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最新专利技术
  • 电容器、电路板组件、芯片及电子设备
    电容器、电路板组件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411290326.2
    本申请实施例提供一种电容器、电路板组件、芯片及电子设备，涉及电容器技术领域。电容器包括衬底，衬底的表面具有阵列排布的多个元胞区域，每个元胞区域均包括至少三个沟槽阵列，每个沟槽阵列均包括并排排列的多个沟槽，任意两个沟槽阵列的多个沟槽的排列方向...
    2026-03-26
  • 一种键合腔上盖压紧机构
    一种键合腔上盖压紧机构_三河建华高科有限责任公司_202511851347.1
    本发明公开了一种键合腔上盖压紧机构，涉及半导体晶圆键合设备领域，包括设置在设备安装部上表面边部的多个一号底座，一号底座顶端中部处转动安装有偏心轴体，偏心轴体外表面中间位置处设置有压紧钩，偏心轴体两侧边部均安装有偏心轴摇臂，一号底座两侧边部均...
    2026-03-26
  • 用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件
    用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件_英飞凌科技股份有限公司_202511242811.7
    本发明涉及一种用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件。该方法包含提供具有多个裸片的硅晶圆，其中，硅晶圆和在其中包含的裸片具有带有反射率R>50％的反射性硅表面。方法还包含加工反射性硅表面的步骤，...
    2026-03-26
  • 一种碳化硅外延材料及其制备方法
    一种碳化硅外延材料及其制备方法_北京智慧能源研究院_202511692307.7
    本申请提供了一种碳化硅外延材料及其制备方法，属于碳化硅外延技术领域。所述碳化硅外延材料的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底上制备n层缓冲层，其中，n≥2；在第n缓冲层上制备外延层；各层缓冲层的制备方法包括：表面进行原位刻蚀...
    2026-03-26
  • 一种基于辐照二维h-BN的新型外延结构及制备方法
    一种基于辐照二维h-BN的新型外延结构及制备方法_西安微电子技术研究所_202511809008.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种基于辐照二维h‑BN的新型外延结构及制备方法，该结构包括由下到上依次设置的自由衬底、缓冲层和GaN外延层，其中，缓冲层包括辐照二维h‑BN层、低温AlN层和高温AlN层，辐照二维h‑BN层由二维h‑BN/...
    2026-03-26
  • 一种气相生长方法
    一种气相生长方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411291089.1
    本发明公开了一种气相生长方法，包括：其采用成膜装置进行，成膜装置上设有气体供给装置，气体供给装置包括依次环绕的第一至第三气体独立供给区；成膜装置内设有一基板，对基板加热。通过第一气体独立供给区朝基板通入含Si和C的第一源气体。通过第二气体独...
    2026-03-26
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411266034.5
    一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，其中，第一金属层的表面具有台阶或空洞；在第一金属层的表面上形成牺牲层，以覆盖台阶或空洞；执行第一平坦化工艺，以停止于第一金属层的表面；去除第一金属层表面残留的牺牲层...
    2026-03-26
  • 一种栅极侧墙及其制备方法和应用
    一种栅极侧墙及其制备方法和应用_成都新紫光半导体科技有限公司_202411280950.4
    本发明涉及一种栅极侧墙及其制备方法和应用，该方法包括：在具有栅极结构的半导体衬底上沉积第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积第二氧化硅层；所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层通过TEOS工艺进行沉积，所述TEOS...
    2026-03-26
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411288580.9
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧化层和掩膜材料层，并刻蚀所述掩膜材料层形成掩膜层，所述掩膜层位于预定形成栅极的区域；进行炉管退火工艺，使得位于所述掩膜层正下方的所述栅氧化层边缘的顶角向上...
    2026-03-26
  • 耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置
    耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411289546.3
    本发明公开了一种耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置，所述制备方法包含：提供一透明钇基烧结体制成的零部件本体；在零部件本体的上表面进行表面导电化，形成一导电层；对表面导电化后的零部件本体打孔，形成贯穿零部件的孔道。本发明将透明钇基粉体...
    2026-03-26
  • 一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法
    一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511697289.1
    本发明涉及碳化硅器件技术领域，公开了一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法，其包括以下步骤：在碳化硅衬底(1)上贴合一层蓝膜(2)；通过激光技术在蓝膜(2)上进行切割，使蓝膜(2)在碳化硅衬底(1)上形成目标图形；在步骤2)得到的碳化硅...
    2026-03-26
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411359617.2
    本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一区与第二区。第二区位于第一区旁。第一区包括中央区与边缘区。边缘区围绕中央区。在第一区的基底上具有第一结构。在第二区的基底上具有第二结构。第一结构的高度高于第二结构的高度...
    2026-03-26
  • 一种改善高速流离子注入能量污染的方法
    一种改善高速流离子注入能量污染的方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411273816.1
    本公开涉及一种改善高速流离子注入能量污染的方法，该方法使高能离子束经过校正磁场前经一次减速，将高能离子束的速度降至安全速度以下形成中能离子束，然后再经二次减速，使离子束的能量降至离子注入所需的能量后进行离子注入。采用上述方式，一方面，中能离...
    2026-03-26
  • 一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用
    一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用_正奇光能科技有限公司_202511746621.9
    本发明公开了一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用，属于光伏太阳能电池制造工艺的技术领域，在硼扩散工序中，本发明通过梯度升温、多步通源的技术手段，合理地调控每一阶段的升温温度与特气(N2、O2与BCl3)的气流量，在高温低压的条件下，促进...
    2026-03-26
  • 沟槽的制备方法
    沟槽的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411266085.8
    本发明提供了一种沟槽的制备方法。该制备方法中，在掩模层内形成开口之后，还通过氧化工艺在开口的侧壁上形成氧化物侧墙，以自动缩减开口的宽度，从而在掩模层和氧化物侧墙的共同掩模下，即可有效缩减最终形成的沟槽的尺寸。本发明提供的制备方法，工艺简单、...
    2026-03-26
  • 来自反应室部分的碳化硅膜的光子辅助化学蚀刻
    来自反应室部分的碳化硅膜的光子辅助化学蚀刻_LPE公司_202511279938.6
    本发明涉及一种用于从适于在衬底上沉积碳化硅层的反应室的一个或多个部分蚀刻碳化硅膜的方法。该方法包括以下步骤：(i)在用于沉积碳化硅的反应器的反应室的一个或多个部分上提供碳化硅膜；(ii)执行蚀刻过程的至少一个循环。蚀刻过程包括至少一个UV光...
    2026-03-26
  • 一种半导体刻蚀设备和方法
    一种半导体刻蚀设备和方法_上海稷以科技有限公司_202511893724.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种半导体刻蚀设备及方法。本发明提供的半导体刻蚀设备，包括真空腔室和温控系统：真空腔室内集成有低温反应区和高温挥发区，低温反应区位于真空腔室的底部，设有用于承载晶圆的载台，高温挥发区位于真空腔室...
    2026-03-26
  • 一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法
    一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法_南京国科半导体有限公司_202511893691.7
    本发明涉及半导体器件微纳加工技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法，所述腐蚀液为包括柠檬酸、磷酸和双氧水的水溶液，其中，所述柠檬酸为一水柠檬酸，所述磷酸的质量浓度为85%，所述双氧水的质量浓度为30%。...
    2026-03-26
  • 一种自动添加切割药水的改进装置及方法
    一种自动添加切割药水的改进装置及方法_矽品科技(苏州)有限公司_202511671961.X
    本发明提供一种自动添加切割药水的改进装置及方法，原液水箱和纯水接入管向混合水箱提供原液和纯水，流量计监控原液和纯水到混合水箱的流量；余量报警器和水位感应器监测原液水箱和混合水箱的余量；机台端溶液水箱从混合水箱向切割机提供按比例混合的切割药水...
    2026-03-26
  • 一种定向清洗超导量子芯片的方法
    一种定向清洗超导量子芯片的方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411125137.X
    本申请公开了一种定向清洗超导量子芯片的方法，属于量子芯片制造技术领域。定向清洗超导量子芯片的方法包括：将设置有窗口的挡板覆盖于超导量子芯片的表面，使得窗口露出位于超导量子芯片表面的污物；通过窗口对污物进行清理。通过上述方式，本发明能够根据需...
    2026-03-26
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