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最新专利技术
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511594428.8
    方法包括：在第二层上方形成第一层；对第一层实施激光处理工艺，其中，激光处理工艺包括将激光束定向至第一层中，其中，激光束修改第一层；以及在对第一层实施激光处理工艺之后，对第一层实施平坦化工艺以去除第一层，其中，平坦化工艺暴露第二层。本申请的实...
    2026-03-10
  • 刻蚀方法及半导体工艺设备
    刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511652036.2
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种刻蚀方法及半导体工艺设备。所提供的刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括硅衬底和形成于硅衬底中的金属柱，向工艺腔室内通入刻蚀气体，使刻蚀气体电离形成等离子体，以刻蚀硅衬底表面，使金属柱的上表面高于硅...
    2026-03-10
  • 一种晶圆的减薄方法
    一种晶圆的减薄方法_昆山麦沄显示技术有限公司_202511708720.8
    本申请公开了一种晶圆的减薄方法，包括预设晶圆减薄目标厚度，在晶圆背离需减薄面制作深度与目标厚度一致的孔洞，填充与晶圆材料不同的检测材料；通过有机材料将晶圆临时键合于玻璃或蓝宝石载盘，进行机械预减薄；将晶圆放入集成质谱仪的电感耦合等离子体刻蚀...
    2026-03-10
  • CMP机台及CMP方法
    CMP机台及CMP方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767483.2
    本发明公开了一种CMP机台，包括：研磨模块，清洗模块和洗边模块。洗边模块用于在CMP研磨之前对晶圆进行洗边。研磨模块用于对晶圆进行CMP研磨。清洗模块用于对CMP研磨后的晶圆进行清洗。研磨模块、清洗模块和洗边模块整合在同一CMP机台中，用于...
    2026-03-10
  • 具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构
    具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构_重庆奕能科技有限公司_202511604274.6
    本申请公开了一种具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构，划片方法包括：在所述晶圆第二表面的所述划片槽区域形成第一凹槽；在所述晶圆的第二表面上形成背面金属层，所述背面金属层填充所述第一凹槽并沿所述第一凹槽形成第二凹槽。本申请的具有背面金属层...
    2026-03-10
  • 一种键合片解键合的方法
    一种键合片解键合的方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202512057260.3
    本发明涉及一种键合片解键合的方法。所述键合片包括晶圆，所述晶圆包括相对设置的镀银面和器件面；载体，所述载体通过键合介质层，与器件面键合；所述键合片解键合的方法包括以下步骤：在所述镀银面设置耐高温膜；热滑移解键合，分离晶圆与载体；去除所述耐高...
    2026-03-10
  • 一种智能碳氢清洗机及其使用方法
    一种智能碳氢清洗机及其使用方法_苏州圣澳源环保科技有限公司_202511686620.X
    本发明公开了一种智能碳氢清洗机及其使用方法，具体涉及硅片清洗技术领域，用于解决现有碳氢清洗工艺中溶剂残留导致硅片表面界面特性改变、影响后续光刻工艺质量的问题；通过在线监测系统获取硅片表面溶剂残留浓度和接触角数据，识别溶剂残留组分的挥发性与极...
    2026-03-10
  • 一种半导体生产晶圆清洗机
    一种半导体生产晶圆清洗机_淮安豪杰创芯半导体设备有限公司_202511688467.4
    本发明公开了一种半导体生产晶圆清洗机，涉及半导体制造技术领域，包括，机体，其内部设置有用于放置待清洗晶圆的清洗花篮，清洗花篮的内壁上对称设置有两组卡托件，卡托件至少包括，支撑轴，可转动地设置于清洗花篮内，支撑轴的轴线垂直于清洗花篮的前后端面...
    2026-03-10
  • 半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器
    半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器_上海华力集成电路制造有限公司_202511728298.2
    本发明公开了一种半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器，所述半导体晶圆湿法清洗方法，包括通过旋转干燥去除晶圆表面清洗液的步骤，其特征在于，所述旋转干燥步骤执行时采用以下操作：晶圆在一可升降的清洗杯内进行旋转；控制清洗杯在旋转干燥开始后的预...
    2026-03-10
  • 一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备
    一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备_无锡海浥半导体科技有限公司_202511790873.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备，包括：微泡清洗模块、马兰戈尼干燥模块、低压干燥模块和IR灯管加热模块，所述四个模块集成在一个设备腔体中，通过控制单元预设多种工作模式，灵活组合各技术模块。本发明解决了现...
    2026-03-10
  • 一种芯片及半导体制造设备
    一种芯片及半导体制造设备_贝澳科技(深圳)有限责任公司_202511798139.X
    本发明公开了一种芯片及半导体制造设备，涉及芯片及半导体制造技术领域，包括主体机构，所述主体机构包括机体，所述机体的底面固定安装有机台，所述机台的上表面固定安装有隔板，所述机台的内壁固定安装有三个清洗箱，所述机台的上表面开设有排水槽，所述机体...
    2026-03-10
  • 一种链式去BSG机台用酸槽结构及使用方法
    一种链式去BSG机台用酸槽结构及使用方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511847463.6
    本发明公开了一种链式去BSG机台用酸槽结构及使用方法，涉及硅片清洗技术领域，包括滚轮，所述滚轮底部设有第一水膜区、第一酸槽、第二水膜区、第二酸槽、水槽和烘干槽，各槽体之间设有溢流区域，所述溢流区域包括第一溢流槽、第二前溢流槽、第二后溢流槽、...
    2026-03-10
  • 一种半导体晶圆多频复合超声清洗机
    一种半导体晶圆多频复合超声清洗机_南通琳莱嘉智能制造有限公司_202511942974.6
    本发明适用于半导体晶圆技术领域，提供了一种半导体晶圆多频复合超声清洗机，包括主体组件，所述主体组件包括箱体，所述箱体的一侧设置有上下料工位；清洗组件，所述清洗组件设置为两组，该装置解决了现有超声清洗中，晶圆花篮与清洗腔内壁的安装流动间隙导致...
    2026-03-10
  • 一种芯片封装体粘接层解键合的方法、介质及电子设备
    一种芯片封装体粘接层解键合的方法、介质及电子设备_沐曦集成电路(上海)股份有限公司_202411099872.8
    本发明涉及性芯片封装领域，特别是涉及一种芯片封装体粘接层解键合的方法、介质及电子设备。包括：分别获取两个加热电路开始加热工作后对应的热敏电阻设置位置的温度达到多个预设温度区间的时长序列。根据Taa及Tbb，分别生成两个加热模块的热效率Paa...
    2026-03-10
  • 一种用于芯片键合的焊头模组加热冷却装置
    一种用于芯片键合的焊头模组加热冷却装置_上海骄成半导体设备技术有限公司_202510698445.X
    本发明属于半导体键合技术领域，具体涉及一种用于芯片键合的焊头模组加热冷却装置，包括自上而下依次设置的冷却模块、绝缘上盖板、薄膜电阻、绝缘下基板和焊头底板，所述冷却模块的内部设有液体流道，所述液体流道内装有冷却液；所述冷却模块的下表面连接绝缘...
    2026-03-10
  • 一种超声热压机构及设备
    一种超声热压机构及设备_上海骄成半导体设备技术有限公司_202511375384.X
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种超声热压机构及设备，所述超声热压机构包括框架、旋转电机、弹性缓冲模组、传动单元、加热组件和超声邦头，所述框架之上安装旋转电机，所述框架内部安装弹性缓冲模组，所述旋转电机的输出端与所述弹性缓冲模组的一...
    2026-03-10
  • 基片处理装置的清洗方法
    基片处理装置的清洗方法_东京毅力科创株式会社_202511606667.0
    本发明提供一种基片处理装置的清洗方法。所述基片处理装置包括：能够收纳多个基片且贮存处理液的处理槽；承接从所述处理槽洒出的所述处理液的承液部；和将由所述承液部承接的液体排出的承液部排出管。在所述清洗方法中，在检测到所述承液部排出管发生堵塞的情...
    2026-03-10
  • 一种定位精准的晶圆扫描设备
    一种定位精准的晶圆扫描设备_晶芯半导体(黄石)有限公司_202511642914.2
    本发明公开了一种定位精准的晶圆扫描设备，本发明涉及晶圆加工技术领域，包括操作台；支撑架，其固设在操作台的上表面，所述支撑架的上表面设置有用于切换工作状态的切换机构，通过设置切换机构，可以在晶圆加工的过程中，调节置料机构和扫描机构与蚀刻机构的...
    2026-03-10
  • 学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、以及学习完毕模型的生成方法
    学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、以及学习完毕模型的生成方法_株式会社斯库林集团_202511707700.9
    基板处理装置(100)具备基板保持部(120)、处理液供给部(160)、输入信息取得部(22a)、升华干燥处理条件信息取得部(22b)以及控制部(22)。输入信息取得部(22a)取得输入信息，输入信息包含基板信息以及处理液信息中的至少一者的...
    2026-03-10
  • 一种宽禁带半导体器件界面缺陷优化装置及方法
    一种宽禁带半导体器件界面缺陷优化装置及方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511728185.2
    本发明公开了一种宽禁带半导体器件界面缺陷优化装置及方法，所述装置包括FPGA主控制器；氢气炉为待处理的宽禁带半导体器件提供氢环境；多路电源模块对半导体器件进行供电，模拟实际工作状态；数据采集模块对半导体器件的电学参数进行实时监测和采集；温度...
    2026-03-10
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