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最新专利技术
  • 一种一体化智能调控复合相变-薄膜蒸发的芯片散热系统
    一种一体化智能调控复合相变-薄膜蒸发的芯片散热系统_南京信息工程大学_202511870372.4
    本发明提供一种一体化智能调控复合相变‑薄膜蒸发的芯片散热系统，属于芯片散热领域。包括：自下而上依次层叠设置的导热界面层、相变储热层、薄膜蒸发层、冷凝风冷散热层。还包括智能补液系统和全链路监控模块。导热界面层将芯片集中热源转化为面热源，降低后...
    2026-01-22
  • 有源电路及其制备方法
    有源电路及其制备方法_中南大学_202511854647.5
    本申请涉及电子电路、半导体技术领域，具体涉及一种有源电路及其制备方法。该有源电路，包括：电路结构层，包括支撑基板和功能结构层，所述支撑基板在厚度方向上具有相背设置的正面和背面，所述功能结构层设置于所述支撑基板的正面上；电源层，用于向所述功能...
    2026-01-22
  • 集成无源器件、其制备方法及滤波器
    集成无源器件、其制备方法及滤波器_北京京东方传感技术有限公司_202410889177.5
    本申请提供一种集成无源器件、其制备方法及滤波器。集成无源器件包括：衬底基板；以及至少两个电容器，间隔设置在衬底基板上；电容器包括：第一电极层，设置在衬底基板上；介质层，设置在第一电极上，第二电极层，设置在介质层上；金属走线层，设置在第二电极...
    2026-01-22
  • 无源器件及其制备方法、射频模块
    无源器件及其制备方法、射频模块_苏州华太电子技术股份有限公司_202511287265.9
    本申请公开了一种无源器件及其制备方法、射频模块，无源器件包括衬底、导电柱及第一金属层，衬底沿自身厚度方向贯通开设有导电孔；导电柱至少部分位于导电孔内，导电柱相对于衬底沿厚度方向的一侧露出；第一金属层设置于衬底露出有导电柱的一侧，第一金属层包...
    2026-01-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410889813.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括对准区；对准标记，位于所述对准区的基底中，所述对准标记中设置有凹槽；透光层，位于所述对准标记的顶部、以及所述凹槽的底部和侧壁；不透光层，位于所述基底上且保形覆盖所述透光层。对准标记被透...
    2026-01-22
  • 芯片标识符结构及其修改方法
    芯片标识符结构及其修改方法_上海赛昉半导体科技有限公司_202511075064.2
    本发明提出了一种芯片标识符结构及其修改方法，该芯片标识符结构包括：m个相互独立的金属轨结构；每个金属轨结构均输出一位信号；每个金属轨结构包括若干个金属轨，每个金属轨结构在XY平面向内延伸并形成n个象限，每个金属轨在每个象限内均设有连接金属点...
    2026-01-22
  • 电压自检测的有源硅基板
    电压自检测的有源硅基板_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511392207.2
    本申请涉及一种电压自检测的有源硅基板，包括：互连基板，互连基板包括相背离的顶面和底面；供电模块，键合在互连基板底面；供电分配网络，位于互连基板中，供电分配网络与供电模块电连接，用于将供电模块提供的电压扩展成至少一个电压域；功能芯粒，键合在互...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410873679.9
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，基于激光法在玻璃基板中制备TGV金属柱及光波导层，且在进行堆叠键合后制备具有互连TGV金属柱及叠层的光波导层的复合光波导基板，从而可基于TGV转接板实现多层光波导的布局，实现电芯片与光芯片的高密度...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410876001.6
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用激光法形成底部位于玻璃基板的第一盲孔及第二盲孔，而后分别自玻璃基板的第一面及玻璃基板的第二面进行减薄工艺，形成交错设置的第一通孔与第二通孔，本申请可基于激光法及减薄工艺在玻璃基板上制备具有较小...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410877566.6
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用第一激光法形成自上而下贯穿玻璃基板的第一通孔，以及采用第二激光法形成自下而下贯穿玻璃基板的第二通孔，且形成的第二通孔与第一通孔交错设置，从而本申请可基于激光法在玻璃基板上制备具有较小间距，适合...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410877589.7
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用激光法形成底部位于玻璃基板的第一盲孔及第二盲孔，而后分别自玻璃基板的第一面及玻璃基板的第二面进行减薄工艺，形成交错设置的第一通孔与第二通孔，本申请可基于激光法及减薄工艺在玻璃基板上制备具有较小...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410883045.1
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用第一激光法形成自上而下贯穿玻璃基板的第一通孔，以及采用第二激光法形成自下而下贯穿玻璃基板的第二通孔，且形成的第二通孔与第一通孔交错设置，从而本申请可基于激光法在玻璃基板上制备具有较小间距，适合...
    2026-01-22
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410883046.6
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，在玻璃基板中制备TGV金属柱、光波导层及键合TSV桥接板，通过光波导层提供光芯片的传输路径，以及通过TSV桥接板实现电芯片及光芯片的互连，从而实现电芯片与光芯片的高密度、高性能集成，减小封装尺寸，...
    2026-01-22
  • 一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法
    一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法_江苏恒盈电子科技有限公司_202511429851.2
    本发明涉及半导体引线框架技术领域，具体为一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法，包括以下步骤：步骤1将铜、镍、硅、铬、磷和改性硼化钛一起球磨得到混合粉末；步骤2将混合粉末装入模具冷压成型，得到生坯；步骤3将生坯进行烧结处理和固溶处理，得到复...
    2026-01-22
  • TGV转接板及其制备方法
    TGV转接板及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410876097.6
    本发明提供一种TGV转接板及其制备方法，采用第一激光法形成自上而下贯穿玻璃基板的第一通孔，以及采用第二激光法形成自下而下贯穿玻璃基板的第二通孔，且形成的第二通孔与第一通孔交错设置，从而本申请可基于激光法在玻璃基板上制备具有较小间距，适合高密...
    2026-01-22
  • TGV转接板及其制备方法
    TGV转接板及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410876405.5
    本发明提供一种TGV转接板及其制备方法，采用第一激光法形成底部位于玻璃基板的第一盲孔，以及采用第二激光法形成底部位于玻璃基板的第二盲孔，而后分别自玻璃基板的第一面及玻璃基板的第二面进行减薄工艺，使得第一盲孔转变为第一通孔，以及使得第二盲孔转...
    2026-01-22
  • 具有冷却单元的多层陶瓷基板及其制造方法
    具有冷却单元的多层陶瓷基板及其制造方法_株式会社DIT_202510903493.8
    本发明涉及一种具有冷却单元的多层陶瓷基板的制造方法。根据本发明，将设有处理芯片和/或存储芯片的中介层设置在多层陶瓷基板内部形成的流体容纳空间中，从而能够有效地冷却相关芯片，并可以防止相关芯片产生的热量传递到多层陶瓷基板。
    2026-01-22
  • 一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法_广东工业大学_202511188227.8
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法，包括以下步骤：S100、在单层介质板上预埋金属线路，先在介质板的表面形成下凹的线槽，在线槽内填充金属至线槽满位；S200、将两个预埋金属线路的介质板通过混合键合方式进行键合；将两块单层介质板中相对的金...
    2026-01-22
  • 一种扇出封装结构及其制备方法
    一种扇出封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316058.1
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种扇出封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板上设置正面朝向临时载板的目标芯片；在目标芯片的四周布设多个厚度大于目标芯片厚度的辅助芯片；形成包覆目标芯片和辅助芯片的塑封层；去除临时载...
    2026-01-22
  • 一种封装结构及其制备方法
    一种封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316973.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板的一侧表面形成包括多个重布线单元的重布线层，相邻重布线单元之间具有切割槽；在重布线层上设置多个芯片单元，芯片单元与重布线单元对应且电连接；在...
    2026-01-22
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