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最新专利技术
  • 一种锗基双源隧穿纳米片的TFET、CTFET及制备方法
    一种锗基双源隧穿纳米片的TFET、CTFET及制备方法_西安电子科技大学_202511655837.4
    本发明公开了提供了一种锗基双源隧穿纳米片的TFET、CTFET及制备方法，TFET的制备方法包括：在Ge衬底层生长N层层叠的异质结构；生长三维隔离结构；制备在非掺杂沟道区域两侧对称设置的第一源极，并在非掺杂沟道区域的N层层叠的异质结构上制备...
    2026-03-10
  • 一种具有延伸源极和导流InGaN的抗单粒子辐照加固AlGaN/GaN CAVET器件
    一种具有延伸源极和导流InGaN的抗单粒子辐照加固AlGaN/GaN CAVET器件_重庆邮电大学_202511798016.6
    本发明涉及一种具有延伸源极和导流InGaN的抗单粒子辐照加固AlGaN/GaN CAVET器件，属于微电子技术领域。该器件其包括：衬底；位于衬底下表面的漏极；位于衬底上表面的缓冲层超结N柱；位于衬底上表面，且分布在缓冲层超结N柱两侧的缓冲层...
    2026-03-10
  • 一种屏蔽栅沟槽型MOSFET四端子器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型MOSFET四端子器件及其制备方法_重庆邮电大学_202511708618.8
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET四端子器件及其制备方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET四端子器件包括衬底、外延层，在外延层内设置沟槽，在沟槽内分段设置栅极，分段设置的栅极包括第一屏蔽栅极、第二屏蔽栅极和控制栅极，第一屏蔽栅极连接独立偏置电...
    2026-03-10
  • 一种兼具全通道利用与栅氧化层保护的SiC沟槽式MOSFET结构
    一种兼具全通道利用与栅氧化层保护的SiC沟槽式MOSFET结构_郑州榕芯电子科技有限公司_202511816441.3
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，且公开了一种兼具全通道利用与栅氧化层保护的SiC沟槽式MOSFET结构，包括N+型SiC衬底，N+型SiC衬底上依次生长有下N‑‑外延层(N1)与上N‑‑外延层(N2)，且下N‑‑外延层的电阻率R1小于上N...
    2026-03-10
  • 功率器件及其制造方法
    功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511695825.4
    本发明公开了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；阱区，位于外延层中，阱区位于外延层远离衬底的一侧，阱区中设置有源区；栅极，位于外延层上方，经由栅极介质层与外延层隔离；其中，外延层中设置有绝缘介质区，绝缘介质区...
    2026-03-10
  • 一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片
    一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511490318.7
    本发明实施例提供了一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片，包括源极P型重掺杂区，位于P型体区内；N型注入层，位于N型外延层内；源极N型重掺杂区，位于P型体区内；漏极N型重掺杂区，位于N型外延层内；栅极氧化层，位于源极N型重掺杂区的部分表...
    2026-03-10
  • 一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片
    一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511490320.4
    本发明实施例提供了一种SiC LDMOS器件、制造方法和芯片，包括：P型衬底；N型埋层，位于P型衬底内；N型外延层，位于P型衬底的表面和N型埋层的表面；P型注入层，位于N型外延层内，且底部与N型埋层的部分表面相连；P型体区，位于N型外延层内...
    2026-03-10
  • FDSOI工艺中的LDMOS器件及其制造方法
    FDSOI工艺中的LDMOS器件及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511728348.7
    本发明公开了一种FDSOI工艺中的LDMOS器件，形成于混合区半导体衬底上，包括：沟道区，漂移区，栅极结构，形成于沟道区的顶部表面上并延伸到相邻的漂移区的顶部表面上。源区和漏区分别形成于第一和第二抬升外延层中，第二抬升外延层形成于漂移区的顶...
    2026-03-10
  • LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法
    LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610090393.2
    本申请实施例提供了一种LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法，该结构包括：内部形成有相互间隔的掺杂阱区和漂移区的基底；该漂移区内形成有至少两个间隔分布的隔离沟槽；形成于隔离沟槽内的至少两个场板结构；该场板结构包括形成于隔离沟槽表面的场氧层...
    2026-03-10
  • 一种低损耗高可靠性超结功率器件结构
    一种低损耗高可靠性超结功率器件结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610105803.6
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低损耗高可靠性超结功率器件结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞从下向上依次包括漏极、半导体外延层、栅极以及源极，栅极的表面覆盖有介质层，半导体外延层的内部包括有N衬底层、N漂移层；...
    2026-03-10
  • 金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应管及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202610108045.3
    本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括至少一个元胞结构；元胞结构包括：衬底；漂移区，具有第一导电类型；第一阱区，具有第二导电类型；JFET区；第二阱区，具有第二导电类型；屏蔽层，位于JFET区远离漂...
    2026-03-10
  • 薄膜晶体管、显示面板及显示终端
    薄膜晶体管、显示面板及显示终端_TCL华星光电技术有限公司_202511718739.0
    本申请涉及一种薄膜晶体管、显示面板及显示终端。薄膜晶体管包括有源部，有源部包括第一沟道部、设置于第一沟道部两端的第一接触部和第二接触部、设置于第一沟道部和第一接触部之间的第一功能部、设置于第一沟道部和第二接触部之间的第二功能部；其中，第一功...
    2026-03-10
  • 二维电子气电荷密度控制
    二维电子气电荷密度控制_纳维达斯半导体有限公司_202511727163.4
    本公开涉及二维电子气电荷密度控制。公开了用于控制氮化镓(GaN)装置中的二维电子气(2DEG)电荷密度的结构和相关技术。在一个方面，一种GaN装置包含化合物半导体衬底、形成于所述化合物半导体衬底中的源极区、形成于所述化合物半导体衬底中并与所...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511821442.7
    本申请公开了半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底一侧表面的第一外延层；位于第一外延层内的多个电场调制区，电场调制区的顶面位于第一外延层的顶面；电场调制区与第一外延层的掺杂类型相反；位于第一外延层背离衬底一侧的第二外延层；第...
    2026-03-10
  • HKMG的栅极功函数的调节工艺方法
    HKMG的栅极功函数的调节工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784122.9
    本发明公开了一种HKMG的栅极功函数的调节工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成界面层和高介电常数层。步骤二、在高介电常数层的顶部表面上形成氧化镧层。步骤三、对氧化镧层进行图形化刻蚀以将第一区域外部的氧化镧层去除以及将第一区域的氧化镧层...
    2026-03-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610083772.9
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层和第一金属层，所述介质层内形成有凹槽，所述第一金属层至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部；对所述凹槽进行照射处理，使所述第一金属层中位于所述凹槽内的部分产生载流子，且所述载...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海光通信有限公司_202411111001.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出有源区；浅沟槽隔离结构的顶面与有源区的顶面不齐平；形成多个间隔排布的牺牲图形，各牺牲图形的顶面平齐；至少部分...
    2026-03-10
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610122489.2
    本发明公开了一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。且所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有缓冲氧化层，所述缓冲氧化层上设置有栅极结构和侧墙，所述侧墙包括内层氮化层、中间氧化层和外层氮化层，相邻所述栅极结构...
    2026-03-10
  • 一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件
    一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件_润新微电子(大连)有限公司_202610107267.3
    本发明属于半导体技术领域，具体公开一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件，GaN芯片包括GaN主体结构和二极管结构，GaN主体结构具有源电极、漏电极和栅电极，GaN主体结构的栅电极与二极管结构的正极或负极相连接，二极管结构包括阴极欧...
    2026-03-10
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511571515.1
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括第一单元，第一单元包括第一晶体管；以及第二单元，在第一单元边界处邻接第一单元并包括第二电路的至少部分。第一单元在第一单元边界处包括一个或多个引脚层，一个或多个引脚层包括最高引脚层...
    2026-03-10
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