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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017939.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；位线，贯穿不同层的所述存储单元沿着垂直所述衬底方向延伸；多条字线，分布于不同层，所述字线和所述位线沿平行于所述衬底的第一方向分布，所述...
    2026-02-07
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411017944.X
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；多条位线，分布于不同层，字线和位线沿平行于衬底的第一方向分布，位线沿着平行于衬底的第二方向...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411018532.8
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；接着在衬底的一侧制作多个呈阵列分布的半导体柱以及位于半导体柱之间的第一绝缘结构，并使半导体柱沿垂直于半导体柱阵列平面的方向延伸，第一绝缘结构...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件
    半导体结构及其制造方法、半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411022419.7
    一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。该半导体结构包括衬底，衬底包括存储区、外围区以及位于存储区和外围区之间的过渡区，过渡区中有第一隔离结构。第一沟槽，位于隔离结构中，第一沟槽沿第一方向延伸；第一沟槽的深度小于隔离结构的深度。该半导体结构...
    2026-02-07
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510365639.8
    一种半导体器件可以包括：半导体衬底，包括水平部分和从所述水平部分向上突出的垂直部分；位线，位于所述半导体衬底上并且在与所述半导体衬底的底表面平行的第一方向上延伸；字线，位于所述位线上并且在与所述半导体衬底的所述底表面平行的第二方向上延伸，所...
    2026-02-07
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510889740.3
    本申请涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括在沿第一方向水平延伸的沟槽中竖直延伸穿过竖直交替绝缘层级及存储器单元层级的数字线。所述数字线在所述沟槽中的个别者中包括数字线对。所述个别沟槽中的所述对在所述第一方向上...
    2026-02-07
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510913911.1
    本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。一种用于形成包括存储器单元的存储器电路系统的方法包括形成竖直交替的绝缘层面与存储器单元层面。存储器单元个别地包括包含栅极的水平晶体管，栅极包括多条水平导电存取线中一者的部分，多条水平导...
    2026-02-07
  • 包含MIM电容器的设备
    包含MIM电容器的设备_美光科技公司_202510991687.8
    本公开涉及包含金属绝缘体金属MIM电容器的设备。本公开的一些实施例提供一种设备，其包括：多个上部布线，其各自在第一水平方向上延伸；多个下部布线，其各自在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；及多个MIM电容器，其各自以所述第一水平方向...
    2026-02-07
  • 用于晶体管栅极堆叠的牺牲多晶硅和退火
    用于晶体管栅极堆叠的牺牲多晶硅和退火_美光科技公司_202511015974.1
    本公开涉及用于晶体管栅极堆叠的牺牲多晶硅和退火。各种应用可包含具有经减小栅极堆叠的晶体管，所述经减小栅极堆叠包含经调节以实现所述栅极堆叠的所需有效功函数的功函数栅极金属，其中所述栅极堆叠被构造成不具有多晶硅区。所述有效功函数可以通过在制造工...
    2026-02-07
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511016683.4
    一种半导体器件包括：在第一衬底上的电容器、在电容器上的沟道、在水平方向上至少部分地与沟道重叠的栅电极、在栅电极和沟道上的位线结构、在位线结构上的第一布线结构、在第一布线结构上的接合焊盘结构、在接合焊盘结构上的第二布线结构、在第二布线结构上的...
    2026-02-07
  • 存储器装置中的有源区域形成
    存储器装置中的有源区域形成_美光科技公司_202511021814.8
    本公开涉及存储器装置中的有源区域形成。可实施用以形成由浅沟槽隔离STI分开的相邻晶体管的工艺，其中在形成所述晶体管的栅极及源极/漏极之后形成所述STI。所述STI可使用掩模通过有源区域切割来形成以形成用于填充有STI电介质的矩形开口。使用在...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202511536263.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，其中，半导体器件包括衬底、多个存储单元以及多条连接线，多个存储单元设置在衬底上且沿平行于衬底方向排布，并沿垂直于衬底方向堆叠设置，每一存储单元包括一个晶体管和一个电容；多条连接线均...
    2026-02-07
  • 一种芯片结构及存储器
    一种芯片结构及存储器_长鑫存储技术有限公司_202511543752.7
    本公开提供了一种芯片结构，芯片结构中包括：第一存储阵列单元、第二存储阵列单元以及中间焊盘单元，中间焊盘单元位于第一存储阵列单元和第二存储阵列单元之间，中间焊盘单元包含电源焊盘和命令数据焊盘，电源焊盘包含多个第一电源焊盘，命令数据焊盘包含多个...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备
    半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511642078.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备。半导体器件的制造方法包括：提供叠层结构，叠层结构具有沟槽，沟槽的底壁为单晶硅层；在沟槽的侧壁形成牺牲侧墙，在沟槽内形成牺牲填充层；去除牺牲侧墙，保留牺牲填充...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511984430.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个存储单元晶体管，每一存储单元晶体管包括：纳米片组，纳米片组包括多个间隔排布且沿第一方向延伸的纳米片，纳米片包括沟道区；栅极层，覆盖纳米片组的多个沟...
    2026-02-07
  • 版图及半导体结构
    版图及半导体结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511588444.6
    本发明提供了一种版图及半导体结构，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过缩小多晶硅图形在第一方向和第二方向上的最小重复单元间距，从而在缩小现有浮栅电阻的面积的同时，工艺流程跟现有技术保持一致，且不影响有效结构单元，单位阻值偏差仅有5%，实现...
    2026-02-07
  • 半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510390887.8
    本公开涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。半导体存储器装置包括：芯绝缘层；半导体结构，其包括在芯绝缘层的侧壁上的沟道部以及覆盖芯绝缘层的一个表面并且联接到沟道部的覆盖部；多个导电层和多个绝缘层，其围绕半导体结构的侧壁，多个导电...
    2026-02-07
  • 用于形成存储器电路系统的方法
    用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510951335.X
    一种用于形成包括包含沟道材料串的存储器单元串的存储器电路系统的方法包括：形成包括竖直交替第一层级及第二层级的堆叠。至少在成品电路系统构造中，所述第一层级是导电的，且所述第二层级是绝缘的。形成延伸穿过所述第一层级及所述第二层级的沟道材料串的第...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000920.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述制造方法包括：在衬底上形成沿平行于所述衬底的方向延伸的金属化物层；在所述衬底上形成沿平行于所述衬底的方向延伸并且与所述金属化物层连接的第一半导体层；在所述金属化物层上形成沿垂直于...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000965.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个控制单元，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；每个控制单元包括位于同一层、沿平行于衬底的行方向分布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管为P型晶...
    2026-02-07
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