Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610073113.7
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底上形成有覆盖第一区域、第二区域的中间层；于中间层上形成第一功函数层；于第一功函数层上形成第二功函数层，第二功函数层的氮元素含量小于第一功函数层的氮元素含量；对...
    2026-03-01
  • 西格玛沟槽的制作方法
    西格玛沟槽的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411109871.7
    本发明提供一种西格玛沟槽的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅氧化层与栅极结构，栅极结构包括依次形成于栅氧化层上栅极、第一掩膜层与第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜进行第一次刻蚀至第二掩膜层被去除，在栅极结构两侧的衬底内形成第一沟槽，刻蚀过...
    2026-03-01
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540232.0
    方法包括：图案化穿过第一介电层的第一开口以暴露第一源极/漏极区域；在第一源极/漏极区域上形成第一硅化物区域；沿第一开口的表面沉积第一多种多环芳烃；实施退火工艺以将第一多种多环芳烃转化为第一石墨烯层；以及用第一金属材料填充第一开口的剩余部分。...
    2026-03-01
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540264.0
    方法包括：形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；以及实施蚀刻工艺以在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。实施硅化物形成工艺以在源极/漏极区域的表面...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610069536.1
    本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域，本发明改变现有技术中鳍式晶体管的制作工艺中应力硅技术的工序，将源极、漏极应力硅技术外延提前到鳍部形成之前，利用鳍部上的硬质掩模层采用自对准技术直接刻蚀出鳍部，意想不到的技术效果是：本发...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备
    半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511682684.2
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体结构包括：横向扩散金属氧化物半导体器件，以及肖特基二极管；半导体器件包括衬底结构、隔离环结构以及本体结构；隔离环结构，本体结构以及肖特基二极管均形成在衬底结构...
    2026-03-01
  • 集成器件及其制备方法
    集成器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511706450.7
    本申请涉及一种集成器件及其制备方法，包括P型衬底；LDMOS，形成于P型衬底的第一区域，第一区域包括深N阱和第一深P阱，LDMOS包括第一源区、栅极、漏区、第一体区，第一源区由形成于第一深P阱中的N+区组成；漏区由形成于深N阱区中的N+区组...
    2026-03-01
  • 一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法
    一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610070620.5
    本发明公开了一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法，涉及半导体技术领域，其中反相器包括n沟道和p沟道增强型GaN HEMT，两者横向分布于同一衬底的共用外延层上；外延层上方依次设置有二维介质层、石墨烯层及隔离介质层；p沟道...
    2026-03-01
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540239.2
    提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及第一沟道层和第二沟道层。半导体结构还包括位于衬底上方的隔离结构以及位于第一沟道层和隔离结构上方的第一栅极结构。半导体结构还包括位于第二沟道层和隔离结构上方的第二栅极结构以及横向夹置在第一栅...
    2026-03-01
  • 三维存储器及其操作方法
    三维存储器及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202411191816.7
    本发明提供一种三维存储器及其操作方法。在三维存储器中，堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。每一个栅极层包括彼此分隔开的第一栅极与第二栅极。所述多个环状通道层各自对应于所述多个栅极层中的一个而设置于相邻的绝缘层之...
    2026-03-01
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610049381.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；沟道层，沟道层包括在衬底上堆叠的多个沟道子层；栅极层，栅极层至少部分环绕每一沟道子层；源/漏区，沿第一方向上，源/漏区位于沟道层的两侧，源/漏区至少包括第一子层和第二...
    2026-03-01
  • 阵列基板及其制备方法
    阵列基板及其制备方法_昆山国显光电有限公司_202511604607.5
    本申请涉及显示技术领域，并提供了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述衬底的一侧，所述第一薄膜晶体管的源漏极沿垂直于所述衬底所在平面的方向间隔设置并构成垂直沟道，所述第二薄膜晶...
    2026-03-01
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788376.8
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板具有显示区和非显示区，包括：阵列基板，包括：第一衬底；第一衬底的非显示区包括环形框胶区及位于显示区相对两侧的空白区和邦定区，邦定区包括闲置区；公共电极转接层，设于第一衬底的非显示区，包括第一公共电...
    2026-03-01
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411106445.8
    本发明提供一种电子装置，包括：一第一电子单元；一第一电晶体，与第一电子单元电性连接且包括一第一多晶硅半导体；一第一绝缘层，设置在第一多晶硅半导体上；一氧化金属层，设置在第一绝缘层上；一第二电晶体，与第一电子单元及第一电晶体电性连接且包括一第...
    2026-03-01
  • 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置
    显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置_昆山国显光电有限公司_202511620924.6
    一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。显示基板包括：衬底和至少一个第一晶体管，第一晶体管位于衬底的一侧；第一晶体管包括第一有源层、第一栅极和第二栅极；第一栅极位于第一有源层的远离衬底的一侧；第二栅极位于第一有源层的靠近衬底的一侧，第...
    2026-03-01
  • 一种变式mega Cu柱3D集成结构及制备方法
    一种变式mega Cu柱3D集成结构及制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511723106.9
    本发明公开了一种变式mega Cu柱3D集成结构及制备方法，包括：在第一基体的背面形成第一互连Pad结构并加工凹槽，在第二基体的背面制备出铜通孔，形成第二互连Pad结构；在第三基体正面Si刻蚀，实现第一微凸点金属化，将第二互连Pad结构与第...
    2026-03-01
  • 优化LDNMOS版图设计的方法
    优化LDNMOS版图设计的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759683.3
    本申请提供一种优化LDNMOS版图设计的方法，调整LDNMOS版图，增加漂移区宽度C，栅极G长度不变的情况下缩短有效沟道长度A。根据本申请，可有效增加驱动能力，提升载流子迁移率，降低衬底电流/漏极饱和电流，达到改善产品可靠性的目的。
    2026-03-01
  • 一种芯片及其布局设计方法与电子设备
    一种芯片及其布局设计方法与电子设备_厦门芯和美半导体有限公司_202511746363.4
    本发明提出一种芯片及其布局设计方法与电子设备，将芯片对应的静电释放保护电路中的PDIO划分为N组，每组PDIO中包括至少1条PDIO；将静电释放保护电路中的NDIO划分为N组，每组NDIO中包括至少1条NDIO；将N组PDIO和N组NDIO...
    2026-03-01
  • 高保持电压的ESD保护器件及保护方法
    高保持电压的ESD保护器件及保护方法_上海海栎创科技股份有限公司_202610042583.7
    本发明提供高保持电压的ESD保护器件及保护方法，器件包括：衬底；所述衬底的表面并列覆盖第一N型阱层、第一P型阱层、第二N型阱层及第二P型阱层；所述第一N型阱层、第一P型阱层及第二N型阱层与所述衬底之间设有深N型阱层；所述第一N型阱层上覆盖第...
    2026-03-01
  • 太阳能电池
    太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511375028.8
    一种太阳能电池，包括：间隔设置的若干为由掺杂源自硅衬底背面向内扩散形成的扩散区的第一掺杂结构；与第一掺杂结构交替设置的第二掺杂结构，第二掺杂结构位于自硅衬底的背面向正面凹陷设置的区域，第二掺杂结构为隧穿钝化接触结构，隧穿钝化接触结构与扩散区...
    2026-03-01
首页 上一页 11 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证