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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411263002.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第二介质层以及位于所述第一介质层和第二介质层中的集电极；所述集电极和第二介质层表面依次形成有第三介质层、多晶硅层和第四介质层以及贯穿所...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411784551.1
    本发明涉及半导体装置。半导体装置具备半导体层、第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第三电极、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、以及第二导电型的第五半导体区域。第一电极及第二电极分...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510986111.2
    实施方式提供一种能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第四电极、第一、第二端子、半导体部件以及第一绝缘部件。半导体部件的至少一部分位于第一电极与第二电极之间。半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511008937.8
    本公开的目的在于提供能够降低由动态雪崩导致的绝缘膜的劣化的半导体装置。本公开的半导体装置是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，具备：半导体基板；两级有源沟槽，其在设置于半导体基板的表面侧的沟槽的内...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511057085.1
    本公开的目的在于提供半导体装置，噪声低且开关损失低，能够抑制发射极－集电极间饱和电压VCE(sat)的增加。本公开的半导体装置具备：双层有源虚设沟槽，具有第1上层电极以及第1下层电极；和双层有源沟槽，具有第2上层电极以及第2下层电极，第1上...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511057422.7
    本公开的目的在于提供抑制误开通的产生的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；第1主电极，以与第4半导体层接触的方式设置于半导体基板的第1主面侧；第2主电极，设置于半导体基板的与第1主面对置的第2主面侧；第1沟槽，以贯通第4半导体层...
    2026-03-20
  • 半导体器件和半导体器件的制造方法
    半导体器件和半导体器件的制造方法_瑞萨电子株式会社_202511139717.9
    本公开的各实施例涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括具有上表面和下表面的半导体衬底、包含半导体元件的元件区域和在平面视图中包围元件区域的外围区域。外围区域中的半导体衬底包括N型漂移层、相对于N型漂移层被设置在上表面侧上的...
    2026-03-20
  • 隧穿场效应晶体管及其制造方法
    隧穿场效应晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511558311.4
    本公开提供了一种隧穿面积可调可控的隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管包括衬底上的垂直堆叠的源层、漏层、外延生长的垂直沟道部和由沟道沿源极扩展的栅堆叠。源层具有底部以及从底部沿竖直方向凸起的凸台；漏层设置在源层上方；外延的沟道部...
    2026-03-20
  • 绝缘栅双极型晶体管器件
    绝缘栅双极型晶体管器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511758456.9
    本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括：半导体基底，包括用于形成IGBT器件的器件区域；多个栅极结构，栅极结构位于器件区域的第一表面一侧；其中，每个栅极结构包括栅极焊盘和栅极配线图案，栅极配线图案与对应的栅极焊盘电连接，且每个栅极结构...
    2026-03-20
  • 功率器件及其制造方法
    功率器件及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511856357.4
    本发明公开了一种功率器件，包括：层间膜。半导体衬底分成有源区和终端区。在有源区中形成形成有器件单元结构；在终端区形成有环绕在有源区周侧的场氧化层。在有源区中，层间膜覆盖在形成有器件单元结构的半导体衬底的顶部表面之上并形成有穿过层间膜的第一接...
    2026-03-20
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社东芝_202411735009.7
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中，准备具备第一主面及第二主面的半导体层，该半导体层包含第一导电型的第一半导体区域、位于第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、以隔着绝缘区域与第二半导体区域相对的方式设置的控制...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411266470.2
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部包括若干依次堆叠的金属栅极和沟道层，所述金属栅极两侧形成有凹部，所述凹部呈矩形。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，先去除鳍部侧壁的混...
    2026-03-20
  • 具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法
    具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法_意法半导体国际公司_202511261411.0
    本公开涉及具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法。提供了制造竖直传导功率装置的方法。示例包括：在包含半导体材料且为第一导电性的主体中形成与第一导电性相反的第二导电性的主体区域；在相应的主体区域中形成第一导电...
    2026-03-20
  • 一种基于二维材料的晶体管及其制备方法
    一种基于二维材料的晶体管及其制备方法_北京理工大学_202511468897.5
    本申请实施例提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底、第一MoTe2层、源极金属层、漏极金属层、第二MoTe2层和栅极层，所述第一MoTe2层、所述源极金属层、所述漏极金属层依次设置在所述衬底上方，所述第一MoTe2层通过费米能级钉扎效应与...
    2026-03-20
  • 一种薄膜晶体管的制备方法
    一种薄膜晶体管的制备方法_集美大学_202511762293.1
    本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，其核心在于构建一种准双沟道结构。对薄膜晶体管的绝缘层作为第一金属氧化物，对其表面处理得到一缺氧表面；在缺氧表面上沉积第二金属氧化物作为沟道层；绝缘层的金属‑氧键高于沟道层的金属‑氧键；第二金属氧化物沉积...
    2026-03-20
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法
    屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511837217.2
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，在沟槽中形成控制栅结构，所述控制栅结构包括位于栅间介质层上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层中的控制栅电极，所述控制栅电极包括多层控制栅电极层，自所述沟槽侧壁向所述沟槽中心，每层所述控制栅电...
    2026-03-20
  • LDMOS及其制作方法
    LDMOS及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861175.6
    本发明公开了一种LDMOS及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供衬底，在其表面形成栅极氧化层，并在其内部形成间隔设置的漂移区和体区；在漂移区上方的栅极氧化层上形成阶梯栅氧层，并在阶梯栅氧层上形成阶梯栅极，阶梯栅极至少包括相隔一定距离的...
    2026-03-20
  • 高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备
    高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411224150.0
    本申请提供一种高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备，涉及半导体器件领域，能够解决GaN衬底界面杂质带来的漏电和寄生效应。该高电子迁移率晶体管中包括GaN衬底以及设置在GaN衬底上的势垒功能层、源极、漏极、栅极。其中，源极、漏极、栅极设置...
    2026-03-20
  • 极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备
    极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备_三垦电气株式会社_202511096857.2
    本发明提供不使用复杂的电路就能够容易地实现常关化的极化超结GaN系场效应晶体管。场效应晶体管具有：未掺杂GaN层；具有开口部的AlxGa1‑xN层；从开口部的侧壁起设置在内部的未掺杂GaN层的一部分之上的未掺杂GaN层；在AlxGa1‑xN...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及应用
    一种半导体器件及应用_厦门市三安集成电路有限公司_202511686919.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件及应用。该半导体器件包括异质结结构、第一金属层或第三金属层和/或第二金属层或第四金属层的设置，第一金属层或第三金属层至少部分与半导体叠层形成肖特基接触，第二金属层或第四金属层的至少部分与半...
    2026-03-20
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