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  • 本发明公开了一种光源装置和投影设备,包括激光器,用于出射激光光束;第一聚焦透镜组,分光元件,荧光元件,反射元件,其中,分光元件的第二区域沿第一方向的正投影完全覆盖反射元件,且分光元件的第一区域沿第二方向的正投影完全覆盖反射元件;第一方向平行...
  • 本发明公开了一种投影设备,多个激光器固定在光源壳体的第一表面,光路调节镜组固定在光源壳体的第二表面,光路调节镜组将激光器出射的激光光束透射至荧光轮,荧光轮出射的激光光束的第一部分激发的荧光光束反射至光源壳体的出光口,荧光轮反射的激光光束的第...
  • 本发明公开了一种投影设备,包括出射多种颜色的激光的光源,光束分割元件、合光组件和显示元件,采用光束分割元件对各个出光区域出射的激光分割为至少两个子光束,并利用合光组件中第一合光件的反射和第二合光件的反射区和透射区对分割后的子光束进行合光,这...
  • 本申请公开了一种车用投影幕布,车用投影幕布包括容纳盒、幕布机构和支撑机构。容纳盒限定出容纳空间,容纳空间在容纳盒的底壁形成敞开口;幕布机构设于容纳盒内,幕布机构包括卷绕组件和幕布,卷绕组件与幕布的固定端连接配合,卷绕组件用于释放或卷绕幕布;...
  • 本发明涉及一种相掩模的制备方法,尤其是一种相移掩模版的相位角、穿透率调控方法,包括以下步骤:获取经一次生产后的相移掩模;检测所述相移掩模的相位角和穿透率,若相位角和穿透率超出设定要求则进行调节步骤,所述调节步骤包括:重复清洗、涂胶、激光束曝...
  • 本申请涉及一种光学邻近修正方法及其装置、掩膜版、计算机设备和存储介质。所述方法包括:从设计图形中筛选出影响图形和待修正图形;基于拐角的位置在待修正图形上确定分割点;根据分割点对待修正图形的待分割边缘线进行分割,得到多个待修正边缘线;基于待修...
  • 本发明提供一种掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆,步进曝光工艺将第一掩膜版和第二掩膜版的图形转印到晶圆上后,晶圆的每个芯片区上第三标识与相邻第一标识之间的间隔区域交叠,第四标识与相邻第二标识之间的间隔区域交叠,且该芯片区上的第三标识和第四标...
  • 本发明公开了一种方便脱膜的光掩膜成品及制备方法,涉及光掩膜板技术领域。本发明包括保护框膜、光掩膜板、底层胶和热敏涂层,所述底层胶设置于保护框膜与光掩膜板之间,所述热敏涂层与光掩膜板连接,所述底层胶与热敏涂层连接,所述热敏涂层位于底层胶与热敏...
  • 本发明提供一种量产性优异、能够使装置的设置面积省空间化的微细结构转印装置及微细结构转印方法。微细结构转印装置(1)具有压印机构(2)和喷墨机构(4),相对于通过喷墨机构(4)涂敷在基板(21)上的多个部位的光固化性树脂,压印机构(2)在真空...
  • 本申请提供了一种自动调平的硬压硬纳米压印设备,包括:六轴运动平台,六轴运动平台的下端设有压印平台,压印平台的下端设有卡盘机构,卡盘机构的下端设有用于硬压硬纳米压印的衬底与模板;三组激光测距探头,以中心对称方式布置于六轴运动平台周围,用于非接...
  • 公开了一种半导体光刻胶组成物和使用其形成图案的方法,该半导体光刻胶组成物包括有机金属化合物;单羧酸化合物;被至少两个羧基取代的有机酸化合物;以及溶剂。
  • 提供了一种抗蚀剂顶涂层组合物和使用抗蚀剂顶涂层组合物形成图案的方法,抗蚀剂顶涂层组合物包括包含第一结构单元和第二结构单元的聚合物;以及一种溶剂,其中第一结构单元由化学式M‑1表示,第二结构单元包括一种金属元素并衍生自具有不饱和双键的化合物。...
  • 一种半导体光刻胶组成物包括由化学式1表示的有机金属化合物和溶剂。一种形成图案的方法利用该半导体光刻胶组成物。化学式1
  • 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题为提供超过已知抗蚀剂材料的高感度、高分辨度,且LWR小、CDU良好、曝光后的图案形状良好的抗蚀剂材料、及图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料,含有:基础聚合物,含有下式(a)表示的重...
  • 本申请涉及盐和包含其的光致抗蚀剂。提供新Te盐化合物,其包括适用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。
  • 本发明涉及感光性树脂组成物、彩色滤光片及其制造方法及液晶显示器。一种感光性树脂组成物,包含着色剂(A)、碱可溶性树脂(B)、光聚合性化合物(C)、光起始剂(D)、具有如式(V)所示的结构的化合物(E),及溶剂(F)。在式(V)中,R24、R...
  • 本发明公开了一种碱溶性感光树脂,制备原料包括环氧树脂,催化剂A,阻聚剂,溶剂,改性剂,催化剂B,感光单体,酸酐;所述感光单体为NCO单封端的光敏单体。本发明采用NCO单封端的光敏单体作为感光单体与二月桂酸二丁基锡共同进行封端反应,不仅可以消...
  • 单体、聚合物和包含其的光刻组合物。提供了一种光致抗蚀剂组合物,其包含:a)一种或多种聚合物,所述聚合物包括:单体的一个或多个重复单元,所述单体包括碲吩杂环和一个或多个烯系可聚合基团;和b)一种或多种酸产生剂化合物。
  • 本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及正性化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用,旨在解决显影后光刻胶在金属基材上易出现底部残留,并且在后续制程中金属电镀后刻蚀良率不佳的问题。其技术方案要点是:混合树脂,混合树脂包括第一树脂和第二树脂;引...
  • 本发明属于光刻胶技术领域,具体涉及一种用于有机绝缘膜的酸酐基支化结构负性光刻胶组合物,以质量份计,包括以下组分:含有酸酐基支化结构衍生物的聚合物20~100份;含烯键的不饱和化合物2~60份;自由基聚合引发剂0.006~20份;表面活性剂0...
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