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最新专利技术
  • 1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法
    1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767460.1
    本发明公开了一种1.5T SONOS存储器件的工艺集成方法，包括：步骤一、在半导体衬底上依次形成ONO结构的第一栅介质层和第一多晶硅层。步骤二、对第一多晶硅层和第一栅介质层进行第一次图形化刻蚀以形成各存储单元的控制栅的第一侧面。步骤三、在各...
    2026-04-29
  • 包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统
    包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统_美光科技公司_202510955298.X
    本申请案涉及包含形状记忆材料的微电子装置及相关方法、存储器装置及电子系统。一种微电子装置包含：堆叠结构，其具有相对于彼此竖直堆叠的层级；及支柱结构，其分别包含竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述层级的半导体材料。所述堆叠结构的所述层级分别包含：绝...
    2026-04-29
  • 一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法
    一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法_临沂大学_202511419865.6
    本发明公开了一种自旋轨道扭矩驱动的高密度磁存储器及制备方法，涉及高密度磁存储器领域，包括基板，所述基板呈平坦的板状结构，所述基板采用硅、二氧化硅或蓝宝石中的至少一种材料构成，所述基板的上表面经过化学机械抛光或原子级平整处理，以提供具有低于0...
    2026-04-29
  • 基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法
    基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法_西南大学_202511506519.1
    本发明涉及先进材料、集成电路与微电子器件技术领域，提出了基于原子层范德华异质结的感存算一体化器件及其制备方法，所提出的器件包括自下而上依次堆叠的衬底、第一栅电极、第一二维范德华交变磁性材料层、第二栅电极、第一二维范德华铁磁材料层、二维范德华...
    2026-04-29
  • 非易失性存储结构及其制备方法
    非易失性存储结构及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511841104.X
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种非易失性存储结构及其制备方法，包括：基底；位于基底上的第一导电层，包括至少一个第一导电结构和第一介质层；层叠于第一导电层上的第一电极层，包括至少一个覆盖第一导电结构的第一电极结构，第一电极结构横跨第一导...
    2026-04-29
  • 一种多层自选通存储器及其制备方法
    一种多层自选通存储器及其制备方法_华中科技大学_202511711755.7
    本发明公开了一种多层自选通存储器及其制备方法，属于微电子器件领域，器件从下至上依次包括：第一电极层、绝缘层、第一功能层、第二功能层和第二电极层；绝缘层上具有通孔；第一功能层的厚度大于等于第二功能层的厚度，并且，第一功能层的存储窗口大于第二功...
    2026-04-29
  • 阻变存储装置及其制造方法
    阻变存储装置及其制造方法_清华大学_202511902243.9
    本公开实施例提供一种阻变存储装置及其制造方法，包括：衬底；晶体管，设置于所述衬底的主表面上，且包括栅极、第一极和第二极；以及存储结构，在与所述衬底的所述主表面相交的第一方向上位于所述晶体管的一侧，且包括多个存储元件，所述多个存储元件在平行于...
    2026-04-29
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510215045.9
    实施方式的半导体存储装置具备：第1芯片；及第2芯片，与第1芯片相接，且经由第1连接垫而与第1芯片电连接；第2芯片包含：存储单元阵列，设置于第1区域，且具有源极线、多个字线、及存储柱；第1接点，设置于第2区域，沿Z方向延伸，且与第1连接垫电连...
    2026-04-29
  • 半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件
    半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件_LX半导体科技有限公司_202510980252.3
    本公开涉及半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件。根据实施方式的半导体器件的电阻器结构可以包括：半导体基板，其包括器件半导体层和电阻器半导体层；第一器件隔离区和第二器件隔离区，其分别设置在器件半导体层和电阻器半导体层上；以及电阻...
    2026-04-29
  • 一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法
    一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法_中南大学_202511922970.1
    本发明公开了一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该忆容器件具有nn异质结构，包括依次生长在衬底表面上的底电极层、宽禁带n型半导体层、n型金属氧化物半导体层和若干顶电极层。本发明构建的nn异质结构减少了对材料电...
    2026-04-29
  • 一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法
    一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法_北京晨晶电子有限公司_202511373251.9
    本发明提供一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法，电容阵列通过多个电容单元并联、串联或串并混合连接实现目标电容值；电容单元采用热熔连接结构连接，每个电容单元对应独立的热熔连接结构；热熔连接结构设置于各电容单元的电极互联路径上，热熔...
    2026-04-29
  • PIP电容的制作方法
    PIP电容的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511405257.X
    本申请公开了一种PIP电容的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有耦合氧化物层，耦合氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层的上方形成有第二多晶硅层，衬底的第一区域中形成有字线多晶硅，第一区域形成有第一氧化物层和第二氧化物层；对第一区域...
    2026-04-29
  • 一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法
    一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法_南京大学_202511420005.4
    本发明公开了一种利用氧空位调控铁电氧化物薄膜极化取向的方法，所述方法包括在1×10‑9‑9‑1×10‑4‑4Torr范围下生长铁电氧化物薄膜，引入氧空位；将生长结束的铁电氧化物薄膜在1×10‑7‑7‑1×1055Torr氧压下进行退火处理，...
    2026-04-29
  • 深沟槽硅电容器及其制备方法
    深沟槽硅电容器及其制备方法_上海朗矽科技有限公司_202511463435.4
    本公开提供了一种深沟槽硅电容器及其制备方法。所述制备方法包括：在硅衬底上刻蚀形成若干个深沟槽，并交替沉积介质层和电极层，形成多层堆叠结构；在多层堆叠结构上位于深沟槽一侧的预设位置处进行刻蚀，形成第一接触孔；采用第一制备工艺对第一接触孔进行制...
    2026-04-29
  • 电容器结构及其制备方法
    电容器结构及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518423.7
    本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括：基底；第1至第m个导电层，沿着远离所述基底的方向堆叠设置，相邻的两个所述导电层之间设有介质层；m为大于或等于3的整数；其中，对于第n导电层和第(n+1)导电层，n≥1，(n...
    2026-04-29
  • 电容器结构及其制备方法
    电容器结构及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518451.9
    本申请公开了一种电容器结构及电容器结构的制备方法。该电容器结构包括：衬底；第1至第m个导电层，m为大于或等于3的整数；各导电层设有通孔组，通孔组包括多个通孔；其中，对于第n导电层、第(n+1)导电层以及第(n+2)导电层，n≥1，(n+2)...
    2026-04-29
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202511542950.1
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽；在导电衬底上形成介质层；在介质层上沉积上电极；在上电极与...
    2026-04-29
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202511543044.3
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽，采用博世工艺的深反应离子刻蚀使得立柱的侧壁沿竖直方向为波...
    2026-04-29
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511666548.4
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：在衬底上形成掩膜层；掩膜层包括刻蚀窗口；基于刻蚀窗口，对衬底进行刻蚀，在衬底内形成沟槽；其中，在沟槽的深度方向上，沟槽包括多级子沟槽，子沟槽的侧壁为曲面。本申请技术方...
    2026-04-29
  • 快恢复二极管及其制备方法
    快恢复二极管及其制备方法_青岛惠科微电子有限公司_202511331844.9
    本申请公开了一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括衬底、多晶硅层、第一外延层、钝化层、阴极和阳极，所述衬底为高浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅为第一类型掺杂层，所述第一外延层为低浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅层位于衬底和第一外延层...
    2026-04-29
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