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最新专利技术
  • 测试结构和半导体器件
    测试结构和半导体器件_湖北星辰技术有限公司_202511948385.9
    本公开实施例提供一种测试结构和半导体器件。其中，上述测试结构包括：第一待测结构；多个第一测试焊盘，第一测试焊盘位于第一待测结构沿第一方向一侧，第一待测结构和多个第一测试焊盘电性连接；其中，在垂直于第一方向的平面中，第一待测结构电性连接的多个...
    2026-04-04
  • 电子束量测设备的校准方法、介质、产品及设备
    电子束量测设备的校准方法、介质、产品及设备_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511958378.7
    本发明提供了一种电子束量测设备的校准方法、介质、产品及设备。其中上述方法包括：获取校准配方；根据校准配方确定电镜扫描图像的图像采集位置；通过电子束量测设备在检测晶圆的图像采集位置上生成电镜扫描图像；根据校准配方在电镜扫描图像中确定多个待测特...
    2026-04-04
  • 一种半导体基板检测光源及检测装置
    一种半导体基板检测光源及检测装置_广东奥普特科技股份有限公司_202512059879.8
    本发明涉及光源结构技术领域，公开了一种半导体基板检测光源，包括开设有出光口的壳体、安装在所述壳体中的发光灯板和安装在所述扩散板远离所述发光灯板一侧的玻璃载台，且所述玻璃载台上阵列设置有用于吸附半导体基板的吸附孔组；所述发光灯板和所述玻璃载台...
    2026-04-04
  • 晶圆检测方法及装置
    晶圆检测方法及装置_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511618456.9
    本公开提供了一种晶圆检测方法及装置。所述方法包括：分别在背光源和轴向光源下对晶圆的各个晶粒进行裂纹检测；在所述晶圆的晶粒分布图上，将检测到具有裂纹的晶粒标注为不合格晶粒；根据所述晶粒分布图中所述具有裂纹的晶粒的位置，确定裂纹图案；将位于所述...
    2026-04-04
  • 一种芯片表面检测的双工位协同检测系统及检测方法
    一种芯片表面检测的双工位协同检测系统及检测方法_四川并济智算科技有限公司_202511757914.7
    本发明公开了一种芯片表面检测的双工位协同检测系统及检测方法，涉及芯片质量协同检测领域，包括检测平台、针脚拨动装置、双工位检测装置和悬空工装机构，封装芯片呈引脚朝上的倒放状态上料在检测平台上，悬空工装机构将倒放的封装芯片悬空工装在检测平台的上...
    2026-04-04
  • 一种电子元件封装装置及其封装方法
    一种电子元件封装装置及其封装方法_安徽理工大学_202511988244.X
    一种电子元件封装装置及其封装方法，涉及电子元件封装技术领域，该装置包括电子元件、基座、滑架、夹爪和检测盒，本发明通过主动输送并抓取的方式可实现电子元件成测过程中的独立性，并可根据检测结果对电子元件进行分类归放，降低工作人员的干预及作业强度，...
    2026-04-04
  • 基板处理设备与方法
    基板处理设备与方法_亚智科技股份有限公司_202510936655.8
    一种基板处理设备与方法，所述基板处理设备具有计算单元、电性连接计算单元的基板处理装置和检测装置，其可以在初次或需要时对特定处理后的基板检测，并在通过检测后，以通过检测时对应的累积处理时间对后续其他基板进行特定处理，其中特定处理可以是改质处理...
    2026-04-04
  • 一种基于边缘等效遮挡转换的光伏电池性能预测方法
    一种基于边缘等效遮挡转换的光伏电池性能预测方法_国网安徽省电力有限公司淮南供电公司_202511809031.6
    一种基于边缘等效遮挡转换的光伏电池性能预测方法，步骤如下：建立光伏电池的双二极管七参数模型；遮挡参数获取与分类；边缘等效遮挡转换；遮挡条件下模型参数修正；性能参数预测计算；预测精度验证与误差评估，该方法基于建立的光伏电池双二极管七参数模型；...
    2026-04-04
  • 一种芯片载带缺陷检测与分拣方法、系统、终端及存储介质
    一种芯片载带缺陷检测与分拣方法、系统、终端及存储介质_人工智能与数字经济广东省实验室(深圳)_202610195758.8
    本发明涉及芯片检测领域，公开了一种芯片载带缺陷检测与分拣方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：接收语音指令，识别芯片型号并加载对应的检测参数，据以控制载带匀速前进；基于编码器监测的载带节距脉冲，同步触发高速相机获取芯片图像；基于所述图像...
    2026-04-04
  • 一种二维半导体薄膜的转移方法
    一种二维半导体薄膜的转移方法_常州第六元素半导体有限公司_202511973495.0
    本发明公开一种二维半导体薄膜的转移方法，包括如下步骤：步骤01，在生长基底上的二维半导体薄膜的外侧面上，涂布形成光解层；步骤02，在光解层的外侧面上，涂布形成支撑层；步骤03，使用刻蚀液去除二维半导体薄膜的内侧面上的生长基底，并清洗吹干，得...
    2026-04-04
  • 半导体器件的制造方法和半导体器件
    半导体器件的制造方法和半导体器件_成都新紫光半导体科技有限公司_202411311172.0
    本公开涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件，本半导体器件的制造方法包括激光退火工艺；所述激光退火工艺包括：在半导体器件的表面形成反射光吸收层；将激光照射在所述反射光吸收层上，激光的光线穿过所述反射光吸收层对所述半导体器件加热退火，所述反...
    2026-04-04
  • 氮化物半导体材料及其退火方法
    氮化物半导体材料及其退火方法_广东省科学院半导体研究所_202512010833.7
    本发明公开一种氮化物半导体材料及其退火方法，其中，氮化物半导体材料的退火方法以下步骤S10：在对氮化物半导体材料进行升温热处理前，先在需要进行热处理的氮化物层的表面覆盖同种氮化物粉末。由于需要进行热处理的氮化物层的表面覆盖同种氮化物粉末，能...
    2026-04-04
  • 一种层间介质层的制备方法、层间介质层及功率半导体器件
    一种层间介质层的制备方法、层间介质层及功率半导体器件_广州辰微电子科技有限公司_202511713646.9
    本发明公开了一种层间介质层的制备方法、层间介质层及功率半导体器件，其中层间介质层的制备方法包括：在半导体有源区的上表面沉积第一介质层材料；对第一介质层进行平坦化处理；对平坦化后的第一介质层进行湿法处理；在第一介质层表面沉积第二介质层。本发明...
    2026-04-04
  • 绝缘体上硅及其制造方法
    绝缘体上硅及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511987983.7
    本发明提供一种绝缘体上硅及其制造方法，绝缘体上硅的制造方法包括：提供一器件衬底，器件衬底上形成有埋氧层；执行多次离子注入工艺，以在目标剥离深度形成脆化层；离子注入工艺为单氢离子注入工艺且多次离子注入工艺中的注入能量依次增加。多次离子注入工艺...
    2026-04-04
  • 用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法
    用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511988021.3
    本发明提供一种用于SOI晶圆的离子注入方法、SOI晶圆及其制造方法，先执行第一离子注入工艺，在器件衬底的第一深度注入第一离子，形成初步的氢聚集点、缺陷和气泡种子层；再执行第二离子注入工艺，在器件衬底的第二深度注入第二离子，形成气泡核，第二深...
    2026-04-04
  • SOI晶圆的制造方法
    SOI晶圆的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511988078.3
    本发明提供一种SOI晶圆的制造方法，通过对器件衬底依次执行至少两次能量不同的离子注入工艺，以在器件衬底中形成离子注入区；然后，执行剥离工艺，以沿离子注入区剥离部分厚度的器件衬底，由于采用至少两次能量不同的离子注入工艺来形成离子注入区，故可以...
    2026-04-04
  • 一种浅沟槽隔离结构的制作方法
    一种浅沟槽隔离结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411308767.0
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括以下步骤：基于光罩图形化垫氧化层‑氮化硅层叠层结构以得到第一掩膜开口；刻蚀衬底以得到隔离沟槽；进行回拉工艺；沉积牺牲层材料于隔离沟槽及第一掩膜开口中；形成遮挡层；基于前述光罩图形化遮挡层以得到第二...
    2026-04-04
  • 一种半导体结构的制备方法和半导体结构
    一种半导体结构的制备方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610230677.7
    本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，垫氮化层形成于垫氧化层的表面，沟槽设置于衬底内，且上部...
    2026-04-04
  • 浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件
    浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202411283348.6
    本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及沟槽的制造方法、半导体器件，所述方法包括：在基底上形成图案化的硬掩模；在所述硬掩模的侧壁形成聚合物；干法刻蚀所述基底，形成沟槽；所述聚合物在干法刻蚀的过程中被等离子体轰击并扩散，回粘在邻近的基底表面；去除所述聚...
    2026-04-04
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511883042.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，晶圆具有沿晶圆的厚度方向相对的第一表面和第二表面；在晶圆内形成第一通孔，第一通孔由晶圆的第一表面向第二表面方向延伸但未贯穿晶圆的第二表面；形成覆盖第一通孔侧壁...
    2026-04-04
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