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  • 本发明涉及增材制造技术领域,尤其是一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法,采用电场驱动喷射沉积微纳3D打印技术,按照设定打印模式及工艺参数在基板上先后打印第一层介质层和由导电浆料打印形成的第一层电路图形;然后继续打印第二层介质...
  • 本发明公开了一种玻璃通孔基板及其制备方法。该制备方法包括:S1、提供具有通孔的玻璃衬底,玻璃衬底具有相反的第一面和第二面,通孔自第一面贯通至第二面;S2、提供支撑板,支撑板通过可分解粘合剂覆设有第一金属层;S3、将玻璃衬底的第一面和支撑板上...
  • 本发明涉及无线通讯技术领域,提供了一种封装基板铜柱结构及其制造方法,制造方法包括以下步骤:S1、使用mSAP工艺完成线路基板制作;S2、选取线路基板的上表面或线路基板的下表面作为待长铜柱面,并在待长铜柱面进行铜柱生长制作;S3、在线路基板的...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,特别的,属于小基板的制备方法。步骤:将小基板通过第一释放层放置在第一基底上,在第一释放层上用模塑料包裹小基板和填充小基板之间的间隙,形成塑封层,在塑封层形成多个通孔暴露出小基板的局部表面,在通孔上制作出凸点,在凸...
  • 本发明公开了一种采用堆叠硅块式的扇出型封装方法,具体包括将待处理的真实芯片real die贴附到载板上;在新的晶圆或者基板上贴附胶膜后,对晶圆或者基板进行切割,获得模拟芯片dummy die;将新切割获得的模拟芯片dummy die上贴附至...
  • 本发明公开了一种板级扇出型芯片封装结构及其制作方法,属于半导体封装技术领域。该封装结构包括半导体芯片、载板、键合膜、模塑化合物、重布线层、钝化层及可焊侧翼结构,半导体芯片通过键合膜贴装于载板,模塑化合物包覆后经解键合分离载板,重布线层与带导...
  • 本公开涉及一种电力模块。所述电力模块包含:第一衬底,其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;第一裸片,其安置在所述第一衬底的所述第一表面上;以及第二裸片,其安置在所述第一衬底的所述第二表面上,其中所述第一裸片及所述第二裸片中的至少一者...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包含具有裸片底座和接触件的衬底。电子组件耦合到所述裸片底座。导电连接件包含耦合到所述接触件的支脚部分和耦合到所述电子组件的连接板部分。所述支脚部分包含顶侧、底侧和向外横向侧。斜面从所述...
  • 本申请题为“电器件端子修饰”。在所描述的示例中,端子(例如,导电端子)包括基底材料210、镀覆堆叠(例如,220和230A)和焊料修饰层250。基底材料210可以是金属,例如铜。镀覆堆叠被布置在基底材料210的表面上,并且可以包括镀覆堆叠中...
  • 本申请提供一种芯片封装体,包括衬板和芯片,衬板的第一表面设有凹槽;凹槽具有槽底和槽口,在从槽底至槽口的方向上,凹槽形成有缩口部,凹槽在缩口部处的口径小于凹槽在槽底处的口径;芯片的一端位于槽底,另一端朝远离槽底的方向延伸出缩口部。通过在衬板上...
  • 本发明提供一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括电路基板、第一半导体元件、第二半导体元件以及连接元件。电路基板包括第一接垫。第一半导体元件配置于电路基板上且包括第二接垫与第三接垫。第二半导体元件配置于电路基板上。连接元件配置于电路基板上...
  • 本申请公开了一种功率模块的封装结构,包括:第二基板,及位于所述第二基板上的多个半导体芯片,其中,所述第二基板包括层叠的绝缘层和金属层,所述金属层包括沿第二方向排列设置的第一区域、第二区域和第三区域,其中,所述第一区域、第二区域和第三区域相互...
  • 本申请公开了一种功率模块的封装结构,包括:第二基板,包括相对的第一表面和第二表面;至少一个半导体芯片,位于所述第二基板的第一表面上;转接板,具有相对的第一表面和第二表面,所述转接板包括第三基板和位于所述第三基板中的布线层;多个焊球,所述焊球...
  • 根据实施方式的封装基板包括:芯层;第一导电层,其为与上述芯层的上表面相接布置的导电层;及附着增强层,布置在上述芯层上且包绕上述第一导电层的至少一部分。附着增强层包括选自由有机硅类化合物、丙烯酸类化合物及其组合组成的组中的一种。第一导电层的上...
  • 本发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括一个基板、一个第一半导体芯片、一个第二半导体芯片、一个桥接结构和一个存储结构。该基板包括布置在介电层中的布线结构。第一半导体芯片和第二半导体芯片布置在基板上。桥接结构嵌入基板中。第一半导体...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中,一种电子装置包含:基板,其具有导电结构;电子组件,其在所述基板的第一侧处耦合到所述导电结构,其中所述电子组件包含面向所述基板的所述第一侧的第一侧及与所述第一侧相对的第二侧;竖直互连件,其围绕所述电...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中,一种电子装置包括:基板,其具有第一导电结构;电子组件,其在所述基板的第一侧处耦合到所述第一导电结构,其中所述电子组件包含面向所述基板的所述第一侧的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;竖直互连件,其围...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中,一种电子装置包含第一基板、耦合到所述第一基板的一侧的电子组件,以及耦合到所述第一基板的所述侧的竖直互连结构。所述竖直互连结构包含耦合到所述第一基板的所述侧的第一互连结构,以及具有耦合到所述第一互连...
  • 通过垂直集成(例如,接合)半导体管芯来形成半导体器件(例如,集成芯片上系统(SoIC)器件),其中,半导体管芯的每个具有前侧互连结构并且具有背侧互连结构。使用前侧至前侧接合工艺来接合集成半导体管芯,这减小了集成半导体管芯之间的通信路径的长度...
  • 面向高压级联模块的高功率密度超低感集成混合封装结构,包括:两个级联回路低热应力混合封装板。本发明提供了面向多级高压级联拓扑的形低感集成结构,在电感削减上,采用形对称的模块结构,构建了磁通面积最小化的功率回路,确保了纳秒级的高开关速度,通过较...
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