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最新专利技术
  • 磁存储元件的制造方法
    磁存储元件的制造方法_JSR株式会社_202480040685.4
    以高精度制造微细图案的磁存储元件。磁存储元件(1)包括：磁穿隧接面层(30)，具有由两个磁性层(31)及磁性层(33)夹持绝缘层(32)的结构且电阻状态根据这些磁性层(31)及磁性层(33)中的一者的磁化方向而发生变化；以及金属层(40)，...
    2026-04-11
  • 包含TSV结构的设备
    包含TSV结构的设备_美光科技公司_202480036886.7
    根据本公开的一或多个实施例，一种设备包括：逻辑裸片，其包含多个第一穿硅通孔(TSV)；及核心裸片，其在所述逻辑裸片上，所述核心裸片包含多个TSV。所述逻辑裸片中的所述第一TSV的数目不同于所述核心裸片中的所述第二TSV的数目。
    2026-04-11
  • n型金刚石MOSFET及其制造方法
    n型金刚石MOSFET及其制造方法_国立研究开发法人物质·材料研究机构_202480040003.X
    提供电特性优异的使用了单晶金刚石半导体的n型MOSFET。根据本发明的一个方式，提供一种n型MOSFET101，其具有：至少在表面的一部分具有单晶金刚石层的基板11；与基板11相接且从n‑‑型金刚石单晶形成的第1半导体层12；在第1半导体层...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480040747.1
    在纵通道翅片构造的沟槽MOSFET中，确保短路耐量的同时降低接通电阻。半导体装置(1)具有：多个沟槽(2)，其在俯视时在第一方向上具有长边方向、在第二方向上具有短边方向且在第二方向上排列有多个；第一导电型的第一源极区域(3)，其至少一部分由...
    2026-04-11
  • 冷源和负电容场效应晶体管及方法
    冷源和负电容场效应晶体管及方法_华为技术有限公司_202380099004.7
    提供了一种晶体管(200a)，包括源极区、漏极区、沟道和栅极。所述源极区具有硅化物区(224)和掺杂有第一掺杂剂类型的半导体区(222n)；所述漏极区(206p)包括掺杂有第二掺杂剂类型的半导体；所述沟道(208p)位于所述源极区和所述漏极...
    2026-04-11
  • 具有多个堆叠无源器件的半导体器件
    具有多个堆叠无源器件的半导体器件_高通股份有限公司_202480037164.3
    公开了一种半导体器件。在一方面中，一种半导体器件包括：第一层无源器件，该第一层无源器件包括以堆叠配置设置的基板部分、无源器件部分及金属化部分；以及设置在第一层无源器件上方的一个或多个第二层无源器件。该一个或多个第二层无源器件中的每个第二层无...
    2026-04-11
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_株式会社索思未来_202380099284.1
    设置有与多个单元行(CR)相邻且包含电源分接部(TAP)的电源分接行(CRT)。单元(C1)包括在俯视时重叠的晶体管、形成在BM0层的VDD电源布线(21)以及形成在M0层的VSS电源布线(11)。电源分接部(TAP)包括形成在BM0层的V...
    2026-04-11
  • 双扩散中断内的正面到背面连接
    双扩散中断内的正面到背面连接_国际商业机器公司_202480035983.4
    一种半导体IC器件(50)包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域(52, 53)隔开的双扩散中断(DDB)区域(51)内。连接可包括位于正面接触(30)和背面接触(32)之间的伪S/D区域(24)。半导体IC器件可进一步包括第一(20)...
    2026-04-11
  • 具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管
    具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管_高通股份有限公司_202480037416.2
    公开了半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括第一栅极结构(130)，该第一栅极结构包括穿过第一栅极金属沿第一方向设置的第一组沟道(134)以及设置在第一组沟道与第一栅极金属之间的第一组栅极电介质(136)。第一组栅极电介质各自具有第一厚度...
    2026-04-11
  • 包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备
    包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备_高通股份有限公司_202480039801.0
    公开了一种栅极全包围(GAA)场效应晶体管(FET)设备和相关的制造方法。GAA FET设备包括具有沟道的P型半导体PFET和N型半导体NFET，沟道具有穿过基板的不同结晶取向。GAA PFET包括第一类型的结晶取向(例如，<110>或<1...
    2026-04-11
  • 采用非永久性互连结构的X射线探测器
    采用非永久性互连结构的X射线探测器_万睿视影像有限公司_202480038329.9
    一些实施例包括一种X射线探测器，其包括：基板，其包含：多个像素，其被配置为将入射X射线转换为电信号；多条数据线，其耦接至所述像素；印刷电路组件(PCA)，其包含：电路，其被配置为将所述电信号转换为数字化数据；以及互连结构，其电连接于所述数据...
    2026-04-11
  • 用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件
    用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040226.6
    提出一种用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法，包括以下步骤：‑提供光学元件，所述光学元件具有包含第一表面材料的第一表面，并且提供衬底，所述衬底具有包含第二表面材料的第二表面，其中第一表面材料和第二表面材料彼此无关地选自透明的...
    2026-04-11
  • 发光单元和显示基板
    发光单元和显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202480000862.6
    一种发光单元和显示基板，发光单元包括：发光主体，所述发光主体包括依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第三半导体层，设置在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧；第四半导体层，设置在所述第三半导体层远离所述发光层的一侧；所述第四半导体...
    2026-04-11
  • 带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素
    带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素_艾利迪公司_202480040309.5
    本描述涉及一种显示像素(3')，其旨在被放置和附接到显示屏(10)的面板(2)，显示像素(3')包括：发光区(8)，其包括至少一个发光二极管LED；支撑件(9)，其对于由发光区(8)发射的辐射是透明的，支撑件(9)的高度大于5µm；以及由固...
    2026-04-11
  • 发光基板和显示装置
    发光基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000908.4
    一种发光基板和显示装置。发光基板包括基板(1)、承托基底(4)、发光芯片(2)和保护胶(3)；承托基底(4)设置在基板(1)的一侧，承托基底(4)上设有第一通孔；发光芯片(2)设置在基板(1)上且位于第一通孔内；保护胶(3)设置在发光芯片(...
    2026-04-11
  • 发光装置和灯具
    发光装置和灯具_沃思电子埃索斯有限责任两合公司_202480038851.7
    本发明提供一种发光装置(1)，具有至少两个LED单元(Lii，i＝1、2、3)，各自具有：至少一个LED芯片(Cii)，所述至少一个LED芯片用于产生具有初级光谱的初级光(Pii)；和转换元件(Kii)，所述转换装置用于将所述初级光(Pii...
    2026-04-11
  • 一种LED器件、发光模组及显示装置
    一种LED器件、发光模组及显示装置_厦门市芯颖显示科技有限公司_202280004710.4
    一种LED器件、发光模组及显示装置。LED器件包括生长衬底(100)及形成在生长衬底(100)上的若干LED芯片(11)和隔离结构，隔离结构自生长衬底(100)的正面延伸，设置在相邻的LED芯片(11)之间。上述隔离结构可以形成为挡墙结构(...
    2026-04-11
  • 有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件
    有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件_日铁化学材料株式会社_202480039373.1
    本发明提供一种可获得低电压驱动、同时以高效率发光、且具有长寿命特性而在实用上有用的有机EL元件的有机电场发光元件用材料、及使用其获得的有机电场发光元件。一种有机电场发光元件用混合材料，包含通式(1)所表示的化合物、以及通式(10)所表示的环...
    2026-04-11
  • 发光基板、显示面板和显示装置
    发光基板、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202280004797.5
    一种发光基板(LS)、显示面板(DP)和显示装置。发光基板(LS)包括：衬底基板(1)；第一电源线(21)，设置在衬底基板(1)上；辅助电极图案(3)，设置在第一电源线(21)远离衬底基板(1)的一侧，并与第一电源线(21)电连接；有机材料...
    2026-04-11
  • 有机电子元件、有机电子元件用材料以及酰亚胺化合物
    有机电子元件、有机电子元件用材料以及酰亚胺化合物_东曹株式会社_202480041252.0
    本发明提供能够提高空穴的传输能力的有机电子元件、有机电子元件用材料以及该有机电子元件中使用的能够提高空穴的传输能力的酰亚胺化合物。一种有机电子元件，为包含第一电极、第二电极、以及配置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层的有机电子元件，所...
    2026-04-11
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