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  • 本申请属于一种拼接装置,针对现有X射线条纹相机阴极狭缝的制作方法存在狭缝宽度受限,特殊尺寸狭缝加工成本高,以及加工的狭缝成活率较低的技术问题,提供一种X射线条纹相机狭缝拼接装置及其使用方法,包括位移调节组件、狭缝刀片位移滑台和支撑架体,位移...
  • 本发明公开了一种用于防窥膜的乳剂胶片及其制备方法和用途,所述乳剂胶片包括多个感光子层,多个所述感光子层分别感应不同波长范围的光,或者,多个所述感光子层均感应同一波长范围的光,并且沿着从所述基材到所述护膜层的方向,多个所述感光子层的感光度逐渐...
  • 本发明涉及一种掩模版的制备方法、掩膜基板、二元掩模版和相移掩模版,掩模版的制备方法包括:提供掩膜基板,掩膜基板包括基板和位于基板上的硅层;在掩膜基板上布置光刻胶,并进行曝光、显影,形成图形化的光刻胶,露出部分硅层;以及刻蚀暴露的硅层,形成图...
  • 一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质、计算机程序,方法包括:提供初始版图,初始版图包括多个间隔相邻设置的金属线图形以及分布于金属线图形中的互连通孔图形;基于光刻工艺支持的临界间距,获取金属线图形的最大移动距离和移动方向;基于最...
  • 制造EUV薄膜的方法包括以下步骤:在衬底上沉积第一绝缘层;部分地去除衬底以形成暴露第一绝缘层的开口;部分地去除第一绝缘层,同时留下与衬底接触的支撑部分;在绝缘层的支撑部分上形成核心层,其中核心层包括sp2和sp3碳原子;以及在核心层上形成氢...
  • 本发明提供了一种基片边缘的清洗装置及方法,涉及半导体光刻工艺技术领域,包括相对设置的第一移动臂和第二移动臂;第一移动臂上滑动连接有上清洗部,上清洗部沿着第一方向移动,第二移动臂上滑动连接有下清洗部,下清洗部沿着第一方向移动;工作状态,将第一...
  • 本发明提供一种非制冷红外探测器制造方法,包括:在电路片版图上预留光刻机对准标识;在处理后的电路片上沉积第一牺牲层并进行固化,第一牺牲层上设置有第一支撑层,通过光刻机进行光刻,完成桥腿层的制备;在形成桥腿层的晶圆表面沉积第二牺牲层并进行固化,...
  • 本申请提供了一种纳米压印设备及模板装载方法,可以应用于半导体制备技术领域。该纳米压印设备包括:载模台,用于放置掩模板;移动导轨,用于承载载模台,并使载模台能沿移动导轨移动至第一预设位置和第二预设位置;光学对准部件,设置于第一预设位置的正上方...
  • 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供一种能够提高图案形成时的分辨性且能够得到LER和图案忠实性良好的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物、以及抗蚀剂图案形成方法。一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,包含:(A)光酸产...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,感度及极限分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,含有:含有具有下式(1)表示的超...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中,感度及极限分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,含有:含有下式(1)表示的具有超...
  • 本发明涉及一种高强度感光性阻焊干膜及其制备方法,高强度感光性阻焊干膜的成分包括丙烯酸树脂、活性单体、改性二氧化钛、环氧树脂、光引发剂、助剂、溶剂;其中,所述改性二氧化钛为羟基化二氧化钛先与异佛尔酮二异氰酸酯反应,然后和2‑乙烯基苯酚反应,最...
  • 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供含有可产生扩散小的酸的鎓盐的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含(A)光酸产生剂及...
  • 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中,溶剂溶解性良好,分辨性、LER、图案形状等光刻性能优良,同时在微细图案形成中会抗图案崩塌,蚀刻耐性亦优良的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用...
  • 本发明提供一种复合光刻工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1.提供一基底,所述基底表面具有凹形结构;S2.在所述凹形结构内填充第一底部抗反射涂层,并进行平坦化处理;S3.在填充完所述第一底部抗反射涂层后,接着涂覆第二底部抗反射涂层;S4.在所...
  • 本发明提供一种适用于小管径的光纤布设装置,涉及光纤布设技术领域,包括:布设架,用于固定光纤盘;布设小车;所述布设小车包括车架,所述车架上设置有:若干滑轮、光纤固定件、按压粘贴组件以及位于按压粘贴组件正后方的点胶组件。本发明具有光纤布设效率高...
  • 本发明申请涉及一种匀胶处理腔,属于半导体制造及微纳加工技术领域,匀胶处理腔包括:旋转载台,用于承载并旋转基板;下壳体,设于所述旋转载台的周侧;以及底板,设于所述旋转载台的下方;其中,所述基板的背面、所述旋转载台、所述下壳体以及所述底板共同界...
  • 本发明涉及光刻技术领域,提供了利用光引发剂光激活发光的特性而实现显影前光刻图案质量实时检测方法。光引发剂咔唑基肟酯是一种具有光激活发光特性的光引发剂。初始状态下,引发剂不具备发光性;在紫外光照射下,分子发生断裂生成自由基,进而触发发光,并将...
  • 本申请公开了一种光阑装置及光刻设备,属于光学仪器技术领域,本申请提供的光阑装置包括支撑结构;至少两个光阑盘同轴设置,至少两个光阑盘均绕同一中心轴线转动支撑于支撑结构上,每个光阑盘上均开设有多个沿中心轴线的延伸方向贯穿的透光孔;其中任意相邻的...
  • 本申请公开了一种共轴双台面LDI曝光机及其工作方法,该曝光机的底座上沿Y轴设置第一直线导轨,第一直线导轨能在第一直线电机的驱动下带动相对设置在其两端的A载台和B载台沿第一直线导轨前后独立滑移,A载台和B载台的下方分别设有三自由度微动平台,三...
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