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最新专利技术
  • 一种超结功率器件的制备方法
    一种超结功率器件的制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511962650.9
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种超结功率器件的制备方法，方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层中形成若干彼此间隔设置的凹槽；在第一外延层上形成填充所述凹槽的第二外延层，并使第二外延层的生长速率沿衬底的中心向边缘的方...
    2026-04-14
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411336505.5
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成凹槽，并封闭所述凹槽的开口以形成无介质隔离区；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述无介质隔离区位于相邻所述浅沟槽隔离结构之间；对所述衬底进行阱离子注入，在相邻所述...
    2026-04-14
  • 氮化物半导体器件、射频放大器及通信设备
    氮化物半导体器件、射频放大器及通信设备_厦门市三安集成电路有限公司_202411383284.7
    本发明公开一种氮化物半导体器件，包括第一氮化物层，第一氮化物层为二元氮化合物；设置于第一氮化物层上的第二氮化物层；第二氮化物层由第一元素、第二元素、第三元素构成，第一元素为铝元素，第二元素为氮元素、第三元素为镓元素，沿着厚度方向第一元素的浓...
    2026-04-14
  • 晶体管及其制备方法与应用
    晶体管及其制备方法与应用_厦门市三安集成电路有限公司_202411387890.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶体管，该晶体管包括沟道层、势垒层、离子注入区、钝化层和欧姆电极。势垒层设置在沟道层上；离子注入区的第一区自势垒层的上表面向沟道层延伸并延伸至沟道层，第一区具有凹槽；第二区位于沟道层内并连通第一区；...
    2026-04-14
  • 绝缘体上硅半导体装置及其制造方法
    绝缘体上硅半导体装置及其制造方法_东部高科股份有限公司_202411809052.3
    本发明涉及一种绝缘体上硅半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：基板；埋氧层，设置在上述基板上；第一器件区域及第二器件区域，设置在上述埋氧层上；沟槽，设置在上述第一器件区域与上述第二器件区域之间；器件隔膜，填充上述沟槽，对上述第一器件区...
    2026-04-14
  • 横向高电压半导体器件及其制造方法
    横向高电压半导体器件及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511397506.5
    本发明涉及横向高电压半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：有前侧和与前侧相对的后侧的半导体本体；半导体本体内的前侧处的器件区域，其中器件区域包括至少一个横向半导体元件；和在器件区域与后侧之间的第二导电类型的第一掺杂区域，其中第一掺杂区域与...
    2026-04-14
  • 半导体器件
    半导体器件_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512032163.9
    本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体主体，所述半导体主体上形成有第一沟槽及第二沟槽；第一导电结构及第二导电结构；其中，所述第一导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体之外的第一区域，所述第二导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体...
    2026-04-14
  • 半导体器件、制备方法和集成电路
    半导体器件、制备方法和集成电路_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512032170.9
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法和集成电路，半导体器件包括：衬底，具有第一掺杂类型，具有第一表面和第二表面；第一阱区，位于第一表面且具有第一掺杂类型；第一掺杂区，包围并接触第一阱区，具有第二掺杂类型；第二阱区，位于第一表面且具有第一掺杂...
    2026-04-14
  • 一种半导体器件结构及其制备方法
    一种半导体器件结构及其制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511938643.5
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该半导体器件结构通过全环绕栅极结构、无结结构以及核‑壳导电沟道的协同作用，在保证无结结构统一的中高掺杂条件的同时，实现了导电沟道中核部的体导电路径和壳部的高迁移率导电路径的...
    2026-04-14
  • 改善栅氧化层质量的方法
    改善栅氧化层质量的方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411338646.0
    本发明提供一种改善栅氧化层质量的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅氧化层；对所述栅氧化层表面进行离子注入，注入的离子与所述栅氧化层的材料中所包含的半导体元素一致；在惰性气体以及氧气氛围下对所述栅氧化层进行快速热处理，使得所述栅氧化层内...
    2026-04-14
  • 半导体器件及其制备方法、功率器件
    半导体器件及其制备方法、功率器件_珠海楠欣半导体科技有限公司_202512021532.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。该方法包括提供具有元胞区和终端区的基底，且具有多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；形成层叠设置的第一介质层、第二介质层和第三介质层，第二介质层的材质为氮化硅；形成屏蔽栅；以第二介质层作为刻蚀停...
    2026-04-14
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512059408.7
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。方法包括：制备第一中间体，第一中间体包括第一衬底，以及自第一衬底的一面依次层叠的第一介质层、第一功能层、第二介质层和第二衬底；剥离去除富离子层及位于富离子层第一侧的部...
    2026-04-14
  • 一种沟槽栅电极自对准形成方法
    一种沟槽栅电极自对准形成方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610249426.3
    本发明公开一种沟槽栅电极自对准形成方法，包括：在半导体外延层漂移区上形成沟槽；在半导体外延层漂移区上、沟槽侧壁及之上，依次形成栅介质和栅电极，栅电极在沟槽中部形成小凹沟；在栅电极之上生长第一掩膜材料并刻蚀，在沟槽中部的小凹沟处残留有第一掩膜...
    2026-04-14
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202511364082.2
    本公开提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一面和与所述第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与所述第二面接触的第三面和与所述第三面相对的第四面，在所述第四面形成有凹部；第二氮化物半导体层，设于所述凹部；以...
    2026-04-14
  • 一种高k栅介质复合材料、β-Ga2O3 MOS功率器件及其制备方法
    一种高k栅介质复合材料、β-Ga2O3 MOS功率器件及其制备方法_复旦大学宁波研究院_202512059422.7
    本申请提供了一种高k栅介质复合材料、其制备方法及β‑Ga2O3 MOS功率器件，所述复合材料包括：β‑Ga2O3衬底；形成在所述β‑Ga2O3衬底至少一个表面的SiO2界面缓冲层；形成在所述SiO2界面缓冲层表面的Al2O3过渡层；形成在所...
    2026-04-14
  • 一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法
    一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法_华为技术有限公司_202411364602.5
    本申请涉及一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法，供电模组包括衬底、电源芯片、第一电子器件和第二电子器件，电源芯片设置于衬底内部，沿供电模组的厚度方向，第一电子器件设置于衬底的一侧表面，第一电子器件与电源芯片电连接，第一电子器件背离衬底...
    2026-04-14
  • NPC功率模块电路
    NPC功率模块电路_特变电工西安电气科技有限公司_202512059299.9
    本申请提供一种NPC功率模块电路，涉及三电平模块电路技术领域。该电路包括：第一直接覆铜陶瓷基板DBC板和第二DBC板；第一DBC板承载NPC功率模块电路中的上半桥臂，第二DBC板承载NPC功率模块电路中的下半桥臂；其中，作为交流输出节点的铜...
    2026-04-14
  • 半导体装置的制作方法
    半导体装置的制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202411387920.3
    本发明公开一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤。提供包括第一部分位于低电压装置区中以及第二部分位于中电压装置区中的半导体基底。在第一部分与第二部分上分别形成第一栅极结构与第二栅极结构。进行注入制作工艺，用以同时在第一部分中形成第一源极/漏...
    2026-04-14
  • 一种西格玛沟槽形貌控制方法
    一种西格玛沟槽形貌控制方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411338431.9
    本申请公开了一种西格玛沟槽形貌控制方法，属于半导体技术领域，该方法针对前层离子注入后的不同垫氧化层的厚度进行补偿，使得西格玛沟槽刻蚀前的前层条件保持一致，以通过控制前层氧化层的厚度，控制后程干法刻蚀时硬掩膜层的刻蚀深度，保证了SMD和RCD...
    2026-04-14
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411346557.0
    本公开提出了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底；衬底上的鳍片；横跨鳍片的第一伪栅结构、第二伪栅结构、以及第一伪栅结构和第二伪栅结构之间的第三伪栅结构，第三伪栅结构包括伪栅和位于伪栅...
    2026-04-14
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