燥处理；将处理后的半导体基材置于真空室内的载物台上，并控制真空室内的真空度达到1×10‑3Pa；采用钼靶材，对所述载物台上的半导体基材的表面进行离子溅射镀膜处理，以在半导...
    2026-05-02
  • 一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法
    一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法_有研亿金新材料有限公司_202512033477.0
    本发明提供一种拓扑半金属磷化物溅射靶材及其制备方法，拓扑半金属磷化物溅射靶材具有至少以下之一的特性：(a)纯度≥99.999%；(b)金属杂质元素总量≤10 ppm；(c) 非金属杂质含量：氧≤1500 ppm、碳≤100 ppm、硫≤50...
    2026-05-02
  • 一种高利用率磁控溅射靶
    一种高利用率磁控溅射靶_山东沐东真空科技有限公司_202610101132.6
    本发明公开了一种高利用率磁控溅射靶，涉及到磁控溅射靶技术领域，其包括壳体，该磁控溅射靶还包括：底板，所述底板安装在壳体的底部，底板的底部固定安装有导电杆；顶盖，所述顶盖安装在壳体的顶部，顶盖的内部开设有腔室；背板，所述背板转动连接在壳体的顶...
    2026-05-02
  • 一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法
    一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法_北京市科学技术研究院_202610114113.7
    本发明公开了一种耐冲击磨损的纳米复合涂层及其制备方法，涉及表面防护涂层技术领域。该纳米复合涂层具体包括在基片上依次层叠设置的Ti结合层、TiAlSiCN和TiAlSiN的3个循环层、TiN层和掺杂WC的类金刚石碳(DLC)层。本发明通过引入...
    2026-05-02
  • 一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用
    一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用_北京市科学技术研究院_202610114461.4
    本发明公开了一种耐气动剥蚀的复合薄膜及其制备方法和应用，涉及表面防护涂层技术领域，制备方法包括以下步骤：基体预处理与安装；抽高真空与离子清洗；HiPIMS沉积纯Ti结合层；HiPIMS交替沉积TiN/TiAlSiN循环多层结构。本发明形成具...
    2026-05-02
  • 基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺
    基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺_中北大学_202610118664.0
    本发明属于薄膜制备技术领域，提供了基于薄膜生长表面温度调控的磁控溅射薄膜制备工艺，本发明将X型多层结构NiCr/NiSi薄膜热电偶直接集成于基底表面，利用塞贝克效应公式将热电偶采集的热电势信号精准转换为薄膜生长表面温度；通过建立温度调控量化...
    2026-05-02
  • 一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺
    一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺_深圳市尚宝三防技术有限公司_202610153388.1
    本发明涉及磁控溅射技术领域，公开了一种智能终端塑胶基材表面的稀有金属强化防护工艺，包括：监测高纯钴靶或镍铂合金靶溅射脉冲引燃时延，依据时延偏差补偿电压起始段上升沿斜率，平抑由靶面磁场拓扑漂移引起的放电能量过冲；根据塑胶基材玻璃化转变温度与实...
    2026-05-02
  • 一种往复高温镀膜工艺槽
    一种往复高温镀膜工艺槽_珠海普伊特自动化系统有限公司_202610215839.X
    本发明公开了一种往复高温镀膜工艺槽。该工艺槽包括：槽体、溅射镀膜部、第一加热部、第二加热部、滚筒输送部及载具；槽体内腔分隔为溅射镀膜腔以及位于溅射镀膜腔两端的左加热腔、右加热腔，溅射镀膜腔通过两个隔板的连通端口连通左加热腔、右加热腔；溅射镀...
    2026-05-02
  • 一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法
    一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法_灵宝金源朝辉铜业有限公司_202512026439.2
    本发明公开了一种提升铜箔剥离强度的表面改性方法。该方法通过离子注入从原子尺度重构铜表面化学态，实现硅烷偶联剂高密度接枝。该方法突破传统工艺对物理粗糙度的依赖，在保持铜箔宏观形貌与尺寸精度的前提下，使接枝密度达到理论单分子层覆盖率90%以上，...
    2026-05-02
  • 基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质
    基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511837944.9
    本发明涉及一种基于专家数据库的卷膜镀膜机多段张力控制方法、系统及介质，涉及卷绕镀膜设备领域，所述方法包括获取卷膜镀膜机中多个张力段的状态指纹；基于状态指纹查询机器专家数据库，获得对应的控制参数，规则库存储基于现场经验的控制策略条目，数据驱动...
    2026-05-02
  • 锡金属薄膜及其制备方法
    锡金属薄膜及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511969776.9
    本申请属于半导体加工工艺中的薄膜制备领域，实施例提供一种锡金属薄膜及其制备方法。所述方法包括以下步骤：提供衬底，并令所述衬底位于沉积腔内；利用载气将有机锡前驱体输送至衬底上；利用还原性气体还原所述有机锡前驱，以在所述衬底上形成锡金属薄膜。本...
    2026-05-02
  • 一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法
    一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法_苏州赛翡斯新材料科技有限公司_202512005430.3
    本发明涉及复合绝缘散热材料领域，具体涉及一种基于顺序碳纳米沉积的复合绝缘散热结构的制备方法，具体包括如下步骤：铜线以稳定速度连续通过液相沉积区，在交变电磁场的辅助作用下，功能化石墨烯逐步沉积并自组装形成致密绝缘底层；持续沉积5‑30分钟，使...
    2026-05-02
  • 一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法
    一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法_广东精瓷新材料有限公司_202610221040.1
    本发明公开了一种碳化硅化学气相沉积设备及其沉积方法，设备包括：反应腔；设置于反应腔内部的、具有进气口和排气口的密闭或准密闭内反应室，内反应室用于提供碳化硅沉积的独立反应空间，并与反应腔壁之间形成夹层；设置于夹层内、用于加热内反应室的独立发热...
    2026-05-02
  • 一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件
    一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件_湖南大学_202512023615.7
    本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子级薄的V2O3二维材料及其CVD合成方法、应用和电学器件，其中，所述的CVD合成方法为：将VCl3挥发，并在挥发的锗源催化下和CVD管式炉中的痕量氧进行化学气相沉积反应，在硅基底上生长所述的原子...
    2026-05-02
  • 一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉
    一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉_湖南天际智慧材料科技有限公司_202411475097.1
    本发明涉及微纳米粉末表面沉积包覆设备领域，提供了一种微纳米粉末表面沉积包覆回转窑炉，包括炉体及炉体回转管和多孔分散板及挡板组成的隔仓、工作气体系统和加料装置，工作气体系统包括若干流化包覆材料或气态包覆前驱体材料进气管、比例阀组，比例阀组通过...
    2026-05-02
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511344529.X
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。提供一种能够提高成膜速率的技术。包括：a)向衬底供给包含构成膜的主元素和卤元素的第1气体的工序；b)向衬底供给包含氢的第1还原气体的工序；c)向衬底供给第2还原气体的工序...
    2026-05-02
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