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最新专利技术
  • 一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法
    一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法_华东理工大学_202610099584.5
    本发明公开了一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底表面设置有光刻胶掩膜层；采用源功率与偏置功率独立可调的等离子体刻蚀设备，以交替进行钝化‑去钝化‑刻蚀步骤的深反应离子刻...
    2026-03-08
  • 临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707330.9
    本发明涉及一种临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述临时键合法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成初始SOI结构，所述初始SOI结构包括第一晶圆、第二晶圆以及夹设于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的埋氧层；对所述初始SOI结构中的...
    2026-03-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202511596202.1
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个硅通孔并填充导电材料，在硅通孔上方形成导电的金属焊盘，并在导电焊盘周围形成至少一圈盲孔结构，以实现导电焊盘的电隔离。其中盲孔结构在衬底法线方向的截面为绝缘的介质结...
    2026-03-08
  • 钨填充的连接孔结构的制造方法
    钨填充的连接孔结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511676167.4
    本发明公开了一种钨填充的连接孔结构的制造方法，包括：步骤一、在底层结构上进行形成连接孔。步骤二、形成阻挡层，阻挡层采用能同时实现后续的钨选择性刻蚀以及钨选择性生长的材料。步骤三、进行第一次CVD工艺沉积第一钨层，第一钨层将连接孔部分填充且将...
    2026-03-08
  • 单大马士革工艺方法
    单大马士革工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767476.2
    本发明公开了一种单大马士革工艺方法，包括：提供形成有层间膜的底部结构，层间膜的表面形成有将沟槽的形成区域打开的金属硬质掩膜层。以金属硬质掩膜层为掩膜对层间膜进行第一次刻蚀，第一次刻蚀停止在层间膜中以形成顶部子沟槽。去除金属硬质掩膜层。对层间...
    2026-03-08
  • 硅通孔及其制造方法
    硅通孔及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511728310.X
    本发明公开了一种硅通孔，包括：贯穿硅衬底的硅通孔沟槽。在硅通孔沟槽的侧面形成有渐变热膨胀系数匹配绝缘层。在硅通孔沟槽内填充有第一金属层并形成硅通孔。渐变热膨胀系数匹配绝缘层具有渐变热膨胀系数结构并利用渐变热膨胀系数结构来降低热过程中在硅通孔...
    2026-03-08
  • 一种芯片与热沉非焊接连接方法及结构
    一种芯片与热沉非焊接连接方法及结构_江阴市辉龙科技股份有限公司_202511719462.3
    一种芯片与热沉的非焊接连接方法及结构，其特征是：所述的方法首先，将弹簧片的一端与热沉焊接相连，使弹簧片的另一端以设定的压力和间隙与热沉上安装芯片的位置相对，其次，抬起弹簧片的另一端将芯片放置在其下部，松开弹簧片的另一端利用弹性边将芯片压装在...
    2026-03-08
  • 一种芯片结构和芯片背面散热方法
    一种芯片结构和芯片背面散热方法_重庆芯联微电子有限公司_202511647921.1
    本发明公开了一种芯片结构和芯片背面散热方法，所述芯片结构包括衬底层和位于所述衬底层上的器件层，将所述器件层划分为高功率区域和低功率区域；在所述衬底层上对应所述高功率区域的晶背形成第一刻蚀槽作为第一散热区域，在所述衬底层上对应所述低功率区域的...
    2026-03-08
  • 用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块
    用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块_华中科技大学_202511774587.6
    本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域，尤其涉及用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块，其方法包括：在发射极钼片和集电极钼片的上下表面制备散热层；由上至下按顺序组合集电极铜层、含散热层的集电极钼片、功率芯片、含散热层的发射...
    2026-03-08
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511783343.4
    本申请实施例公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基底、第一布线层、芯片、导热件以及封装层，导热件包括位于本体部远离基底一侧的第一部分，以及围绕本体部的侧面设置的第二部分，第一部分与第二部分导热连接，封装层围绕导热件的第二部分的侧面设置...
    2026-03-08
  • 一种新型高集成封装IPM模块及制造方法
    一种新型高集成封装IPM模块及制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511787531.4
    本发明公开一种新型高集成封装IPM模块及制造方法，自下而上分层且横向延伸布置铜底板、陶瓷基板、功率半导体器件、PCB驱动板和塑胶盖板；在陶瓷基板的上层纵向固定安装布置有内部PIN针，其上端部同PCB驱动板过盈配合连接，功率半导体器件和PCB...
    2026-03-08
  • 一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法
    一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法_合肥阿基米德电子科技有限公司_202610003482.9
    本发明公开了一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法，涉及半导体技术领域，碳化硅金刚石复合衬板包括碳化硅基体、金刚石层、冶金结合金属层、绝缘陶瓷层和铜层。制备方法包括：步骤一，对碳化硅基体进行表面处理，形成若干凹坑；步骤二，在碳化硅基体设置有凹...
    2026-03-08
  • 芯片、半导体器件及电子设备
    芯片、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512040205.3
    本公开涉及一种芯片、半导体器件及电子设备，该芯片包括芯片本体和环形结构，环形结构围绕芯片本体的外周向设置，环形结构包括沿自身厚度方向层叠布置的第一金属互连结构、衬底以及第二金属互连结构；其中，衬底上设置有连接孔，连接孔连接于第一金属互连结构...
    2026-03-08
  • 一种高效的GPU芯片液冷散热装置
    一种高效的GPU芯片液冷散热装置_盱眙鑫旺电子有限公司_202511537325.8
    本发明涉及芯片技术领域，具体为一种高效的GPU芯片液冷散热装置，包括安装架，安装架外壁顶部固定设有冷板，冷板顶部设有发热芯片，安装架外壁位于冷板底部设有散热机构；散热机构包括安装架内壁处相对设置的两个储液筒，储液筒设有容纳液体的储液腔，储液...
    2026-03-08
  • 具有增强散热结构的功率模块
    具有增强散热结构的功率模块_无锡芯动半导体科技有限公司_202511642786.1
    本发明涉及一种具有增强散热结构的功率模块。按照本发明提供的技术方案，一种具有增强散热结构的功率模块，所述功率模块包括：功率模块本体，至少包括封装基座以及装配于所述封装基座上的功率单元，以利用功率单元形成所需的电能转换电路拓扑；增强散热结构，...
    2026-03-08
  • 一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备
    一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202411099875.1
    本发明涉及芯片封装领域，特别是涉及一种高散热性能的芯片封装方法、芯片结构、介质及设备。包括：在封装有目标芯片的基板表面的预设区域粘贴固定翘曲抑制构件，形成第一初始封装体；通过回流焊，将第一初始封装体固定贴装在目标PCB板的预设区域，形成第二...
    2026-03-08
  • 静电保护电路、芯片及设备
    静电保护电路、芯片及设备_成都奕斯伟计算技术有限公司_202511714179.1
    本申请公开了静电保护电路、芯片及设备，属于半导体技术领域。电路中的检测模块在静电保护电路的电源正极存在静电电流的情况下，输出第一信号；驱动模块基于第一信号向放电模块输出第二信号，第二信号的电平值大于第一信号的电平值；放电模块在第二信号满足导...
    2026-03-08
  • 适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法
    适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640172.X
    本发明提供一种适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法，该方法包括：在具有零层对位标记区域和沟道区域的衬底上形成第一介质层；对零层对位标记区域进行刻蚀，在衬底中形成沟槽；在沟槽内表面及沟道区域上形成用于阻挡外延生长的第二介质层；对第二介...
    2026-03-08
  • 半导体封装件和制造半导体封装件的方法
    半导体封装件和制造半导体封装件的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511724798.9
    本公开提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基底；半导体芯片，设置在基底上；模制层，在基底上覆盖半导体芯片，模制层包括主体部和设置主体部上的标记图案；标记框架，设置在主体部上，标记框架的一部分被去除以形成标记区域...
    2026-03-08
  • 芯片堆叠结构
    芯片堆叠结构_湖北星辰技术有限公司_202511758488.9
    本公开实施例提供一种芯片堆叠结构，该芯片堆叠结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆设置有第一对准标识；与所述第一晶圆键合的第二晶圆，所述第二晶圆设置有第二对准标识；其中，所述第一对准标识与所述第二对准标识在键合面上的投影上具有预设的位置对应关系；...
    2026-03-08
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