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最新专利技术
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511851221.4
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管和发光装置，发光二极管包括半导体叠层和钝化层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面、高于第一台面的第二台面和上下两端分别连接第二台面和第一台面...
    2026-01-24
  • 一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法
    一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法_北京大学_202511814438.8
    本发明公开了一种有效降低器件工作电压的AlGaN基深紫外LED及其制备方法，属于半导体光电子器件领域。本发明的复合p型接触结构包括超薄插入层和薄接触层；采用厚度减薄且组分增加的p型的薄接触层，极大削弱了对紫外光的吸收，降低器件发光在p型一侧...
    2026-01-24
  • 带有光提取结构的LED及其制备方法
    带有光提取结构的LED及其制备方法_香港中文大学(深圳)_202511325101.0
    本发明提供一种带有光提取结构的LED及其制备方法，通过优化芯片结构设计和制备工艺，在降低成本的同时显著提升光提取效率。所述LED包括：光辐射单元，所述光辐射单元设置在透明衬底表面；所述光辐射单元具有梯形的剖面结构，且所述光辐射单元的侧面和顶...
    2026-01-24
  • 一种EMC-LED封装器件及封装方法
    一种EMC-LED封装器件及封装方法_深圳市立洋光电子股份有限公司_202511458162.4
    本发明提供了一种EMC‑LED封装器件及封装方法，涉及LED技术领域。本发明提供一种EMC‑LED封装器件，包括具有封装腔室的EMC支架，所述EMC支架位于所述封装腔室内、与所述EMC支架电性连接的LED倒装芯片，所述EMC支架位于所述封装...
    2026-01-24
  • 一种圆片级LED封装结构及方法
    一种圆片级LED封装结构及方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511482164.7
    本发明属于半导体封装技术领域，尤其是一种圆片级LED封装结构及方法，针对活动安装时，透镜难以避免的会在活动时与安装部位结构发生摩擦，使得透镜磨损，导致LED封装长时间使用后透镜出现偏移，现提出以下方案，包括：固定基板，固定基板上设置有安装外...
    2026-01-24
  • 半导体发光器件及照明装置
    半导体发光器件及照明装置_深圳循光科技有限公司_202511853387.X
    本发明涉及发光二极管技术领域，公开一种半导体发光器件及照明装置，半导体发光器件包括发光结构、聚光透镜和光截止件，发光结构包括基座和发光芯片，所述基座上开设有安装槽，所述发光芯片设置在所述安装槽内；所述聚光透镜设于所述发光结构上，且对应所述发...
    2026-01-24
  • 一种发光二极管封装体及发光装置
    一种发光二极管封装体及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202410865095.7
    本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置，本发明中位于发光单元上方的布线层包括位于第一绝缘层下方的第一布线层和位于第一绝缘层上方的第二布线层，其中第一布线层连接每一个发光单元的第一电极；所述第二布线层包括多个间隔分布的子层，各子层分别与所述...
    2026-01-24
  • 改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法
    改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511265872.5
    本公开提供了一种改善焊盘连接可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、绝缘层和焊盘，所述绝缘层位于所述外延层的表面上，所述绝缘层的表面具有露出所述外延层的连接过孔，所述焊盘位于所述绝缘层的表面，且通过...
    2026-01-24
  • 一种MINILED背光源组装装置
    一种MINILED背光源组装装置_江苏达芯半导体有限公司_202511283243.5
    本发明公开了一种MINILED背光源组装装置，超声换能器阵列构成设备基座，其上方是声学反射盖板，两者之间形成工作腔。TFT承载台从侧面进入该工作腔，并可垂直移动。芯片供料台位于工作腔外侧。视觉和传感系统从上、下两个方向对准工作腔中心。本发明...
    2026-01-24
  • 用于SMD微腔的保护结构及其制备方法
    用于SMD微腔的保护结构及其制备方法_深圳市太龙视觉科技有限公司_202511339034.8
    本发明公开了用于SMD微腔的保护结构及其制备方法，涉及LED封装领域，所述填充方法包括以下步骤：制备同为第一折射率的改性聚合物与改性氮化硼纳米管；将改性聚合物、改性氮化硼纳米管、二氧化硅纳米球与引发剂按比例混合得到胶体；将SMD模组呈倾斜状...
    2026-01-24
  • 一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺
    一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺_苏州芯聚半导体有限公司_202511444586.5
    本发明涉及半导体显示技术领域，公开了一种Micro LED玻璃衬底COG制备工艺，包括提供带有玻璃通孔并已转移Micro LED阵列的基板；在基板表面涂覆一种双阶梯光敏催化金属有机物分解墨水；通过掩模版对玻璃通孔区域进行紫外光曝光；对基板进...
    2026-01-24
  • 一种Micro-LED微显示芯片及其制备方法
    一种Micro-LED微显示芯片及其制备方法_南昌大学_202511455705.7
    本发明通过设置绝缘停刻层和保护层，在刻蚀外延层和金属层同时可有效防止刻蚀工艺中产生金属副产物附着于像素台面侧壁导致芯片漏电，提高Micro‑LED微显示芯片的可靠性和生产良率。本发明的制备方法包括以下步骤：在LED外延晶圆上制备绝缘停刻层和...
    2026-01-24
  • LED灯丝、发光鱼漂及其制造方法
    LED灯丝、发光鱼漂及其制造方法_东莞市欧思科光电科技有限公司_202511499343.1
    本申请实施例提供了一种LED灯丝、发光鱼漂及其制造方法，所述方法包括：提供灯丝芯条，灯丝芯条包括透光基板和多个第一发光芯片，透光基板具有焊盘部和沿第一方向延伸的线路部，该透光基板具有相对的第一线路面和第二线路面，第一线路面上形成有第一金属图...
    2026-01-24
  • 一种三色Micro LED芯片点激光共焊方法
    一种三色Micro LED芯片点激光共焊方法_湖北奕元达科技有限公司_202511161925.9
    本发明属于三色LED芯片加工技术领域，具体涉及一种三色Mi cro LED芯片点激光共焊方法，包括以下步骤：步骤1，准备一块转载玻璃板，加工贴附胶层、PET材料层及排晶胶层，设置包括密闭充气空间的气涨装置；步骤2，准备一块PCB基板；步骤3...
    2026-01-24
  • 一种三色Micro LED芯片转移方法
    一种三色Micro LED芯片转移方法_湖北奕元达科技有限公司_202511192317.4
    本发明属于三色LED芯片加工技术领域，具体涉及一种三色Micro LED芯片转移方法，包括以下步骤：步骤1，准备一块空白转载玻璃；准备第一蓝膜、第二蓝膜及第三蓝膜；步骤2，分别在第一蓝膜、第二蓝膜及第三蓝膜上放置第一颜色芯片、第二颜色芯片及...
    2026-01-24
  • 一种实现microLED阵列可变pitch的方法
    一种实现microLED阵列可变pitch的方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511424400.X
    本发明涉及microLED显示制造技术领域，公开了一种实现microLED阵列可变pitch的方法。该方法首先将初始间距的microLED阵列转移至主动式应变调控复合膜材上，经宏观机械预拉伸初步扩大间距；通过全域视觉反馈系统监测各芯片位置，...
    2026-01-24
  • 发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕
    发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕_英诺激光科技股份有限公司_202511432288.4
    本公开提供了一种发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕，包括：对承载了多个发光二极管芯片的中间载板进行检测，确定中间载板对应的光谱映射图，其中光谱映射图用于反映多个发光二极管芯片分别对应的发光参数，发光参数包括发光波长和/或发光亮度；对光...
    2026-01-24
  • 发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕
    发光二极管芯片的转移方法、装置及显示屏幕_英诺激光科技股份有限公司_202511433558.3
    本公开提供了一种发光二极管芯片的转移方法、装置、计算机设备、存储介质及显示屏幕，该方法包括：对承载了多个发光二极管芯片的中间载板进行检测，确定中间载板对应的光谱映射图；确定中间载板对应的多个波长划分范围，根据多个波长划分范围，将光谱映射图划...
    2026-01-24
  • LED转移方法和转移设备
    LED转移方法和转移设备_惠科股份有限公司_202511581515.X
    本申请公开了一种LED转移方法和转移设备，主要涉及LED的转移技术领域，将所述转移基板设置有所述第二粘胶层的一侧与所述暂态基板上的LED的一侧相贴；将所述光控基板与所述转移基板相对设置，并使得所述第一聚光组件和所述第二聚光组件与所述LED一...
    2026-01-24
  • 半导体光电器件及其制备和使用方法
    半导体光电器件及其制备和使用方法_中国科学院半导体研究所_202511389239.7
    本发明提供了一种半导体光电器件，可应用于光电芯片技术领域。该器件包括：器件主体，器件主体包括衬底、设置于衬底上的多个发光单元以及用于电连接发光单元的金属互联引线；功能层，覆盖于发光单元的出光表面；其中，发光单元为基于半导体外延材料制备的微型...
    2026-01-24
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