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最新专利技术
  • 半导体器件和逆变器
    半导体器件和逆变器_英飞凌科技奥地利有限公司_202511545092.6
    公开了半导体器件和逆变器。在实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：具有源极、漏极和栅极的横向晶体管器件；以及耦合在栅极和漏极之间的单片集成的电容器。
    2026-02-07
  • 一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET
    一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET_贵州辰矽电子科技有限公司_202511609220.9
    本发明提供了一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET，涉及MOSFET器件技术领域，目的是实现更容易形成高品质的、导通压降低且开关损耗低的MOSFET器件，沟槽中包括多晶硅区和分裂栅结构；多晶硅区沉淀在沟槽内，分裂栅结构设置在多晶硅区的左上...
    2026-02-07
  • 半导体器件和包括该半导体器件的电子系统
    半导体器件和包括该半导体器件的电子系统_三星电子株式会社_202511023611.2
    本发明公开了一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。该半导体系统包括：基板、反向二极管和正向二极管。每个反向二极管包括：第一沟道层；第一势垒层；第一栅极电极；第一栅极半导体层；以及设置在第一栅极电极的相对侧的第一源极电极和第一漏极电极。正...
    2026-02-07
  • 一种Si-GaN单片异质集成结构及其制备方法
    一种Si-GaN单片异质集成结构及其制备方法_南方科技大学_202511454559.6
    本发明提供了一种Si‑GaN单片异质集成结构，其特征在于，所述Si‑GaN单片异质集成结构从下到上依次包括：衬底、GaN缓冲层、第一GaN层、第二GaN层、AIN层、InAlGaN层、RG‑InAlGaN层、键合层；其中，所述第二GaN层的...
    2026-02-07
  • 3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备
    3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001598.6
    一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备。所述3D堆叠的半导体器件包括基底以及至少一个堆叠结构；所述至少一个堆叠结构包括多个晶体管，且多个晶体管沿着垂直于所述基底所在平面的方向排布；所述晶体管包括采用金属诱导结晶处理制得的有源层以及至...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411003956.7
    一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括相对的第一表面和第二表面；贯穿所述衬底的互连导电结构；位于所述衬底第一表面的第一器件结构，以及，位于所述衬底第二表面的第二器件结构，其中，所述第一器件结构和所述第二器件结构具...
    2026-02-07
  • 金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法
    金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411054666.5
    本发明公开了一种具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件及其制造方法，其中具有栅极凹槽的金属氧化物半导体场效晶体管元件，其栅极在位于通道区的两侧边缘处分别具有一栅极凹槽延伸至栅极底部，且该栅极的侧壁上具有栅极间隔壁，但该两栅极凹槽的侧壁...
    2026-02-07
  • 集成电路及其制造方法
    集成电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511412036.5
    一种集成电路，包括：衬底；第一导电类型的第一晶体管，包括位于衬底上方的第一半导体材料的多个堆叠的第一沟道。该集成电路包括与第一导电类型相反的第二导电类型的第二晶体管，包括位于衬底上方并且不同于第一半导体材料的第二半导体材料的多个堆叠的第二沟...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511514901.7
    器件包括：衬底；半导体沟道，位于衬底上方；以及栅极结构，位于半导体沟道上方并且横向围绕半导体沟道。栅极结构包括：第一介电层，位于半导体沟道上方；第一功函金属层，位于第一介电层上方；第一保护层，位于第一功函金属层上方；第二保护层，位于第一保护...
    2026-02-07
  • 包括顶部纳米带之上的牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术
    包括顶部纳米带之上的牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术_英特尔公司_202511528215.5
    公开了在纳米带堆叠体之上使用牺牲层的基于纳米带的晶体管制造技术，其除了保护顶部纳米带免受由后续处理引起的损坏之外，还可以实现栅极电极材料在顶部纳米带之上的更均匀的沉积。在一个示例中，该技术可以涉及在半导体材料的交替层的堆叠体之上沉积牺牲层(...
    2026-02-07
  • 具有保护层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置
    具有保护层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202510890631.3
    本公开内容的实施方式提供了具有保护层的薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管包括：有源层、有源层上的第一保护层、与有源层和第一保护层间隔开的栅电极，其中，有源层包括：沟道部分，其与栅电极交叠；源极连接部分，其连接至沟道部分的一侧...
    2026-02-07
  • 一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置
    一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置_上海天马微电子有限公司_202511492312.3
    本申请实施例提供一种阵列基板、制作方法、显示面板及装置。其中，阵列基板包括：衬底、第一薄膜晶体管、电容、刻蚀阻挡结构。第一薄膜晶体管位于衬底的一侧；第一薄膜晶体管包括金属氧化物半导体部；电容与第一薄膜晶体管位于衬底的同一侧；电容包括第一极板...
    2026-02-07
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202511760065.0
    本申请公开了一种阵列基板和显示面板，属于显示技术领域，阵列基板包括设于像素区的子像素，子像素包括晶体管和像素电极，晶体管包括输出极、输入极以及控制极，输出极与像素电极电连接，输出极包括第一子部，第一子部沿第一方向延伸；输入极与输出极同层设置...
    2026-02-07
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511789523.3
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括阵列基板、对设基板和框胶；阵列基板包括：第一衬底；栅极驱动电路层，设置于第一衬底的非显示区；公共电极转接层，设置于第一衬底的非显示区，包括第一凸起部和设置于第一凸起部顶面的第一透明导电层；对设...
    2026-02-07
  • 阵列基板以及显示装置
    阵列基板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411017494.4
    本公开涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板以及显示装置；该阵列基板具有显示区域和非显示区域，该阵列基板包括衬底基板、遮光层、第一缓冲层以及有源层；遮光层设于衬底基板的一侧，遮光层包括第一遮光部，第一遮光部位于显示区域；第一缓冲层设于遮光层背...
    2026-02-07
  • 有机发光显示面板及其制作方法
    有机发光显示面板及其制作方法_武汉华星光电技术有限公司_202511525968.0
    本申请公开了一种有机发光显示面板及其制作方法，包括衬底、薄膜晶体管、第一半导体层，所述薄膜晶体管设于所述衬底上；所述第一半导体层设于所述衬底与薄膜晶体管之间，所述第一半导体层内注入有带电离子，所述带电离子的浓度为~。本申请能够改善显示面板的...
    2026-02-07
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511536424.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括多个像素驱动电路和开关控制信号线，像素驱动电路包括开关晶体管以及驱动晶体管，开关晶体管与驱动晶体管均连接于第一节点，开关控制信号线连接于开关晶体管的开关栅极；显示面板还包括基板、第一导电层和第...
    2026-02-07
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202511601870.9
    本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和位于显示区一侧的弯折区；显示面板还包括衬底、阵列层及第一凹槽，阵列层包括多个晶体管及多个绝缘层，沿垂直于衬底所在平面的方向，多个绝缘层叠层设置；第一凹槽位于弯折区，沿垂直于衬底所在...
    2026-02-07
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408445.8
    集成电路器件包括：沿第一方向延伸的第一有源区结构堆叠件，其包含彼此堆叠的下部有源区结构和上部有源区结构；在所述下部及上部有源区结构上方的上部导电层中延伸的前侧电源轨；在所述下部及上部有源区结构下方的下部导电层中延伸的背侧电源轨；多个垂直电源...
    2026-02-07
  • ESD保护器件及芯片
    ESD保护器件及芯片_无锡华润上华科技有限公司_202410986177.7
    本发明涉及一种ESD保护器件及芯片，所述器件包括：N型漂移区；第一P型掺杂区，位于N型漂移区中；第一N型掺杂区，位于N型漂移区中；肖特基势垒结构，包括肖特基金属层，肖特基金属层与其底部接触的半导体材料形成肖特基势垒；P阱，与N型漂移区连接；...
    2026-02-07
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