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最新专利技术
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410902295.5
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括电容介质层、第一电极层和分隔结构。第一电极层位于电容介质层的一侧。分隔结构位于相邻第一电极层之间。第一电极层具有曲面。该曲面部分沿第一方向延伸，部分沿第二方向延伸。第一方向和...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410951325.1
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、第一介电层、存储节点接点、第一虚设接点以及第二虚设接点。所述基底具有存储元件区以及周边区。所述第一介电层设置于所述基底上。所述存储节点接点设置于所述存储元件区中的所述第一介电层中...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411285520.1
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、字线、位线导电层、检测元件及开口。衬底包括多个主动区及围绕多个主动区的隔离区。字线设置在衬底中且设置在多个主动区中。位线导电层设置在字线上。检测元件设置在隔离区中。开口贯穿位线导电...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411539621.7
    本发明的实施例提供半导体结构，半导体结构包括设置在基板上的金属层、设置在金属层上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、设置于金属层上且位于第一介电层的金属层及第二介电层中的多个电容器、及设置于金属层上且位于第一介电层、第二介电层及第...
    2026-01-21
  • 具有垂直通道晶体管的半导体元件及其制备方法
    具有垂直通道晶体管的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510078689.8
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一位元线，沿一第一方向延伸；一第一字元线，沿一第二方向延伸并设置在该位元线上方；以及一第二字元线，沿该第二方向延伸并设置在该位元线上方。该半导体元件还包括与该第一字元线和该第二字元线重叠...
    2026-01-21
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510152499.6
    一种半导体器件包括：基板；位线，在基板上沿平行于基板的上表面的第一方向延伸；在位线上的第一半导体图案和第二半导体图案，第一半导体图案和第二半导体图案中的每个沿垂直于基板的上表面的第二方向延伸，并且第一半导体图案和第二半导体图案沿第一方向彼此...
    2026-01-21
  • 存储器装置
    存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510207812.1
    本公开涉及一种存储器装置。所述存储器装置包括：导电图案和第一层间绝缘层，所述导电图案和所述第一层间绝缘层在第一方向上彼此交替地层叠；虚设图案，所述虚设图案在所述第一方向上与所述导电图案分离；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述导电图案...
    2026-01-21
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510216826.X
    一种半导体装置可以包括：半导体图案，在第一方向上延伸；多层绝缘结构，在半导体图案上；以及接触件，穿透多层绝缘结构。多层绝缘结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层上的第二绝缘层。接触件可以包括阻挡图案和在阻挡图案上的导电图案。阻挡图案可以接触第...
    2026-01-21
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510464417.1
    本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：材料图案，其在垂直方向上延伸并且掺杂有第一杂质；数据存储结构，其面向材料图案并且与材料图案间隔开；有源图案，其设置在材料图案与数据存储结构之间，其中，有源图案在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开，并且...
    2026-01-21
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510593771.4
    提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、在第一电极和第二电极之间的电介质膜结构、在第一电极和电介质膜结构之间的第一界面膜、以及在第二电极和电介质膜结构之间的第二界面膜。电介质膜结构可以包括依次堆叠...
    2026-01-21
  • 包含存储器垫边缘结构的设备
    包含存储器垫边缘结构的设备_美光科技公司_202510856319.2
    本申请案涉及包含存储器垫边缘结构的设备。本公开的一些实施例提供一种设备，其包括存储器垫，所述存储器垫包含存储器单元部分、邻近于所述存储器单元部分的虚设部分及邻近于所述虚设部分的边缘部分。所述存储器单元部分包含第一电容器结构、耦合到所述第一电...
    2026-01-21
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510857176.7
    一种半导体存储器装置包括：第一字线，在基底上在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；第一半导体图案，包括第一杂质区域、第一沟道区域和第二杂质区域，其中，第一半导体图案与第一字线相交，并且在与基底的上表面平行且与第一方向相交的第二方向上延伸；第...
    2026-01-21
  • 半导体器件结构及其制造方法
    半导体器件结构及其制造方法_长鑫存储技术有限公司_202511492592.8
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：设置有相互间隔的源极区和漏极区的衬底；设置于所述衬底上表面的栅极结构；设置于所述衬底中的凹槽；至少部分所述栅极结构位于所述凹槽内。
    2026-01-21
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411681229.6
    一种半导体装置的制造方法可以包括：形成层叠体；在层叠体中形成开口，该开口呈现具有长轴和短轴的椭圆形状；在开口中形成沟道层；在沟道层上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成阻挡层；通过蚀刻阻挡层形成阻挡图案，阻挡图案位于长轴上的相对侧；沿长轴增加阻挡...
    2026-01-21
  • 非挥发性存储器元件和其制造方法
    非挥发性存储器元件和其制造方法_物联记忆体科技股份有限公司_202510877773.6
    本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法，制造方法包括在基板上形成两个叠层结构，且在叠层结构之间形成一个间隙；形成覆盖两个叠层结构且填充该间隙的浮置闸极层，所述浮置闸极层包含凹陷区；将第一遮罩层填充至凹陷区；去除部分第一遮罩层，以在凹陷...
    2026-01-21
  • 具有反掺杂注入物的非易失性存储器及其制造方法
    具有反掺杂注入物的非易失性存储器及其制造方法_意法半导体国际公司_202510888801.4
    本公开涉及具有反掺杂注入物的非易失性存储器及其制造方法。根据本公开的各种实施例，提供了一种电可擦除且可编程的非易失性存储器设备的存储器单元。在一些实施例中，存储器单元包括源极区、漏极区、沟道区、控制栅、浮栅和反掺杂注入物。浮栅包括突出部分，...
    2026-01-21
  • 闪存及其形成方法
    闪存及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394133.6
    本发明提供一种闪存及其形成方法，浮栅位于耦合氧化层上；擦除栅位于相邻浮栅之间的衬底上，擦除栅上形成有擦除栅保护层，以使擦除栅构成埋层结构，擦除栅的高度大于浮栅的高度；字线位于浮栅一侧的衬底上，字线的高度大于擦除栅的高度，字线的材料为金属材料...
    2026-01-21
  • 浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备
    浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备_浙江创芯集成电路有限公司_202511862201.7
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备，该浮栅型闪存结构包括衬底；离子注入层，离子注入层形成在衬底上，离子注入层中形成有源极和漏极；选择栅极，选择栅极形成在离子注入层上；沟槽，沟槽贯穿选择栅极后停止在离子注...
    2026-01-21
  • 一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法
    一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511851706.3
    本发明提供一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法，所述制备方法包括：在基底的有源区形成闪存沟槽；在闪存沟槽中依次形成控制栅层、栅间介电层和浮栅层，构成埋入式的闪存存储单元；在基底表面继续进行其它逻辑电路工艺。本发明的倒装结构的闪存存储单元位于...
    2026-01-21
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510916046.6
    公开了半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极结构、存储器沟道结构和第一接触塞。栅电极结构设置在基底上，并且包括在第一方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，第一方向与基底的上表面基本垂直。栅电极中的每个在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面基本...
    2026-01-21
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